期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
功率MOSFET接触孔注入退火工艺对激活效果及器件性能的影响
1
作者
颜树范
《电子技术(上海)》
2023年第5期38-41,共4页
阐述接触孔大剂量离子注入会引起颗粒问题,而离子注入剂量太小会导致背栅效应,引起开启电压不可控。本文通过仿真探索接触孔离子注入退火后的激活效果,并通过实验验证不同注入条件及退火条件对器件的影响,试图找到合适的工艺窗口。
关键词
集成电路制造
功率MOSFET
接触
孔
注入
接触孔退火
离子激活
原文传递
题名
功率MOSFET接触孔注入退火工艺对激活效果及器件性能的影响
1
作者
颜树范
机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司二厂工程一部
出处
《电子技术(上海)》
2023年第5期38-41,共4页
文摘
阐述接触孔大剂量离子注入会引起颗粒问题,而离子注入剂量太小会导致背栅效应,引起开启电压不可控。本文通过仿真探索接触孔离子注入退火后的激活效果,并通过实验验证不同注入条件及退火条件对器件的影响,试图找到合适的工艺窗口。
关键词
集成电路制造
功率MOSFET
接触
孔
注入
接触孔退火
离子激活
Keywords
integrated circuit manufacturing
power MOSFET
contact implant
contact thermal anneal
ion activation
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
功率MOSFET接触孔注入退火工艺对激活效果及器件性能的影响
颜树范
《电子技术(上海)》
2023
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部