一种新型指数补偿BICMOS带隙基准源

在分析了带隙基准的指数曲率补偿原理的基础上,设计了一个低功耗、低温度系数、高电源抑制比的新型BICMOS带隙基准源电路.该电路基于0.6μm BICMOS工艺进行设计、仿真和实现.仿真结果表明,该带隙基准源在5V电源电压下,电源电流为50μA;温度变化范围从-40℃~110℃时,温度系数为2ppm/℃;低频电源抑制比为-105dB;负载从空载到驱动1k电阻时调整率为0.6mV.

一种新型的低功耗指数补偿带隙基准

基于0.18μm BCD工艺,设计了一种新型的低功耗指数补偿带隙基准。对高温段进行指数补偿,降低温漂;利用预稳压技术,引入负反馈环路以提高基准的电源电压抑制比。经过HSPICE仿真验证,基准输出电压为1.233 V,-15℃~145℃温度范围内的温度系数为3×10-6/℃;低频时电源电压抑制比为-94dB,供电电压在2.8~5V变化时,基准输出电压的线性调整率仅为0.000 5%,当供电电源为2.8V时,整体静态电流仅为3.8μA。

一种带曲率补偿的低功耗带隙基准设计

为了改善传统带隙基准中运放输入失调影响电压精度和无运放带隙基准电源抑制差的问题,设计了一款基于0.35μm BCD工艺的自偏置无运放带隙基准电路。提出的带隙基准源区别于传统运放箝位,通过负反馈网络输出稳定的基准电压,使其不再受运算放大器输入失调电压的影响;在负反馈环路与共源共栅电流镜的共同作用下,增强了输出基准的抗干扰能力,使得电源抑制能力得到了保证;同时采用指数曲率补偿技术,使得所设计的带隙基准源在宽电压范围内有良好的温度特性;且采用自偏置的方式,降低了静态电流。仿真结果表明,在5 V电源电压下,输出带隙基准电压为1.271 V,在-40~150℃工作温度范围内,温度系数为5.46×10^(-6)/℃,电源抑制比为-87 dB@DC,静态电流仅为2.3μA。该设计尤其适用于低功耗电源管理芯片。

一种新型的指数曲率补偿带隙基准源

提出了一种新型的指数曲率补偿带隙基准源电路。该电路简单实用，相比一阶补偿带隙基准源，只需增加两只二极管和一只双极晶体管用于指数曲率补偿。运用0．6μm的BiCMOS工艺模型仿真，在0～70℃温度范围内，一阶补偿的带隙基准源温度系数为22．8ppm／℃；而运用文章提出的指数曲率补偿结构后，温度系数为7．8ppm／℃。

指数型温度补偿BiCMOS带隙基准电压源设计

利用双极型管电流增益的温度特性,采用UMC0.6μm BiCMOS工艺设计了一款指数型温度补偿BiCMOS带隙基准电压源。测试结果表明:温度在10°C～100°C之间变化,带隙基准电压随温度变化最大偏移为2.5mV;电源电压在2.5～5.0V之间变化,带隙基准电压随电源电压直流变化最大偏移为0.95mV。该带隙基准电压具有较高的温度稳定性和电压稳定性。

一种高温段指数曲率补偿电压基准源

设计了一种全双极电压基准源结构,利用BJT反向饱和电流的温度特性,对一阶补偿的基准电压进行指数曲率补偿,改善了基准输出电压的温度特性。Hspice仿真结果表明,在-25~130℃范围内,补偿后的基准电压温度系数从14.3 ppm/℃减小到8.4 ppm/℃。仿真结果与理论分析相吻合。从工艺及电路设计的角度,对仿真结果进行了较为深入的分析研究。

一种指数曲率补偿CMOS带隙基准源的设计

给出一款带曲率补偿的CMOS带隙基准源电路,该电路利用双极性晶体管电流增益β与温度的指数关系对带隙基准曲率进行补偿,以简单的电路结构获得低的温度系数.电路采用CSMC 0.5μm 2P3M mixed signal CMOS工艺设计,Cadence Spectre仿真结果显示,在3.6V的电源电压、-40～85℃范围内,基准源的温度系数为5.0×10-6/℃.

