两种薄层电阻测试系统探针游移误差的对比分析

从理论上分析方形四探针和直线四探针薄层电阻测试方法中探针游移所造成的系统偏差,推导出计算游移偏差的公式,并作图展示探针游移后的电阻与理想值之比的分布情况,分析了两种四探针测试方法出现最大误差的情况。用方形四探针测试方法不仅比普通直线四探针测试方法所测量的微区小,而且方形四探针测量的游移偏差小于直线四探针测量所产生的偏差。经试验发现,实际测试过程中,方形四探针只要在合理压力范围内,探针游移完全在合理范围内,能够保证测试的准确性。

探针游移对方形四探针测试仪测量硅片薄层电阻的影响分析

分析方形四探针探针游移对其测量微区薄层电阻的影响,完成了测试薄层电阻的公式的推导,对游移后产生的误差影响进行了统计数据分析,得出了测试结果满足测试误差要求的结论。

无测试图形薄层电阻测试仪及探针定位

研制出检测 U L SI芯片的薄层电阻测试仪 ,可用于测试无图形样片电阻率的均匀性 ,用斜置的方形四探针法 ,经显微镜、摄像头及通信口接入计算机 ,从计算机显示器观察 ,用程序及伺服电机控制平台和探针移动 ,使探针处于规定的位置 ,实现自动调整、测试 ;对测试系统中的探针游移造成的定位误差进行分析 ,推导出探针游移产生误差的计算公式 ,绘制了理论及实测误差分布图 ;测出无图形 10 0 m m样品电阻率 ,并绘制成等值线 Mapping图 .

用改进的Rymaszewski公式及方形四探针法测定微区的方块电阻

提出用改进的Rymaszewski公式并使用方形四探针法测试无图形大型硅片微区薄层电阻的方法 ,从理论上推导出方形四探针产生游移时的Rymaszewski改进公式 ,讨论探针游移对测试结果的影响 .制定出可操作的测试方法 ,对实际样品进行测试验证 。