低噪声放大器的注入损伤效应研究

低噪声放大器是射频前端电路中非常敏感的部分,易受到强电磁环境辐射经天线耦合所产生大电压/电流的影响,出现性能降级甚至损伤击穿等问题。文章以典型低噪声放大器作为研究对象,分别采用连续波和脉冲波信号对低噪声放大器开展注入损伤试验,以其增益作为主要参考参数,研究了低噪声放大器的注入损伤效应。分析了注入信号中心频率、脉冲重复频率和脉冲宽度等参数对低噪声放大器的损伤阈值的影响,旨在为射频电路器件级的电磁安全防护提供参考。

keV量级的N^+注入引起的氨基酸分子损伤

利用电子顺磁共振和红外光谱研究了keV级N+注入到几种固态氨基酸样品中引起的分子结构损伤。结果表明，这一注入导致了分子的严重损伤：分子结构解体，红外吸收普遍降低；产生了大量的碎片，其中自由基碎片的类型和数量随注入离子的剂量发生显著变化；损伤碎片重组，形成了新的化学组合，表现出新的红外吸收峰。

α-Fe自身注入引起的损伤研究(英文)

用27keV的^(57)Fe离子注入金属铁箔,注入剂量在2×10^(16)到5×10^(16)个/cm^2之间。由内转换电子穆斯堡尔谱观察到存在三个铁原子位:未受扰动的α-Fe原子位、同一个空穴相连结的铁原子位、以及同二个或更多空穴相结合的铁原子位。据三种位的铁原子不同的退火行为,得到单空穴迁移的温度和能量分别为100℃和0.9eV左右,空穴的热释放能量大约为1.1eV。

ESD与方波脉冲对集成电路注入损伤的比较研究

采用方波脉冲和ESD脉冲对3种集成电路进行了注入损伤效应实验，目的是比较二者对器件损伤的异同之处。分析时，首先对实验数据作拟合分析，建立起相关的数学模型，然后将模型值和实际值进行比较。可得到结论：实验器件有高压强场致PN结击穿和热效应2种损伤模式。对同一种器件，2种注入方式下的损伤模式相同或类似。方波注入下，各损伤阈值参数可拟合为1个式子来描述它们之间的关系，ESD注入下则还不确定；对同一器件，不同注入方式下的阈值不同，目前结果表明相差2～3倍。

高压注入损伤

高压注入损伤是一种新型创伤,在过去的文献中对此病的讨论极少。本文从病因与损伤机理、病理生理变化、症状与诊断、治疗和预后等方面,用中西医观点进行了讨论。并附一典型病例,说明此病是一种严重复合伤,病初易被忽视,而病变发展常很严重,有导致患手(指)病废或坏死的危险。故强调早期诊断,彻底清创,彻底减压。

N^+注入SOI材料上层硅的注入损伤和退火行为研究

对注N^+形成的SOI材料,在不同条件下注入Si^+,分别使上层硅的表面、与埋层的界面及整个上层硅区域无定形化;再注入B^+:能量为25keV,剂量为1×10^(15)/cm^2,并在500—900℃的温度范围内退火30min。掠角背散射沟道测试表明:上层硅的表面或与埋层的界面区域被无定形化后,在后续热退火过程中分别存在由上层硅的内部向表面及由表面向内的固相外延过程;当上层硅被全部无定形化后,在500—600℃的温度范围内,上层硅由无定形相转变成多晶相,改变退火温度没有出现固相外延过程;扩展电阻测试发现:注入硼杂质在注N^+形成SOI材料上层硅中的激活率比其在单晶硅中的激活率低,利用Si^+注入使上层硅的表面或与理层的界面区域无定形化及在后续热退火过程中的固相外延再生长过程能提高注入硼杂质在注N^+形成SOI材料上层硅中的激活率。

基于功能损伤的装备有效毁伤幅员仿真方法研究

为在装备战斗损伤试验中收集到足够多的有效损伤数据,提出利用装备有效毁伤幅员进行试验场地设置的新方法。建立有效毁伤幅员的求解模型,提出广义毁伤幅员和基于任务的装备功能损伤概率概念。针对广义毁伤幅员的求解,深入研究装备物理损伤建模与仿真问题,主要包括破片毁伤效能模型、面向破片损伤仿真的装备描述模型、装备破片损伤响应模型和装备损伤仿真过程模型。针对装备功能损伤概率的求解,分析装备功能损伤仿真模型的建立方法及步骤,提出装备损伤注入的概念,并对损伤注入的实施方法及步骤进行了分析。仿真实例分析结果表明,所提出的装备有效毁伤幅员求解方法是可行且有效的,对于优化装备战斗损伤试验方案设计、降低试验费效比具有十分重要的现实意义。

