掠角沟道和背散射分析钇离子注入硅合成硅化钇的结构

Ｙ离子注入硅得到特性优良的硅化钇薄层。采用高深度分辨率的掠角背散射和掠角沟道技术分析了注入层结构．结果发现注入层是具有不同晶格畸变密度的三层结构：表面层为１００－１２０ｎｍ厚的连续多晶硅化钇，对于注入束流密度为２５、５０μＡ／ｃｍ２的晶格畸变密度分别为２５％和５２％；中间层是高密度的缺陷区；底层是１２０ｎｍ厚的低密度晶格畸变区，其晶格畸变率从１８％下降至５％。用掠角沟道和掠角背散射都能得到Ｙ与硅原子比深度分布，这对于Ｙ离子注入硅合成钇的硅化物种类提供了重要信息．