掩模制作中的邻近效应

计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果。

基于直写技术的微纳掩模制作技术研究进展

微纳掩模制作是进行刻蚀、沉积和改性等微纳加工工艺之前的主要工艺,是微纳米加工过程中的关键步骤和基础。高质量、柔性、低成本、高效的掩模制作对微/纳机电系统(MEMS/NEMS)、微米纳米技术、微/纳电子芯片、半导体器件等领域的科研和生产都具有非常重要的意义。目前,直写技术是一种可以不依赖掩模板和印模的掩模图案制造技术,其制作工艺较为简单,具有较高的掩模制作精度和柔性度,已成为微纳掩模制作的重要发展方向。综述了国内外各种主要的基于直写技术的微纳掩模制作技术,并归纳了其技术特点,展望了其发展趋势。

基于空间光调制器的灰度掩模制作系统

提出了基于空间光调制器的灰度掩模制作新方法。分析了该方法的基本原理 ,构造了相应的实验系统。同时制作了闪耀光栅、菲涅耳透镜以及Dammann光栅等二元光学器件的灰度掩模。该方法采用逐个图形曝光的方式使其具有内在的并行特性 ,可大大提高灰度掩模的制作速度和精度 。

掩模材料与新颖的衬底方案关键问题及新的良机(英文)

通过对掩模衬底材料和掩模加工工艺利用硬性分界条件可满足45nm及以下技术节点的掩模要求。此外类似于折射指数、平整度、成分、均匀性和应力等衬底材料的固有特性严重地影响到掩模加工性能和光刻性能。评述了45nm及以下技术节点对空白材料,掩模及晶片层面的要求。指出了对于关键问题及出现的问题的可仿效实施的方法,最后研究了集成用于高效光掩模工厂的掩模材料的实际情况分析。

0.4～0.25μm时代光刻技术

1前言 近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.