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电镀镍层作为掩模层的薄膜电路制备方法 被引量:1
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作者 刘玉根 孙林 《电子与封装》 2018年第10期32-35,共4页
利用电镀镍层作为刻蚀掩模层可制备得到性能优良的薄膜电路。该制备方法避免了传统制备工艺中的"二次光刻",简化了生产步骤,提高了生产效率,并且降低了生产成本。通过该方法制备的薄膜电路键合强度、结合力优异,且比传统工艺... 利用电镀镍层作为刻蚀掩模层可制备得到性能优良的薄膜电路。该制备方法避免了传统制备工艺中的"二次光刻",简化了生产步骤,提高了生产效率,并且降低了生产成本。通过该方法制备的薄膜电路键合强度、结合力优异,且比传统工艺具有更高的微带线精度。 展开更多
关键词 镀镍 掩模层 薄膜电路 制备方法
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用多层掩模去除纳米压印工艺中的残胶 被引量:1
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作者 陈鑫 赵建宜 +3 位作者 王智浩 王磊 周宁 刘文 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1434-1439,共6页
纳米压印工艺中的压印胶在固化后会发生聚合物的铰链,生成高分子聚合物,很难被一般有机溶剂清除,从而影响器件的性能。为有效去除压印残胶,提出一种利用多层掩模去除残胶的方法。该方法首先在基片和压印胶之间沉积一层50nm的二氧化硅作... 纳米压印工艺中的压印胶在固化后会发生聚合物的铰链,生成高分子聚合物,很难被一般有机溶剂清除,从而影响器件的性能。为有效去除压印残胶,提出一种利用多层掩模去除残胶的方法。该方法首先在基片和压印胶之间沉积一层50nm的二氧化硅作为硬掩模;接着用纳米压印工艺将光栅图形转移到压印胶上,再用干法刻蚀将光栅图形转移到基片上;最后,放入BOE(buffered oxide etchant)中漂洗数秒以去除残胶。文中总结了刻蚀底胶时间对光栅占空比的影响,对比了经过多层掩模去残胶和传统去残胶的方法处理后的光栅形貌。电镜图片结果显示,采用本文方法经过漂洗的光栅表面残胶去除干净,形貌良好,其周期约为240nm,深度约为82nm。实验表明,多层掩模去残胶的方法不仅能够有效地去除刻蚀残胶,同时能够避免光栅形貌的损坏。 展开更多
关键词 纳米压印技术 分布反馈激光器 残胶 掩模 软模板
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硅各向同性深刻蚀中的多层掩模工艺
3
作者 聂磊 史铁林 陆向宁 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期553-556,共4页
掩模制备是硅各向同性刻蚀中的一项重要工艺。要实现深刻蚀,掩模必须满足结构致密、强度大及抗腐蚀性好的要求。一般光刻胶掩模无法在刻蚀液中较长时间地保持其掩蔽性能,很难实现深刻蚀;而金属掩模也容易出现针孔及裂纹等缺陷。因此提... 掩模制备是硅各向同性刻蚀中的一项重要工艺。要实现深刻蚀,掩模必须满足结构致密、强度大及抗腐蚀性好的要求。一般光刻胶掩模无法在刻蚀液中较长时间地保持其掩蔽性能,很难实现深刻蚀;而金属掩模也容易出现针孔及裂纹等缺陷。因此提出使用Su-8负性光刻胶结合铬金属制备多层掩模。这种掩模结构制备工艺简单,经济实用;提高了掩模在高速刻蚀时的掩蔽性能,实现了深刻蚀。实验表明,其能满足300μm以上深刻蚀的要求,可用于硅及玻璃等材料的微加工。 展开更多
关键词 硅微机械加工 各向同性刻蚀 掩模 深刻蚀
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粉煤灰在改良盐碱地土壤中的机理研究 被引量:3
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作者 张志众 李云凯 孙秀君 《唐山学院学报》 2014年第6期27-30,34,共5页
利用粉煤灰进行盐碱土改良试验,采用掩模层配比法,研究了不同配比下盐碱土与粉煤灰混合后理化性质的变化规律。结果表明,使用粉煤灰可降低土壤容重,提高土壤孔隙体积,减少土壤中的碱性物质含量,加快土壤排盐速度及改善土壤的化学性质。... 利用粉煤灰进行盐碱土改良试验,采用掩模层配比法,研究了不同配比下盐碱土与粉煤灰混合后理化性质的变化规律。结果表明,使用粉煤灰可降低土壤容重,提高土壤孔隙体积,减少土壤中的碱性物质含量,加快土壤排盐速度及改善土壤的化学性质。同时,分析了粉煤灰与土壤不同比例下木苗的最佳生长状况和生理指标。 展开更多
关键词 粉煤灰 盐碱土 改良 掩模层配比法
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类金字塔状GaN微米结构的生长及其形貌表征 被引量:1
