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2000年(及以后)硅拉晶工艺
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作者 邓志杰 《现代材料动态》 2000年第6期3-4,共2页
关键词 半导体 拉晶工艺 点缺陷 二次缺陷 MCI法
原文传递
密闭热系统中拉制硅单晶
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作者 叶祖超 陆荣 《上海有色金属》 CAS 1998年第3期102-105,共4页
本文介绍采用密闭热系统拉晶工艺拉制硅单晶的情况。试验表明:密闭拉晶不仅有利于减少电耗和氢气消耗,而且可有效地降低硅单晶的氧含量和热氧化层错密度。文中还对密闭系统的材料、形状、放置及作用作了具体描述。
关键词 硅单 热系统 拉晶工艺 硅中氧 热氧化层错
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