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插接式的气体绝缘母线接触退化实验研究
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作者 董哲 秦靖舒 +1 位作者 彭辉 关向雨 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2021年第8期61-68,共8页
插接式的气体绝缘母线(gas insulated bus,GIB)触头是大电流、非空气介质下的电接触理论在工程上的典型应用,触头通过导电杆与触指间的滑动接触来克服因导体热胀冷缩产生的热应力。设备长期运行过程中因导电杆滑动而产生的摩擦磨损直接... 插接式的气体绝缘母线(gas insulated bus,GIB)触头是大电流、非空气介质下的电接触理论在工程上的典型应用,触头通过导电杆与触指间的滑动接触来克服因导体热胀冷缩产生的热应力。设备长期运行过程中因导电杆滑动而产生的摩擦磨损直接影响触头的电接触性能。为揭示大电流、非空气介质下GIB触头的接触退化机理,文中首先对GIB触头接触模型进行简化,接着搭建了简化接触模型试样的载流摩擦试验平台,基于该平台开展了不同气体介质、接触压力和电流载荷下GIB触头试样的摩擦试验,通过高精度万用表获取了摩擦过程中试样接触电阻,并利用光学轮廓仪和SEM/EDS测量了试验后样品的摩擦磨损程度及表面能谱。试验和测量结果表明,非空气介质下,在一定限度内,随着接触压力和电流载荷的增大触头的接触电阻呈现下降趋势;同一运行条件,相比于空气介质下的电接触,非空气接触下试样表面的摩擦磨损程度较低。文中的研究结果可为其他大电流、非空气介质下的电接触设备退化预测提供参考。 展开更多
关键词 插接式 气体绝缘母线触头 大电流非空气 接触退化 载流摩擦试验
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微波MESFET_s中金属-GaAs相互作用及接触退化(续)
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作者 ENRICO ZANONI ALESSANDRO CALLEGARI 李志国 《电子产品可靠性与环境试验》 1995年第6期19-25,共7页
4 欧姆接触的退化 源和漏欧姆接触电阻直接影响着寄生串联电阻R<sub>s</sub>和R<sub>d</sub>,并由此而影响器件的特征参数如I<sub>dss</sub>,g<sub>m</sub>,P<sub>o</sub>... 4 欧姆接触的退化 源和漏欧姆接触电阻直接影响着寄生串联电阻R<sub>s</sub>和R<sub>d</sub>,并由此而影响器件的特征参数如I<sub>dss</sub>,g<sub>m</sub>,P<sub>o</sub>,N<sub>F</sub>等。 GaAs上的欧姆接触最常采用的是Au-Ge-Ni合金系统,因为它能提供高频、大功率应用所需的低接触电阻(0.1-0.5Ωmm)。 表4总结了对试验样品的Au-Ge-Ni欧姆接触进行研究得出的最新结论。接触电阻的增加归因于四种效应:(1)Au对Ga的过量吸杂作用造成Ga外扩散,在接触下产生一个电阻率较高、成份失配的多缺陷区域。在最上面的Au层和Au-Ge-Ni之间加入合适的扩散阻挡层可以减少这种影响。(2)覆盖层结构会对接触产生不利影响,这可能是由于有互扩散的原因。(3)Au和Ni的内扩散会降低接触区下面半导体的掺杂浓度。(4)热退火会使NiAs(Ge)或Ni<sub>2</sub>GeAs晶相和GaAs之间的接触面积减小。 展开更多
关键词 砷化镓 MESFETS 接触退化
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射频同轴连接器电接触表面腐蚀退化影响研究
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作者 方庆山 金敦水 《新余学院学报》 2020年第6期36-39,共4页
选取2.92 mm射频同轴连接器作为研究对象,研究了电接触表面腐蚀退化机理,根据连接器的结构尺寸和材料参数,在CST软件中建立了不同腐蚀程度的三维电磁场仿真模型,对散射参数和电压驻波比进行了仿真分析,研究结果较好地反映了不同程度腐... 选取2.92 mm射频同轴连接器作为研究对象,研究了电接触表面腐蚀退化机理,根据连接器的结构尺寸和材料参数,在CST软件中建立了不同腐蚀程度的三维电磁场仿真模型,对散射参数和电压驻波比进行了仿真分析,研究结果较好地反映了不同程度腐蚀退化对不同频率信号传输的影响情况。研究结论对射频同轴连接器的设计及故障诊断有着重要意义。 展开更多
关键词 射频同轴连接器 接触退化 散射参数 电压驻波比
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振动环境下电连接器接触性能退化机理 被引量:15
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作者 骆燕燕 张乐 +1 位作者 孟凡斌 郝杰 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第16期1952-1957,共6页
针对电连接器金属接触件在交变振动应力作用下易产生应力松弛及微动磨损现象,从而降低电连接器接触可靠性的问题,建立了电连接器接触件数学模型;设计了电连接器振动试验方案和测试电路并进行了试验;分析了电连接器的接触性能退化机理。... 针对电连接器金属接触件在交变振动应力作用下易产生应力松弛及微动磨损现象,从而降低电连接器接触可靠性的问题,建立了电连接器接触件数学模型;设计了电连接器振动试验方案和测试电路并进行了试验;分析了电连接器的接触性能退化机理。试验中,试品接触件接触电阻随振动次数的增加而缓慢增大,接触电阻的波动量与振幅和频率相关。试验后,电连接器的插孔孔径增大,插拔力有增有减。由此可知:应力松弛和微动磨损现象是导致电连接器接触性能退化的两个主要因素,插孔中晶粒尺寸减小及滑移线密度的增加是插孔出现应力松弛的根本原因。 展开更多
