异质结光晶体管的研究与进展

回顾了异质结光晶体管(HPT)在近年来的重要进展,综合分析了HPT的工作原理以及影响其性能的主要参数。综述了不同材料制作的HPT的研究现状,得出了目前限制HPT发展的主要因素及当前应重点解决由于基区表面复合等效应导致的增益下降和由于结电容的充放电限制的响应带宽等问题的结论。

新型高频硅光电负阻器件的特性模拟及测试分析

给出了达林顿 λ型光电双极晶体管 (DPL BT)的结构及其等效电路 ,并以此等效电路为基础 ,用 PSPICE电路模拟程序对 DPL BT的电学特性 (IC- VCE)进行了模拟 ,对所研制的 DPL BT器件进行了测试 ,并对模拟和实验结果作了深入分析 ,其 IC- VCE特性与模拟结果符合得较好 .研究发现 DPL BT具有良好的特性和多种光电功能 ,在光逻辑、光计算。

硅双极型高速工艺和与其相容的硅PIN探测器

文章描述硅双极高速工艺，和一种能与双极工艺相容的硅ＰＩＮ探测器的结构及设计，从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研制的单片集成光接收机，其中硅ＰＩＮ探测器的光电响应为０．４３Ａ／Ｗ，整机的响应度为４．４×１０３Ｖ／Ｗ，工作频率２５０ＭＨｚ。

一种用于CMOS图像传感器的新结构光电器件

提出了一种用于CMOS图像传感器的新结构光电探测器件——双极光栅场效应晶体管。通过在器件中引入pn结,有效地增加了光生电荷的读出速率,因而与传统光栅晶体管相比,双极光栅晶体管具有工作速度快、响应灵敏度高、读出电路简单等优点。

光电集成与器件

TN256 2003031997由OLED和复合光探测器构成的新型光耦合器=Novelopto-isolator with combination of OLED and integrated photo-detector[刊,中]/郭维廉（天津大学电子信息工程学院.天津（300072））,张世林…∥半导体光电.—2002,23（5）.—306-307,311对以Al/Alq3/TPD/ITO玻璃结构的有机/聚合物发光二极管（OLED）为发光器件。

双极型光栅晶体管的瞬态特性模型及模拟分析(英文)

提出一种应用于CMOS图像传感器的新型光电检测器件-双极型光栅晶体管,并建立了其瞬态等效电路模型,利用电路模拟软件HSPICE的多瞬态分析法对双极型光栅晶体管的光电流特性进行了仿真,分析得出这种新型器件在0.6μmCMOS工艺参数下,由于引入pn注入结加速了光电荷的读出速率,光电流随外加电压呈指数式增长,与普通光栅晶体管相比,蓝光响应特性有较大改善。

具有穿通基区的双极晶体管光探测器的噪声特性研究

提出了一种具有穿通基区的Si双极晶体管光探测器。通过优化器件结构参数，使基区在工作时完全耗尽，从而得到大的光增益和小的噪声电流。实验测光电转换增益大于150,000；器件具有良好的噪声特性，噪声功率与器件的直流偏置电流成正比，即in2=2qIcΔf。

采用PLBT光控振荡器的周期解

采用硅光电负阻器件PLBT可以构成光控振荡器。只要对在光照下PLBT的输出特性进行合理的解析描述,就可以应用KBM方法求解该系统的第一次近似解以及高次近似解。在设计这种振荡器时,该解析解有助于正确选择电路参数。

用AES/XPS对异质结材料的研究

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法（ＰＬ）测得的ｘ值进行了对比。

pin/HBT OEIC光接收机

介绍了pin/HBT单片集成OEIC光接收机的集成结构和电路结构,分析了这种集成方式的光接收机前端设计过程中影响带宽和灵敏度的因素,总结了集成器件最新的研究进展。

InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长

为了生长制作器件所需的外延片 ,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管 (HBT)结构、1 5 5 μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构 .激光器结构的生长温度为 6 5 5℃ ,有源区为 5个周期的InGaAsP/InGaAsP多量子阱 (阱区λ =1 6 μm ,垒区λ =1 2 8μm) ;HBT结构则采用 5 5 0℃低温生长 ,其中基区采用Zn掺杂 ,掺杂浓度约为 2× 10 19cm-3 .对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射 ,光致发光谱和二次离子质谱仪的测试 ,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求 .

DF-100A型PSM短波发射机的几种专用元件

本文叙述了PSM短波发射机的4种专用元件。

高速光学芯片

美国密执安大学工程学院新近研制成功一种目前世界上数据传输速度最快的光学芯片。这种芯片可使接收速度高达24兆位/s,以激光脉冲传输数据,因此,使用这种芯片可以大大增加数据高速公路的信息容量。该芯片是在同一种半导体叠层中集中了光检测仪和放大装置,电路包括一个可检测输入光束的光电二极管和一个放大高速信号的异结双极晶体管。

电子器件

本书为1998年9月23～24日在英国曼彻斯特召开的第6届微波和光电应用高性能电子器件国际会议的论文集,共收录文章49篇。内容主要涉及:高速高电子迁移率晶体管(HEMT),器件和电路建模,光学器件及电路,异质结双极晶体管,器件工艺,毫米波器件,高功率微波器件等。

半导体器件

Y2002-63011 0212673IEEE GaAs 集成电路会议录=IEEE GaAs IC sympo-sium[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—266P.(E)本会议录收集了在华盛顿州 Seattle 召开的 GaAs集成电路会议上发表的56篇论文。