一种具有指数型温度补偿的带隙基准源

文章介绍了一种利用Bipolar管的电流增益随温度呈指数型变化的规律,对带隙基准进行温度补偿的指数型温度补偿技术。该电路具有温度补偿精度高、电路结构简单且能输出高电位电压基准等优点。采用0．8μm BiCMOS的工艺模型,在电源电压为12V的情况下模拟分析,该电路在-45℃ -+85℃的温度范围内具有较好的温度漂移抑制。

基于生态系统服务功能价值的湖北省恩施地区生态补偿研究

[目的]对湖北省施恩地区进行生态价值及生态补偿研究,以期充分发挥恩施地区生态资源丰富的优势,为区域生态补偿机制的建立提供理论依据。[方法]依据相关遥感及社会经济统计数据,对恩施地区2000及2010年生态系统服务功能价值当量及2010年生态价值、生态补偿额度和生态补偿优先指数进行计算和分析。[结果](1)恩施地区2000及2010年生态系统服务价值当量分别为7.84×107,5.88×107,10a期间生态当量下降了25.07%;(2)2010年研究区生态价值2.89×1010元,生态补偿优先顺序为:鹤峰县>宣恩县>利川市>咸丰县>巴东县>建始县>恩施市>来凤县。[结论]恩施地区生态补偿优先指数与各县贫困村比例、人均生态系统服务功能价值成正相关性,人均生态系统服务功能价值与各县贫困村比例也存在较强的正相关。

铜绿微囊藻高温胁迫后的生长补偿效应

为探究藻类受高温胁迫后的恢复生长情况,以铜绿微囊藻(Microcystis aeruginosa)为材料,设置了40℃高温组及25℃对照组,分别处理3、6和12 d后转入25℃进行恢复培养30 d,测定生长过程中的细胞密度以及Chla(叶绿素a)、CAR(类胡萝卜素)、Pro(可溶性蛋白)、Sug(可溶性糖)和丙二醛的含量.结果表明:40℃高温下铜绿微囊藻的生长受到显著抑制,胁迫至第12天时,细胞密度、ρ(Chla)和ρ(CAR)分别比对照组降低了81.08%、97.89%和90.31%.解除胁迫后,40℃处理3 d组呈现一定的超补偿,细胞密度、ρ(Chla)和ρ(CAR)在恢复培养30 d的平均补偿指数分别为1.63、0.90和2.12;40℃处理6和12 d组呈现低补偿,恢复培养至第30天时,ρ(Pro)分别比对照组降低了14.86%和48.75%,ρ(Sug)分别比对照组降低了18.77%和53.73%.胁迫时间越长,丙二醛含量越高,长时间(12 d)的高温胁迫会对细胞造成永久伤害.采用Logistic方程拟合生长曲线,40℃处理6 d组在恢复培养24 d后出现明显的超补偿,细胞密度增大,预计39 d后超过40℃处理3 d组.高温诱发超补偿生长与自然界中藻类暴发的过程具有密切关系,这种内源性因素及藻体生理特征的变化可为湖泊水华发生的理论研究提供依据.

一种高阶曲率补偿带隙基准的原理与实现

基于指数型和二阶曲率补偿技术,设计了一个高阶曲率补偿带隙基准.在电路结构上采用电流镜和负反馈回路代替运放反馈回路,不仅避免了运放的失调电压所引起的输出误差和温漂问题,而且使得电路相对简单,更适于电路系统集成.;利用二阶曲率补偿和双极晶体管的电流增益β随温度成指数型变化的规律,对输出电压温度特性进行补偿,提高了的温度稳定性.基于0.6μm BiCMOS工艺设计了基准电路和版图.仿真、测试结果表明:基准在ΔV=2.8V的电源电压幅度范围下,具有0.08mV/V的电源抑制特性.在-55～125℃的范围内Vref的温度系数为5×10-6/℃.