关键词 电连接器 振动 微动磨损 应力松弛 接触性能退化机理 金相分析
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n-GaAsTi/Mo/Ti/Au中肖特基势垒接触稳定性的研究
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作者 李志国 赵瑞东 +6 位作者 程尧海 吉元 郭伟玲 孙英华 李学信 张斌 吕振中 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第2期40-47,共8页
对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了高温反偏(HTRB)、高压反偏(HRB)、高温正向大电流(HFGC)、高温存贮(HTS)4种不同的应力试验。通过HRB,φb从0.64eV减少到0.62e... 对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了高温反偏(HTRB)、高压反偏(HRB)、高温正向大电流(HFGC)、高温存贮(HTS)4种不同的应力试验。通过HRB,φb从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大,HTS试验中φb从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明,其主要的失效模式为烧毁,同时,SEM观察中也有电徙动及断栅现象发生。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面出现模糊,有明显的互扩散和反应发生。 展开更多
关键词 砷化镓 肖特基势垒 接触退化
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Analysis of the Correlation between the Level of Contact Degradation and the Dynamic Resistance Curve in Circuit Breakers 被引量:2
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作者 Ronimack Trajano de Souza Edson Guedes da Costa 《Journal of Energy and Power Engineering》 2014年第6期1104-1111,共8页
The DRM (dynamic contact resistance measurement) in high voltage circuit breakers is a manner of evaluating the internal ageing condition of the chamber. DRM is similar to static contact resistance measurement testi... The DRM (dynamic contact resistance measurement) in high voltage circuit breakers is a manner of evaluating the internal ageing condition of the chamber. DRM is similar to static contact resistance measurement testing, but instead of measuring a single value when the breaker contacts are closed (static value), the ohmic resistance is measured at various contact positions, from the beginning of the contact opening until a complete separation of the contacts. The relationship between the contact resistances of the new circuit breaker and the ageing circuit breaker in operation provides subsidy for the evaluation of both the main and arcing contact conditions. This research aims to analyze the correlation between the various levels of degradation of the contacts and the configuration of the DRM curve. This work considers curve samples from new acceleration tests. breaker chamber contacts and different levels of degradation by 展开更多
关键词 DRM (dynamic contact resistance measurement) circuit breaker dynamic resistance contact resistance resistance curve.
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