双原子分子振动-转动能量本征值的差分法计算

用差分法计算了７Ｌｉ２的振动－转动能量本征值，并与Ｌｅｙ－Ｋｏｏ等［１］作了比较。

氢分子振动态与铯分子基态碰撞中转动-振动能量转移

利用受激拉曼泵浦将H2激发到v=1,J=3态,研究了H2(1,3)态与Cs2分子碰撞(1,3)态的弛豫及Cs2(X1∑+g)振动态的激发过程.利用相干反斯托克斯拉曼散射(CARS)检测H2的振转态分布,由CARS峰值得到密度比[H2(1,3)]/[H2(0,3)]和[H2(1,1)]/[H2(1,3)],由H2(ν=0)振转态的Boltzmann分布确定H2(0,3)的密度,由此得到[H2(1,3)]和[H2(1,1)]态的密度.激光诱导荧光光谱(LIF)确定被碰撞激发的Cs2(X1∑+g,ν″=11-15)各态.利用单模半导体激光作瞬时光吸收,对于ν″=11,12,13,14和15,积分吸收系数(单位:106cm-1s-1)分别是6.5,7.9,7.0,6.1和4.7,结合H2(1,3)的密度,得到H2(1,3-Cs2(X1∑+g,ν″)的转移速率系数,对于ν″=11-15,分别是(单位:10-13cm3s-1)1.4±0.6,1.7±0.7,1.5±0.6,1.3±0.5和1.0±0.4.利用吸收线Doppler增宽测量分别得到了Cs2(X1∑+g,ν″=11-15)的平动能.

基于中值滤波-SVD和EMD的声发射信号特征提取

针对随机噪声和脉冲干扰对经验模态分解(EMD)质量的影响,提出中值滤波和奇异值分解(SVD)联合降噪方法,并将其与EMD分解相结合形成一种新的声发射(AE)信号特征提取方法。首先对原始AE信号进行中值滤波,去除幅值较大的异常值;其次对去除异常值的信号序列进行相空间重构和SVD分解,并针对难以确定重构阶数这一问题,提出奇异值能量差分谱概念,利用谱峰的较大值位置来确定重构阶数,以进一步降噪;最后对降噪信号进行EMD分解,以本征模态函数(IMF)的能量占比作为表征各损伤信号的特征向量。数值仿真和5层胶合板损伤的实测数据表明,该方法不仅能够滤除噪声干扰,提高EMD分解的时效性和准确性,而且能够有效地提取出胶合板AE信号特征,对其损伤类型进行有效地识别。

一种不规范的斯特姆-刘维本征值问题

由于端点系有集中质量的弹性杆的振动问题的边界条件不是斯特姆 -刘维本征值问题所要求的边界条件 ,分离变数所得到的函数系 {Xn(x) }不是正交函数系 ,故求解十分困难 .本文提出一种变换 ,将其边界条件化为第一类、第二类或第三类边界条件 ,此时 {Xn(x) }为正交完备函数系 ,问题大为简化 .

质子数Z分别位于Ru之上和之下的A～(100～126)丰中子原子核三轴形变在原子核形状变迁和共存中的重要作用(英文)

基于Ru(Z=44)丰中子同位素中存在最大三轴形变的理论预言和实验证据,综述了近年来Rh(Z=45),Pd(Z=46),Ag(Z=47),Cd(Z=48)(质子数Z位于Ru,Z=44之上)及Zr(Z=40),Nb(Z=41),Mo(Z=42),Tc(Z=43)(质子数Z位于Ru,Z=44之下)的A～(100～126)丰中子同位素中关于三轴形变的形状变迁和形状共存系统性研究的重要进展。252Cf自发裂变瞬发γ射线γ-γ-γ三重符合、特别是新建立的γ-γ-γ-γ四重符合数据的系统观测和研究,在Ru,Pd,Cd和Nb丰中子同位素中显著扩展或首次观测到了一系列能带,为这个核区原子核形状的研究提供了新的、重要的实验数据。联系此前报道的有关进展,使用PES,TRS,PSM,CCCSM和SCTAC理论模型计算拟合新的实验数据,在该核区沿同中素和同位素链,并随自旋和激发能变化各自由度,跟踪原子核形状渐进变化,获得了新的系统性研究成果,显著扩展和深化了人们对原子核形状变迁和形状共存的认知。对于Ru及其上的Rh(Z=45),Pd(Z=46),Ag(Z=47)和Cd(Z=48)丰中子同位素的研究表明:Rh丰中子核具有比最大值稍小的三轴形变,γ=-28°,并在103–106Rh同位素链上鉴别出了手征对称破缺;在三轴形变核112Ru和114Pd(N=68)中发现了三轴原子核的摆动运动,该摆动运动也可能在114Ru(N=70)中存在;观察到了从具有最大三轴形变的110,112Ru中手征破缺到稍小三轴形变的112,114,116Pd中扰动的手征破缺的过渡;在较软的Ag核中观察到了丰富的谱学结构,在104,105Ag中鉴别出了可能的手征对称破缺,在较重的115,117Ag中提出了趋于三轴形变的γ软度;具有小形变的Cd核的能级结构被解释为准粒子耦合、准转动和软三轴形变;最近的库伦激发的研究提供了Z=50,N=82满壳附近122,124,126Cd核中出现核集体性的实验和理论证据;上述研究成果展现出从Ru中的最大三轴形变(γ=-30°,三轴形变极小增益为0.67 Me V),经具有大三轴形变的Rh核(γ=-28°),到Pd核中的稍小、但稳定于中等自旋到高自旋区的三轴形变(γ～-41°,三轴形变极小增益为0.32 Me V),再经Ag核中的γ软度,最后到具有很小形变、但仍出现集体性质、包括软三轴形变的Cd核的过渡。对于Pd核转动带交叉系统性的研究揭示了其第一带交叉(νh11/2)2中子转动顺排的上行γ驱动,和第二带交叉(πg9/2)2质子转动顺排的下行γ驱动效应,成功地解释了114Pd中的三轴摆动运动,并给出了110-118Pd同位素链中理论早已预言、而比早期理论预言更为完整准确的形状渐进变迁和形状共存的图像。根据该核区的系统研究,发现最大三轴形变出现在112Ru,而在相邻的偶Z(Pd)同位素链,三轴形变极小的中心在114Pd,两者均为N=68。上述系统性研究沿相邻的Ru和Pd偶Z同位素链,在N=68同中素中鉴别出最大三轴形变,均比理论预言的108Ru和110Pd多4个中子。在Z值位于Ru(Z=44)之下的Zr(Z=40),Nb(Z=41),Mo(Z=42)and Tc(Z=43)丰中子同位素中,Y和Zr核具有很强的轴对称四极形变,而在较重的Zr同位素中出现了γ自由度;较重的Nb核(A=104～106)基态具有中等程度的软三轴形变和强四极形变,随着自旋和激发能的增加,过渡到接近于轴对称的强四极形变;而较轻的Nb核(A 103)基态均接近轴对称形状;在Nb同位素链上基态由球形到强四极形变的形状突变发生在100Nb(N=59),在100–106Nb同位素链中基态的软三轴形变随中子数增加而增加;在Nb核中还观察到关于软三轴形变的形状共存;Mo核具有大的三轴形变,观察到了γ振动和手征对称破缺;Tc核具有比最大值稍小的三轴形变,γ=-26°,并观察到了手征对称破缺。质子数Z从41到48的A～(100～126)丰中子同位素,特别是Pd和Nb同位素,呈现出关于三轴形变的过渡特征。