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题名高功率窄脉宽半导体激光激励器设计
被引量:11
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作者
阎得科
孙传东
冯莉
何浩东
朱少岚
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机构
中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室
中国科学院研究生院
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出处
《应用光学》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期165-169,共5页
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文摘
为了获得高功率窄脉宽半导体激光,设计了半导体激光器相应的激励单元,论述MOSFET作为高速开关的工作机理,分析基于MOSFET作为高速开关产生窄的大电流脉冲的电路模型。为了使MOSFET开关速度尽可能快,根据前述分析,提出推挽式MOSFET栅极驱动方式并设计了触发窄脉冲的发生电路。当激光二极管接入放电回路时,实验表明:激光二极管输出光的峰值功率可达67.5 W,脉宽约为20 ns。最后,简要分析了影响光脉冲宽度的因素。
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关键词
能量压缩技术
MOSFET高速开关
推挽式驱动
窄脉冲
高功率激光
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Keywords
power compression technology
fast MOSFET switch
push-pull driving
narrow pulse
high power laser
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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题名高度集成的推挽式FET驱动器
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出处
《电子设计技术 EDN CHINA》
2005年第8期120-120,共1页
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文摘
Maxim推出推挽式FET驱动器.MAX5075/MAX5077,这两款器件内部集成振荡器,具有可编程时钟输出,可用于同步外部PWM控制器。振荡频率通过外部电阻在50kHz~1.5MHz范围内设置。MAX5075有三个版本,其时钟输出与MOSFET驱动器的频率比分别为1倍、2倍、4倍。MAX5077的时钟输出与MOSFET驱动器频率比可通过两个逻辑电平引脚设置为1倍、2倍、4倍。这些驱动器是设计高效、电流反馈隔离电源所必须的基本结构,适用于电信和网络线卡。
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关键词
振荡器
振荡频率
推挽式FET驱动器
集成
Maxim公司
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分类号
TN752
[电子电信—电路与系统]
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