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长波GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器
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作者 崔大复 《量子电子学报》 CAS CSCD 1992年第1期18-19,共2页
随着分子束外延技术的日益成熟,以及对导带内子带间光学跃迁性质的深入研究,GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的研制已引起人们的高度重视。该探测器的响应波段从8μm至14μm,具有响应速度快(皮秒量级),灵敏度高(D<sup>*</sup>... 随着分子束外延技术的日益成熟,以及对导带内子带间光学跃迁性质的深入研究,GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的研制已引起人们的高度重视。该探测器的响应波段从8μm至14μm,具有响应速度快(皮秒量级),灵敏度高(D<sup>*</sup>~10<sup>10</sup>cmHz<sup>1/2</sup>/W),峰值波长可通过改变材料的生长参数(如阱宽、垒高、合金含量等)而调节的特点。 展开更多
关键词 红外探测 量子阱探测 GAAS/ALGAAS 分子束外延技术 响应时间 焦平面列阵 生长参数 光学跃迁 峰值波长 探测率d
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湿热环境下PbS光导探测器性能及可逆性研究
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作者 陈凤金 司俊杰 施正风 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第12期3713-3717,共5页
红外探测器在某些特殊环境的应用对探测器的可靠性提出了新的要求。为研究湿热环境对Pb S探测器性能的影响,叙述了Pb S薄膜的化学水浴制备方法及Pb S薄膜形貌、性能测试及干-湿环境交替试验的过程,阐述了Pb S探测器芯片经干-湿热环境试... 红外探测器在某些特殊环境的应用对探测器的可靠性提出了新的要求。为研究湿热环境对Pb S探测器性能的影响,叙述了Pb S薄膜的化学水浴制备方法及Pb S薄膜形貌、性能测试及干-湿环境交替试验的过程,阐述了Pb S探测器芯片经干-湿热环境试验后暗阻、噪声和D*探测率的变化情况。充分湿热后,Pb S的暗阻增大,而充分干燥后,暗阻值又回落。暗阻值随干-湿环境交替变化而变化并具有一定的可逆性。Pb S探测器芯片暗阻的这种变化,是因Pb S颗粒在湿热环境下吸附H_2O等因素产生的电阻△R与Pb S颗粒的电阻R_0构成一个等效的串联电阻,△R随着Pb S芯片在湿热环境时间的长短或者在干燥环境而变化,形成一种类似于可调节状态的可变电阻。干-湿环境对Pb S探测器噪声影响的变化趋势与其对暗阻值影响的变化趋势一致,而对D*探测率影响的变化趋势与之相反。 展开更多
关键词 湿热环境 PBS 光导 d探测 可逆性 吸附
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