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DSP芯片TMS320VC5402的并行自举加载方法
1
作者
孙军英
刘波粒
《电子元器件应用》
2007年第11期21-24,共4页
针对存储在TMS320VC5402 DSP芯片内部DARAM中的程序掉电丢失问题,配合FLASH芯片SST39VF400A,给出了一种DSP并行自举加载模式的硬件电路,同时给出了其软件编程代码。
关键词
TMS320VC5402
SST39VF400A
自举加载
FLASH芯片
数据存储
掉电丢失
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职称材料
一种基于Nandflash的实时数据存储方案设计
被引量:
4
2
作者
李秋华
周强
+3 位作者
文继锋
姜晓光
吴相楠
花俊
《工业控制计算机》
2016年第7期70-71,共2页
介绍了一种基于Nandflash的低成本实时数据存储方案,建立DRAM缓存并向应用提供直接内存访问接口,建立内存数据与Nandflash中数据的动态映射关系,周期将内存内变化数据回写到Nandflash,实现了数据实时存储并且掉电不丢失,满足了电力系统...
介绍了一种基于Nandflash的低成本实时数据存储方案,建立DRAM缓存并向应用提供直接内存访问接口,建立内存数据与Nandflash中数据的动态映射关系,周期将内存内变化数据回写到Nandflash,实现了数据实时存储并且掉电不丢失,满足了电力系统控制保护装置变位、动作等重要事件存储要求,具有较好的推广价值。
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关键词
实时存储
NANDFLASH
掉电
不
丢失
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职称材料
题名
DSP芯片TMS320VC5402的并行自举加载方法
1
作者
孙军英
刘波粒
机构
河北师范大学电子系
出处
《电子元器件应用》
2007年第11期21-24,共4页
基金
河北省科技厅科技攻关基金资助项目(04213527)
文摘
针对存储在TMS320VC5402 DSP芯片内部DARAM中的程序掉电丢失问题,配合FLASH芯片SST39VF400A,给出了一种DSP并行自举加载模式的硬件电路,同时给出了其软件编程代码。
关键词
TMS320VC5402
SST39VF400A
自举加载
FLASH芯片
数据存储
掉电丢失
分类号
TN911.72 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
一种基于Nandflash的实时数据存储方案设计
被引量:
4
2
作者
李秋华
周强
文继锋
姜晓光
吴相楠
花俊
机构
南京南瑞继保电气有限公司
出处
《工业控制计算机》
2016年第7期70-71,共2页
文摘
介绍了一种基于Nandflash的低成本实时数据存储方案,建立DRAM缓存并向应用提供直接内存访问接口,建立内存数据与Nandflash中数据的动态映射关系,周期将内存内变化数据回写到Nandflash,实现了数据实时存储并且掉电不丢失,满足了电力系统控制保护装置变位、动作等重要事件存储要求,具有较好的推广价值。
关键词
实时存储
NANDFLASH
掉电
不
丢失
Keywords
real-time storage,Nandflash,non-volatile
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
DSP芯片TMS320VC5402的并行自举加载方法
孙军英
刘波粒
《电子元器件应用》
2007
0
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职称材料
2
一种基于Nandflash的实时数据存储方案设计
李秋华
周强
文继锋
姜晓光
吴相楠
花俊
《工业控制计算机》
2016
4
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