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Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级
1
作者
李书平
王仁智
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期586-590,共5页
基于第一原理赝势能带计算,采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属 本征半导体的接触势垒高度.文中用于确定接触势垒高度的"本征半导体基态费米能级ESF,i"...
基于第一原理赝势能带计算,采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属 本征半导体的接触势垒高度.文中用于确定接触势垒高度的"本征半导体基态费米能级ESF,i"不同于半导体物理中所指的"本征费米能级Ei".n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒,三者在接触界面附近的费米能级都是"钉扎"于本征半导体基态费米能级ESF,i,是此三者的接触势垒高度大致相同的原因.
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关键词
Schottky
势垒
电中性能级
平均键能
费米能级
半导体
接触势垒高度
第一原理赝势能带计算
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职称材料
题名
Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级
1
作者
李书平
王仁智
机构
厦门大学物理学系
出处
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期586-590,共5页
基金
厦门大学校级自选课题(Y07010)资助
文摘
基于第一原理赝势能带计算,采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属 本征半导体的接触势垒高度.文中用于确定接触势垒高度的"本征半导体基态费米能级ESF,i"不同于半导体物理中所指的"本征费米能级Ei".n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒,三者在接触界面附近的费米能级都是"钉扎"于本征半导体基态费米能级ESF,i,是此三者的接触势垒高度大致相同的原因.
关键词
Schottky
势垒
电中性能级
平均键能
费米能级
半导体
接触势垒高度
第一原理赝势能带计算
Keywords
Schottky barrier
charge-neutrality level
average-bond-energy
Fermi level
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级
李书平
王仁智
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2003
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职称材料
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