基于控阈技术的四值电流型CMOS电路设计

以开关信号理论为指导 ,对电流型 CMOS电路中如何实现阈值控制进行了研究 .建立了实现阈值控制电路的电流传输开关运算 .在此基础上 ,设计了具有阈值控制功能的电流型 CMOS四值比较器、全加器及锁存器等电路 .通过对开关单元实施阈值控制后 ,所设计的电路在结构上得到了非常明显的简化 ,在性能上也获得了优化 .PSPICE模拟验证了所提出的电路具有正确的逻辑功能并且较之以往设计具有更好的瞬态特性和更低的功耗 .

基于开关信号理论的电流控阈技术及I^2L施密特电路

本文在开关－信号理论的指导下，采用电流信号表示逻辑值，对Ｉ２Ｌ电路中如何实现阈值控制进行了研究．在此基础上，提出了实现阈值控制电路的接地开关运算表示式，并用于设计相应的三值Ｉ２Ｌ施密特反相器电路．用ＰＳＰＩＣＥ程序模拟证明了所设计的电路具有理想的施密特电路特性．

基于开关信号理论的控阈技术与三值ECL施密特电路

基于开关信号理论 ,本文对ECL电路中的阈值控制进行了研究 ,建立了用于描述施密特电路中阈值可控开关工作过程的数学表示式。在此基础上设计了具有二次跳阈反应的三值ECL施密特电路。

基于控阈技术的电流型CMOS全加器的通用设计方法

利用电流信号的阈值易于控制这一特点 ,对电流型CMOS电路中如何实现阈值控制进行了研究 .以开关信号理论为指导 ,建立了实现阈值控制电路的电流传输开关运算并具体指导设计了具有阈值控制功能的二值和多值电流型CMOS全加器 .提出了适用于任意逻辑值的可控阈电流型CMOS全加器的通用设计方法 .通过对开关单元实施阈值控制后 ,所设计的电路在结构上得到了非常明显的简化 ,在性能上也获得了改善 .最后给出了采用 0 2 5 μmCMOS工艺参数的HSPICE模拟结果及其能耗比较 .

基于控阈技术的电流型CMOS多值ADC电路设计

本文利用传输电流开关理论对多值A/D转换器进行了理论分析,设计了基于数字电路设计理论中控阈技术的电流型CMOS多值A/D转换器电路,计算机模拟表明该电路设计具有正确的逻辑功能。利用该设计方法可避免模拟信号的复杂处理,显著地简化了电路结构,提高了A/D转换的信息密度。

基于控阈技术的并行式A/D转换器设计

该文将数字电路设计中空间-时间等效思想及阈值控制技术两者引入A/D转换器的设计,所设计出的A/D转换器在保证较高速度的同时具有相对简单的电路结构。

电流控阈技术及二值I^2L施密特电路设计

电流控阈技术及二值Ｉ~２Ｌ施密特电路设计黄瑞祥，杭国强（杭州大学电子工程系杭州３１００２８）在数字电路中，以往对施密特电路的分析与研究大多局限于用电压信号来表示逻辑值的电路，例如ＴＴＬ、ＣＭＯＳ、ＥＣＬ等电路［１－３］．然而，对于以电流为信号的电流型?..

基于多值逻辑方法的二值神经元MOS电路设计技术

提出一种通过引入多值求和信号指导设计二值神经元MOS电路的方法.对每个神经元MOS管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示.在此基础上设计了实现常用二变量逻辑函数的神经元MOS电路和全加器等电路.采用所提出的方法综合得到的电路结构十分简单,而且很容易确定各耦合电容之间的取值比例.设计结果同时表明,利用浮栅电压信号易于实现求和的优点,通过引入求和辅助变量可显著简化对电路的综合过程.采用TSMC0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性.

三值电压型CMOS施密特电路研究

首先对二值ＣＭＯＳ施密特电路的设计思想进行了分析，指出设计施密特电路的关键为阈值控制电路。根据三值ＣＭＯＳ电路有两个信号检测阈的特点，提出了通过文字电路将两个检测阈分离后进行分别控制并由文字电路的输出去控制ＣＭＯＳ传输门的设计方法，由此设计了三值ＣＭＯＳ施密特反相器。

采用多输入浮栅MOS器件的四值编-译码电路设计

提出一种采用多输入浮栅MOS管设计具有可控阈值功能的电压型多值逻辑电路的方法.对每个浮栅MOS管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示以实现有效综合。在此基础上提出了一种新的电压型多输入浮栅MOS四值编码器和译码器设计。所提出的电路在结构上得到了非常明显的简化,并可采用标准的双层多晶硅CMOS工艺予以实现。此外,这些电路具有逻辑摆幅完整、延迟小等特点。采用TSMC0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性。

三值电流型CMOS全加器的改进设计

以开关信号理论为指导,对电流型CMOS电路中如何实现阈值控制进行了讨论.建立了实现阈值控制电路的电流传输开关运算.在此基础上设计了具有阈值控制功能的电流型CMOS三值全加器.通过对开关单元实施阈值控制后,所设计的电路在结构上得到了非常明显的简化,在性能上也获得了优化.HSPICE模拟验证了所提出的电路具有正确的逻辑功能,并且较之以往设计具有更好的瞬态特性和更低的功耗.

基于神经元MOS器件的施密特触发器设计

为实现施密特触发器低功耗、回差可控,将神经元MOS器件的控阈技术用于施密特触发器的设计中,设计出基于神经元MOS器件的施密特触发器,并且进一步提出了外部可控回差的施密特触发器的设计.通过HSPICE对电路进行模拟,实验表明此设计仅需2个MOS管,功耗降低30%.并且这种通过改变外部电压值调整回差电压大小的方法比以往的方法更为方便实用.