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2000年(及以后)硅拉晶工艺
1
作者
邓志杰
《现代材料动态》
2000年第6期3-4,共2页
关键词
半导体
硅
拉晶工艺
点缺陷
二次缺陷
MCI法
原文传递
密闭热系统中拉制硅单晶
2
作者
叶祖超
陆荣
《上海有色金属》
CAS
1998年第3期102-105,共4页
本文介绍采用密闭热系统拉晶工艺拉制硅单晶的情况。试验表明:密闭拉晶不仅有利于减少电耗和氢气消耗,而且可有效地降低硅单晶的氧含量和热氧化层错密度。文中还对密闭系统的材料、形状、放置及作用作了具体描述。
关键词
硅单
晶
热系统
拉晶工艺
硅中氧
热氧化层错
下载PDF
职称材料
题名
2000年(及以后)硅拉晶工艺
1
作者
邓志杰
出处
《现代材料动态》
2000年第6期3-4,共2页
关键词
半导体
硅
拉晶工艺
点缺陷
二次缺陷
MCI法
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
密闭热系统中拉制硅单晶
2
作者
叶祖超
陆荣
机构
上海硅材料厂
出处
《上海有色金属》
CAS
1998年第3期102-105,共4页
文摘
本文介绍采用密闭热系统拉晶工艺拉制硅单晶的情况。试验表明:密闭拉晶不仅有利于减少电耗和氢气消耗,而且可有效地降低硅单晶的氧含量和热氧化层错密度。文中还对密闭系统的材料、形状、放置及作用作了具体描述。
关键词
硅单
晶
热系统
拉晶工艺
硅中氧
热氧化层错
Keywords
Single crystal silicon, Thermal system, Crystal drawing Process, Oxygen in silicon, Oxidation inducedstacking faults
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
2000年(及以后)硅拉晶工艺
邓志杰
《现代材料动态》
2000
0
原文传递
2
密闭热系统中拉制硅单晶
叶祖超
陆荣
《上海有色金属》
CAS
1998
0
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职称材料
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