低能氮离子注入固态甘氨酸剩余产物的研究

采用２０ｋｅＶＮ＋注入固态甘氨酸（Ｇｌｙ）薄膜。对注入样品的ａ粒子透射能谱以及样品溶于水后溶液的电导率和氨基含量的测量，揭示了低能离子注入的损伤作用具有饱和性。ＸＰＳ测量表明低能Ｎ＋注入Ｇ１ｙ后形成了多种损伤产物，其中Ｃ、Ｎ元素的结合能变化较大，而Ｏ元素所处的化学环境变化很小。

4H-SiC常温Al离子注入技术

通过模拟的方法,研究了n型4H-SiC材料中Al离子注入深度、浓度分布与注入角度、缓冲层厚度、注入能量和剂量的关系。通过不同能量和剂量的组合进行了常温注入实验,注入深度为500 nm,注入浓度均匀分布。注入完成后,以SiC上下夹片的保护方式对SiC样品在1 650和1 750℃两种退火温度下进行激活。研究温度对激活效果的影响,观察注入条件和退火保护方式对SiC样品表面粗糙度的影响。激活完成后,在SiC样品上生长了一层Ni,并进行退火,研究激活浓度对Ni与Al注入形成的p-SiC欧姆接触的影响。实验中用喇曼谱表征注入损伤,用原子力显微镜(AFM)监测退火后表面粗糙度,用霍尔测试表征激活效果。实验结果表明,以4°偏角掠射,用100 nm SiO_2作为缓冲层进行注入,以1 750℃用SiC上下夹片保护进行退火,可以得到表面粗糙度为0.862 nm、激活浓度为4.25×1019 cm^(-3)的p-SiC样品。该方法可用于指导pin二极管、JBS、MOSFET、JFET和BJT等器件的设计。

C_(60)薄膜的离子注入损伤研究

在２００ｋｅＶ重离子加速器上，用１２０—３６０ｋｅＶ的Ｈ，Ｎ，Ａｒ和Ｍｏ离子注入Ｃ６０薄膜．对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析．结果表明，不同离子注入Ｃ６０薄膜后，Ｃ６０的１４６９ｃｍ－１特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降，同时在１３００—１７００ｃｍ－１范围出现非晶碳峰，并逐渐增强，最终完全非晶化．而且１４６９ｃｍ－１拉曼峰的强度及Ｃ６０薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关．进一步的分析表明，Ｃ６０分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成，与电子能量转移无关．Ｈ离子注入Ｃ６０薄膜后，１４６９ｃｍ－１处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽。

氧注入损伤对6HSiC光学性质的影响

ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料，在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了ＳｉＣ 的注入（７０ｋｅＶ，剂量５ ×１０１３ 至５ ×１０１５ｃｍ － ２） 损伤及其对ＳｉＣ光学性质的影响。研究表明，ＳｉＣ的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时，主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收（＜ ２．９ｅＶ），而在剂量较高时，对带间跃迁产生影响。ＳｉＣ是一种重要的宽禁带半导体材料，在高温、高压、高功率及高频器件方面有重要的应用前景。ＳｉＣ中的离子注入无论在基础研究还是在器件工艺中都具有重要的意义。本文研究了ＳｉＣ 的注入（７０ｋｅＶ，剂量５ ×１０１３ 至５ ×１０１５ｃｍ － ２） 损伤及其对ＳｉＣ光学性质的影响。研究表明，ＳｉＣ的表面形貌对离子注入极其敏感。剂量较低时，主要影响晶格缺陷吸收及杂质吸收（＜ ２．９ｅＶ），而在剂量较高时，对带间跃迁产生影响。

半导体激光退火原理

激光退火技术开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料，特别是硅。传统的加热退火技术是把整个工件放在真空炉中，在一定的温度（300°～1200℃）保温退火10～60min。这种方法不能完全消除存在其中的缺陷，导致材料性能下降，基体发生分解，掺杂物质析出或污染表面等。20世纪80年代初期，激光退火的研究已相当活跃，经过20多年来不断发展，该技术的功能和用途得到了极大的拓宽。