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COF结构中键合力损伤芯片Al层的研究 被引量：1
1
作者 彭瑶玮 陈文庆 +1 位作者 王志平 肖斐 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期209-214,共6页
运用实验和有限元模拟相结合的方法 ,研究了非导电膜和金 金共金工艺中键合力对芯片Al压焊块内应力分布的影响 ,并分析了样品的失效部位和失效原因 .挠性基板上印制线宽度不同时键合力对芯片损伤情况的研究表明 ,小印制线宽度在相同单... 运用实验和有限元模拟相结合的方法 ,研究了非导电膜和金 金共金工艺中键合力对芯片Al压焊块内应力分布的影响 ,并分析了样品的失效部位和失效原因 .挠性基板上印制线宽度不同时键合力对芯片损伤情况的研究表明 ,小印制线宽度在相同单位面积键合力情况下对Al压焊块损伤较轻 . 展开更多
关键词 挠性板上芯片 非导电膜 金-金共金 有限元模拟
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