一种二阶曲率补偿带隙基准的设计

针对高压电源芯片的需要，提出了一种二次曲率补偿的带隙基准源。该电謦在传统带隙基准结构的基础上，利用Bipolar管的电流增益随温度呈指数变化的规律，对带豫基准进行高阶温度补偿。该电路具有温度补偿精度高、电路结构简单且能输出高电位电压基准等优点。采用40ViCMOS高压工艺流片，仿真用Cadence软件中的speetre工具，流片后测试结果为，工作电源电压±12V，输出电压为-10．78V，在-55℃-125℃范围内，温度漂移系数为2．5ppm／℃，在20kHz时基准源输出电源抑制比为100dB。

基于灰水足迹的长江流域生态补偿额度量化及应用

基于灰水足迹对2009-2020年长江流域的生态补偿额度进行量化,为完善长江流域生态补偿保护机制提供支持。从农业、工业、生活等3方面计算了2009-2020年长江流域15个省、2个直辖市和2个自治区的灰水足迹及它的载荷系数,利用零和模型和生态补偿标准修正指数计算了流域各省(直辖市、自治区)的生态补偿标准。结果显示:1) 2009-2020年长江流域灰水足迹整体呈现先增加后减少的趋势,在2015年达到峰值为9 131.44亿m^(3),中下游地区灰水足迹随时间推移而减少的趋势更明显;流域内灰水足迹载荷系数较大且水资源分布较少区域中大部分省(直辖市、自治区)在2019-2020年灰水足迹载荷系数呈下降趋势,淡水资源压力减弱;流域生态补偿标准绝对值总量在相对稳定的范围内呈波动趋势,最低值在2011年为570.92亿元,最高值在2019年为1 090.45亿元。2)长江流域内上游地区农业年平均灰水足迹最大,然后依次是中游地区和下游地区;中游地区工业和生活年平均灰水足迹最大,然后依次是下游地区和上游地区;在区域灰水足迹中农业灰水足迹的占比最大,然后依次是生活和工业灰水足迹的占比。长江流域内平均生态补偿阈值范围最大的是中游地区,然后依次是下游地区和上游地区;累计赤字生态补偿标准最大的是下游地区,然后依次为上游地区和中游地区;累计盈余生态补偿标准最大的是中游地区,然后依次是上游地区和下游地区;流域生态补偿标准总体上表现为累计赤字大于累计盈余。3)长江流域生态补偿标准的理论总值与环境保护投资实际总值绝对误差为1.86亿元,相对误差仅为0.22%。研究结果反映了长江流域各省(直辖市、自治区)之间的生态补偿数量关系并说明了研究方法具有较高可行性。

基于Hermite多项式函数链模糊神经网络的PMLSM分数阶反推控制

针对永磁直线同步电动机(PMLSM)伺服系统中存在的参数变化、负载扰动和摩擦力等不确定性因素,采用了函数链模糊神经网络(FLFNN)和分数阶反推控制(FOBC)相结合的控制方案来提高系统的控制性能。首先,采用FOBC实现系统的全局调节和位置跟踪,提高系统的收敛速度和控制精度;然后,采用Hermite多项式函数链模糊神经网络(HFLFNN)直接估计系统中存在的不确定性,同时利用指数补偿器对估计误差进行补偿,进一步提高系统的鲁棒性;最后,利用Lyapunov函数推导出系统中控制参数的在线调整估计律。实验结果表明所提出的控制方法切实可行,能够有效地抑制不确定性对系统的影响。与FOBC相比,具有更好的跟踪性能和鲁棒性能。

IGRS协议安全机制的分析与研究

在分析信息设备资源共享协同服务(IGRS)协议安全管道实现流程基础上,提出了一种利用层次分析法(AHP)排列设备所采取的安全机制的方法,讨论了指数补偿算法对于两个IGRS设备连接出错时的解决方法。

