基于蒙特卡罗方法的HPGe探测器模型参数优化方法研究

本文提供了一种用于HPGe探测器蒙卡模型优化的方法和操作流程,目的在于使探测器蒙卡模型优化工作有序化和简易化,避免重复和无用的模拟计算工作量。本文利用MCNP模拟和实验相结合的方式对HPGe探测器晶体顶端和侧面死层厚度进行了修正,利用锗晶体顶端和侧面死层对不同能量段射线影响程度的差异,初步计算了两处死层厚度,然后通过枚举法进一步确定符合预设要求的最优解,结果10个不同测量位点处效率模拟计算结果和实验测量结果的相对偏差均方根均小于5%,此结果表明该方法对HPGe探测器蒙卡模型优化工作有效且可行。