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推进氧化制程对芯片参数均匀性的影响与改善
1
作者
周继瑞
张朔
+1 位作者
许宗瑞
李素华
《河南科技》
2018年第17期56-58,共3页
为保证商用芯片生产具有高效率、 高质量和可靠性, 对某型号芯片的工艺制程进行深入探究, 在关键影响因子的改进方面采取针对性措施, 极大改善了该型芯片在每一生产批晶圆中的参数分布均匀性.
关键词
商用芯片
参数均匀性
推进氧化制程
可靠性
良率与成本控制
下载PDF
职称材料
题名
推进氧化制程对芯片参数均匀性的影响与改善
1
作者
周继瑞
张朔
许宗瑞
李素华
机构
河南芯睿电子科技有限公司
出处
《河南科技》
2018年第17期56-58,共3页
文摘
为保证商用芯片生产具有高效率、 高质量和可靠性, 对某型号芯片的工艺制程进行深入探究, 在关键影响因子的改进方面采取针对性措施, 极大改善了该型芯片在每一生产批晶圆中的参数分布均匀性.
关键词
商用芯片
参数均匀性
推进氧化制程
可靠性
良率与成本控制
Keywords
commercial chip
parameter uniformity
advance oxidation process
reliability
yield and cost control
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
发文年
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1
推进氧化制程对芯片参数均匀性的影响与改善
周继瑞
张朔
许宗瑞
李素华
《河南科技》
2018
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