人手部皮下微循环特性随深度变化的研究

本研究使用手持式扫频光学相干层析(SSOCT)系统分别在人左手无名指指甲上方、无名指指腹和手掌大拇指根部选取3 mm×3 mm区域进行了在体成像,使用指数补偿方法还原血流信息,获取不同深度的血流正面光学断层图像(en face图像),从血管灌注密度(PD)、血管直径(VD)两个方面分析了微循环随深度的变化特性。试验结果证明,在上述三个成像位置中,随着成像深度的增加,血管PD与血管VD均增大,血流信息的丰富程度增加,但同时en face图像的清晰度有所下降。其中左掌大拇指根部微血管最为细密,血流信息较为丰富,比较适宜作为微循环疾病诊断研究的成像部位。分层投影结果显示,左手无名指指甲上方部位在成像深度较浅(220~660μm)时,血管PD明显小于其他两个成像部位,说明此处在该范围内血流信息丰富程度不够。本文测量了随深度变化的手部血流几何学特征,验证了光学相干层析(OCT)技术基于手部皮下微循环光学断层图像进行疾病诊断的可行性。许多微循环疾病早期就已经产生了微血管病变,因此对这种微循环变化的探测在疾病的早期诊断方面具有临床指导意义。

宽温度范围高精度带隙基准电压源的设计

为了满足市场对宽温度范围、高精度带隙基准电压源的需求,本文设计制作了一种新型带隙基准电压电路。设计采用多点曲率补偿技术,在温度较低时采用指数频率补偿,高温时采用亚阈值指数曲率补偿。采用电压-电流转换器对分段补偿电流在输出端进行整合,进而在-55~150℃的温度范围内进行补偿,得到低温度系数的基准电压。设计的电路采用CSMC 0.5μm CMOS工艺验证,结果表明:5V电源电压下,输出1.25V的基准电压;在-55~150℃的温度范围内温度系数为2.5×10^(-6)/℃,在低频时,PSRR为-66dB。带隙基准电压源芯片面积为0.40mm×0.45mm。

不同资源条件下刈割对植物再生能力的影响

以甘南地区高寒草甸中10种常见植物为对象,通过田间模拟试验,对不同生长期内的植物个体进行不同程度的刈割、施肥处理,以探讨不同资源条件下刈割对植物再生能力的影响。结果表明:多数情况下,适口性较好的植物的补偿能力较高,适口性较差的补偿能力较低。垂穗披碱草、燕麦、多枝黄芪、矮嵩草在高资源条件下的生物量补偿程度低于低资源条件,金花苜蓿、珠芽蓼、中华羊茅、獐牙菜、细叶亚菊及藏蒲公英则相反;中华羊茅、细叶亚菊、珠芽蓼在高资源条件下繁殖部分的补偿程度较高,其余7种则相反。不同资源条件下10种植物在总生物量、现存生物量方面的补偿能力排序一致,说明综合补偿指数能较好地反映刈割后植物在总生物量、现存量方面补偿能力的种间差异。本研究结果说明不同资源条件下,生存对策是影响植物再生能力的主要因素,且综合补偿指数可以更客观地反映植物的再生特点。

一种新颖的低温漂高电源抑制比带隙基准源

介绍了一种基于0.6μm BiCMOS工艺的高阶曲率补偿、高电源抑制比的带隙基准源。利用三极管电流增益的温度特性来实现低温度系数,并且不需要额外的电路。采用一种新颖的电压预调整器来实现高电源抑制比。结果表明,该带隙基准源在-40℃~120℃内的温度系数为2.83×10^(-6)/℃,在低频、100kHz、1MHz处的电源抑制比分别为-127、-98、-67dB。最低工作电压为1.8V,在1.8~3V电源电压范围内的线性调整率为4×10^(-5)/V,功耗为57μW。

适用于混合信号IC中的带隙电压基准

提出了两款基于指数型曲线补偿技术的、采用1.5μmBiCMOS工艺制造的新型带隙电压基准(BGR).在-45～85°C它们的平均温度系数均约为8.0×10-6/°C;在电源电压5V情况下工作时功耗分别为154.2μW和207.5μW.低功耗、高精度的特性使得它们非常适合集成于混合信号IC中.