顶部电离层是指F2层电子密度最大值所在高度以上的电离层区域。掩星观测能够提供地面到低轨卫星轨道高度处的整个电离层电子密度剖面,对于顶部电离层的研究具有重要作用。标高是构建顶部以上电离层电子密度剖面模型的重要参数。本文使用...顶部电离层是指F2层电子密度最大值所在高度以上的电离层区域。掩星观测能够提供地面到低轨卫星轨道高度处的整个电离层电子密度剖面,对于顶部电离层的研究具有重要作用。标高是构建顶部以上电离层电子密度剖面模型的重要参数。本文使用2007—2020年的气象、电离层和气候星座观测系统(Constellation Observing System for Meteorology,Ionosphere and Climate,COSMIC)掩星观测数据,提取有效电子密度剖面数据的顶部标高,分析了其随地方时、季节、经纬度和太阳活动水平的变化特性。结果表明:顶部标高具有明显的日变化和季节变化规律,并且表现出强烈的太阳活动依赖性;顶部标高在纬度上的变化强烈依赖于地方时,同时在东西经向上表现出明显的波状结构,且这种经度波状结构在南北半球具有不同的形态;顶部标高在夏季半球具有显著的东西经向差异,南半球夏季更为明显。展开更多
Invar合金是制备精细金属掩模板(Fine Metal Mask,简称FMM)的重要基材,其纯净度直接影响FMM的质量以及有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode,简称OLED)技术的发展水平。首先概述了FMM的主要制备技术,介绍了对FMM基材Invar合金的...Invar合金是制备精细金属掩模板(Fine Metal Mask,简称FMM)的重要基材,其纯净度直接影响FMM的质量以及有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode,简称OLED)技术的发展水平。首先概述了FMM的主要制备技术,介绍了对FMM基材Invar合金的质量要求,并对国产Invar合金箔和国外进口Invar合金箔内的夹杂物进行了表征分析。结果表明,国产Invar合金箔的纯净度与进口Invar合金箔相比,仍存在很大的差距,主要体现在夹杂物的尺寸和数量等方面。为实现OLED配套产业全国产化,攻克Invar合金的近零夹杂难题,开发新型制备技术是关键突破点。最后详细论述了超重力技术在Invar合金除杂方面的研究成果和电铸Invar合金箔应用的可行性,并指出超重力技术和电铸技术有望解决近零夹杂金属材料的制备难题。展开更多
文摘顶部电离层是指F2层电子密度最大值所在高度以上的电离层区域。掩星观测能够提供地面到低轨卫星轨道高度处的整个电离层电子密度剖面,对于顶部电离层的研究具有重要作用。标高是构建顶部以上电离层电子密度剖面模型的重要参数。本文使用2007—2020年的气象、电离层和气候星座观测系统(Constellation Observing System for Meteorology,Ionosphere and Climate,COSMIC)掩星观测数据,提取有效电子密度剖面数据的顶部标高,分析了其随地方时、季节、经纬度和太阳活动水平的变化特性。结果表明:顶部标高具有明显的日变化和季节变化规律,并且表现出强烈的太阳活动依赖性;顶部标高在纬度上的变化强烈依赖于地方时,同时在东西经向上表现出明显的波状结构,且这种经度波状结构在南北半球具有不同的形态;顶部标高在夏季半球具有显著的东西经向差异,南半球夏季更为明显。
文摘Invar合金是制备精细金属掩模板(Fine Metal Mask,简称FMM)的重要基材,其纯净度直接影响FMM的质量以及有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode,简称OLED)技术的发展水平。首先概述了FMM的主要制备技术,介绍了对FMM基材Invar合金的质量要求,并对国产Invar合金箔和国外进口Invar合金箔内的夹杂物进行了表征分析。结果表明,国产Invar合金箔的纯净度与进口Invar合金箔相比,仍存在很大的差距,主要体现在夹杂物的尺寸和数量等方面。为实现OLED配套产业全国产化,攻克Invar合金的近零夹杂难题,开发新型制备技术是关键突破点。最后详细论述了超重力技术在Invar合金除杂方面的研究成果和电铸Invar合金箔应用的可行性,并指出超重力技术和电铸技术有望解决近零夹杂金属材料的制备难题。