期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
用于射频领域的高调节范围MEMS压控电容 被引量:6
1
作者 梁雪冬 刘泽文 +1 位作者 刘理天 李志坚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第3期252-254,共3页
在分析了传统平行极板MEMS压控电容的基础上,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容。与传统的平行极板电容不同的是,它由三对极板构成。其中一对是起电容作用的极板,另外两对是控制极板。交流信号通过电容极板传输,而直流控制电压施... 在分析了传统平行极板MEMS压控电容的基础上,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容。与传统的平行极板电容不同的是,它由三对极板构成。其中一对是起电容作用的极板,另外两对是控制极板。交流信号通过电容极板传输,而直流控制电压施加在控制极板上。使用有限元分析软件Ansys对该电容进行了模拟,得出其调节范围达214%,大大超出了传统的平行极板电容在调节范围上的自然限制(50%)。另外,设计了该电容的工艺流程。其工艺流程较简单,很容易集成在标准的RF电路中。 展开更多
关键词 MEMS压控电容 崩塌效应 控制极板 悬臂梁 牺牲层
下载PDF
Improvement of Electrical Performance of SOI-LIGBT by Resistive Field Plate
2
作者 杨洪强 韩磊 陈星弼 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1014-1018,共5页
The electrical performance including breakdown voltage and turn-off speed of SOI-LIGBT is improved by incorporating a resistive field plate (RFP) and a p-MOSFET.The p-MOSFET is controlled by a signal detected from a p... The electrical performance including breakdown voltage and turn-off speed of SOI-LIGBT is improved by incorporating a resistive field plate (RFP) and a p-MOSFET.The p-MOSFET is controlled by a signal detected from a point of the RFP.During the turning-off of the IGBT,the p-MOSFET is turned on,which provides a channel for the excessive carriers to flow out of the drift region and prevents the carriers from being injected into the drift region.At the same time,the electric field affected by the RFP makes the excessive carriers flow through a wider region,which almost eliminates the second phase of the turning-off of the SOI-LIGBT caused by the substrate bias.Faster turn-off speed is achieved by above two factors.During the on state of the IGBT,the p-MOSFET is off,which leads to an on-state performance like normal one.At least,the increase of the breakdown voltage for 25% and the decrease of the turn-off time for 65% can be achieved by this structure as can be verified by the numerical simulation results. 展开更多
关键词 resistive field plate dynamic controlled anode-short turn-off time breakdown voltage forward voltage drop
下载PDF
改善数据质量、提高密封效率和缩短测试时间的第二代LWD地层压力测试技术
3
作者 安涛 赵平 《国外油田工程》 2008年第1期49-52,共4页
在过去的3年中,第一代LWD地层压力测试技术在很多地方得到了应用。研发第二代压力测试系统的动力是业界需要在任何环境条件下都可以直接进行随钻地层压力测试而不需要地面干涉,井眼尺寸介于0·15--0·45m之间。在致密地层、未... 在过去的3年中,第一代LWD地层压力测试技术在很多地方得到了应用。研发第二代压力测试系统的动力是业界需要在任何环境条件下都可以直接进行随钻地层压力测试而不需要地面干涉,井眼尺寸介于0·15--0·45m之间。在致密地层、未压实砂岩层段以及放置马达的环境中进行压力测试现在已经得到解决。在这些环境中进行压力测试所面临的挑战是密封并保持良好,从而获取高质量数据。所探讨的技术允许在取下电泵时进行独立和连续的测试周期控制。极板压力采用智能关闭循环控制技术,可以优化密封效率,为重复测试"损坏的密封"节约了重要时间,从而避免了地层损害。精确的测试功能可以降低仪器放入致密层时产生的冲击影响,同时也可以在未压实地层防止出砂。运行优化后的自学习测试程序改善了压力和流度数据的测试精度。在Statoil的Heidrun油田和Hydro的Oseberg油田,第二代随钻地层压力测试可以提供流体界面和梯度,通过随时更新孔隙压力模型和评估储层的连通性,这些数据还可用于ECD管理。在所给实例中,密封效率得到了极大提高。在某些情况下可与电缆测试数据相比拟,即使测试环境恶劣也是如此。效率的提高为运营商节约了时间和成本,从而可在大位移钻井的长井段中采集压力和流度数据。 展开更多
关键词 随钻测井 地层压力测试 最优化测试程序 智能极板控制 智能井下系统
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部