利用变分法对卤化银微晶中掺杂中心参数的估算

从量子力学出发利用变分原理采用尝试波函数,探讨了不同情况下卤化银微晶中掺杂中心的势阱深度和捕获半径之间的对应关系。利用得出的结论估算了室温下浅电子陷阱掺杂剂[Fe(CN)6]4-引入的电子陷阱捕获截面为70 A2,而掺杂剂[IrBr6]3-引入的电子陷阱势阱深度为1.07eV。