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作者 赵晨 贾伟 +5 位作者 樊腾 仝广运 李天保 翟光美 马淑芳 许并社 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第22期21-25,共5页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在非掺杂GaN层上原位生长SiNx掩模层,制备了形貌可控的类金字塔状GaN微米结构,并系统研究了生长温度、生长时间、反应压力和Ⅴ/Ⅲ比等不同生长参数对其形貌的影响。研究结果表明,在生长温度为1 07... 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在非掺杂GaN层上原位生长SiNx掩模层,制备了形貌可控的类金字塔状GaN微米结构,并系统研究了生长温度、生长时间、反应压力和Ⅴ/Ⅲ比等不同生长参数对其形貌的影响。研究结果表明,在生长温度为1 075℃时,所生长的GaN呈现出类金字塔状微米锥结构;当生长时间由3 min延长至20 min时,微米锥的底面直径由3.6μm增大到19.8μm,密度由3.8×10~3cm^(-2)降低至0.8×10~3cm^(-2);压力及Ⅴ/Ⅲ比共同决定该结构顶部的微观形貌(锥状或截顶锥状)。本工作的研究结果为GaN微钠米结构的原位可控生长奠定了一定基础,并有助于三维GaN基LED器件的进一步发展。 展开更多
关键词 类金字塔状GaN微米结构 金属有机化学气相沉积 原位生长SiNx掩模层 三维GaN基LED器件
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LIGA技术及其在微驱动器中的应用
6
作者 陈刚 张立彬 胥芳 《微纳电子技术》 CAS 2002年第3期33-38,共6页
介绍了LIGA加工工艺以及多层掩模技术、复制技术和外形磨削成型技术的现状。给出LIGA技术在微驱动器中的应用。
关键词 掩模技术 复制技术 外形磨削成型技术 LIGA技术
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玻璃微透镜阵列的制作工艺研究
7
作者 叶嗣荣 周家万 +3 位作者 刘小芹 钟强 黄绍春 赵文伯 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期216-219,共4页
对以玻璃为基材的微透镜阵列的制作工艺进行了研究,得出了影响微透镜阵列制作的三个主要因素:玻璃组分、腐蚀方法以及抗蚀掩模层材料。并通过实验详细分析了这三者对实验结果的影响。根据分析结果,选择合适的材料和工艺方法,获得了效果... 对以玻璃为基材的微透镜阵列的制作工艺进行了研究,得出了影响微透镜阵列制作的三个主要因素:玻璃组分、腐蚀方法以及抗蚀掩模层材料。并通过实验详细分析了这三者对实验结果的影响。根据分析结果,选择合适的材料和工艺方法,获得了效果较好的玻璃微透镜阵列,为玻璃微透镜阵列的制作提供了依据和方法。 展开更多
关键词 微透镜阵列 抗蚀掩模 玻璃 腐蚀
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40nm一体化刻蚀工艺技术研究
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作者 盖晨光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期589-595,共7页
用金属硬掩模层(MHM)进行一体化(AIO)刻蚀的工艺是40 nm节点后道工序的关键工艺技术。阐述了40 nm低功耗芯片工艺研发过程中,一体化刻蚀工艺开发所遇到的诸多工艺难题,并对其产生的机理进行了深入分析。结合工艺设备与工艺特性,进行了... 用金属硬掩模层(MHM)进行一体化(AIO)刻蚀的工艺是40 nm节点后道工序的关键工艺技术。阐述了40 nm低功耗芯片工艺研发过程中,一体化刻蚀工艺开发所遇到的诸多工艺难题,并对其产生的机理进行了深入分析。结合工艺设备与工艺特性,进行了刻蚀实验并对刻蚀工艺条件进行了优化,使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品形貌进行了观测,采用电迁移测试结构对通孔样品的可靠性进行了测试,结果表明,氮化钛厚度、沟槽剖面形貌和顶部缺口形貌得到优化,双大马士革凹槽形貌、通孔剖面形貌以及通孔底部完整性得到较好控制,解决了氟化钛残留问题,有效解决了一体化刻蚀的工艺难题。 展开更多
关键词 一体化刻蚀 金属硬掩模层 双大马士革 后道工艺(BEOL) 沟槽刻蚀
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28nm栅极顶部锗硅冗余生长缺陷的优化分析
