单一取向Cu_2O纳米棒的一种工业制备技术

作为一种直接带隙p型半导体材料,Cu2O在很多工业领域都有良好的应用前景,而Cu2O纳米棒因其一维纳米几何而具有更诱人的性能。然而缺少低成本的制备方式限制了Cu2O纳米棒的工业应用。为了解决这个问题,我们探索了热蒸发掠射角沉积加后退火处理的制备方法,成功获得了取向一致的多晶Cu2O纳米棒阵列薄膜,为Cu2O及类似材料的纳米棒薄膜的大规模工业化生产找到了一种低成本的制备技术。

Spindt型阴极的研制

本文概述Ｓｐｉｎｄｔ型阴极的发展水平及其应用，介绍了在我们现在有工艺条件下，研制Ｓｐｉｎｄｔ型阴极的情况。利用改装的蒸发沉积设备及射频磁控溅射技术在基片上的微孔阵列中制作发射尖锥，以制成场发射阴极。在真空条件下测量了该阴极的发射特性，并利用这种平面阴极制作了荧光屏显示原理性样管显示出足够亮度的光点；在此基础上，对该阴极在平板显示器件上的应用提出了一个设计，对实现这一设计的材料和工艺作了论证．