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作者 冯奇艳 《集成电路应用》 2022年第8期32-34,共3页
阐述集成电路锗硅工艺中栅极顶部边缘锗硅冗余生长缺陷的产生机理,工艺流程改进,控制栅极氮化硅掩模层的残留量来解决该缺陷,探讨锗硅沟槽刻蚀的调整和调整栅极氮化硅掩模层厚度来增加栅极氮化硅掩模层的残留量,使栅极顶部边缘得以充分... 阐述集成电路锗硅工艺中栅极顶部边缘锗硅冗余生长缺陷的产生机理,工艺流程改进,控制栅极氮化硅掩模层的残留量来解决该缺陷,探讨锗硅沟槽刻蚀的调整和调整栅极氮化硅掩模层厚度来增加栅极氮化硅掩模层的残留量,使栅极顶部边缘得以充分保护,在锗硅外延工艺中不产生冗余生长物。 展开更多
关键词 集成电路制造 锗硅工艺缺陷 锗硅冗余生长 氮化硅残留量 栅极 栅极掩模层
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基于非规则分块压缩的3D打印稀疏矩阵存储与重构方法 被引量:6
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作者 徐敬华 高铭宇 +2 位作者 苟华伟 张树有 谭建荣 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第11期2203-2215,共13页
现有3D打印(3D Printing,3DP)通常是逐点伺服运动,成形效率低,使得技术正向高效高精度方向发展,例如数字光处理技术、选择性激光熔化、逐面打印等.通常,为了提高打印精度,需对层截面连通域进行更高分辨率栅格化,其后续光学转换等环节也... 现有3D打印(3D Printing,3DP)通常是逐点伺服运动,成形效率低,使得技术正向高效高精度方向发展,例如数字光处理技术、选择性激光熔化、逐面打印等.通常,为了提高打印精度,需对层截面连通域进行更高分辨率栅格化,其后续光学转换等环节也因此生成更多元数据,导致切片非矢量化点阵数据量呈现大规模指数级增加,直接限制了打印件尺寸.为此,本文提出了一种基于非规则分块压缩(Irregular Block Compression,IBC)的3D打印稀疏矩阵存储与重构方法.首先,在初始模型坐标系构建沿坐标轴的3D凸包围盒(Axis-Aligned Bounding Boxes,AABB),得到流形网格模型的层截面多连通域,形成层截面掩模图,按照设定的分辨率生成栅格化点阵并转换成稀疏矩阵.根据稀疏度计算矩形规则块(Regular Block,RB)作为独立事件出现的概率化数学期望.结果表明,层截面矩阵数据的主要部分呈现非规则分块(Irregular Block,IB)特征,因此,压缩方法首要考虑非规则块的分布.进一步地,本文提出了稀疏矩阵非规则分块的概念.针对稀疏矩阵的非规则连通稀疏特征,将相邻行连通的非零块进行组合存储,构建互连通的非规则块,存储非零元素的数值及其有效的位置信息,获得首行索引、首列索引、连续数目及数值集进行无损压缩.按照非规则块进行层截面数据恢复与重构.通过计算相邻两层截面相似度,对3D实体模型进行多层连续面打印.以直列发动机缸体和多亏格回转网环两种不同形态模型为例,与传统的压缩行存储(Compressed Row Storage,CRS)算法和分块压缩行存储(Block Compressed Row Storage,BCRS)算法相比,在存储量改进方面,IBC方法比CRS改进可达80.60%,比BCRS改进可达14.62%,有效降低了算法的时间复杂度;在占用空间方面,IBC方法比BCRS改进可达22.56%,有效降低了算法的空间复杂度.IBC方法特别适合层截面为区块化连通的3D打印稀疏矩阵的复杂形态模型的3D打印. 展开更多
关键词 数字光处理技术 截面掩模 稀疏矩阵 概率化数学期望 非规则分块压缩 数据存储与重构
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Establishment of N_mF_2 empirical model in the northern hemisphere based on COSMIC occultation data 被引量:1
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作者 NIU Jun FANG HanXian WENG LiBin 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2014年第2期339-344,共6页
Ionospheric peak value of F2 layer (NmF2) is an important parameter in the ionosphere, which has important applications in short-wave communication, ionospheric modeling and so on. In this paper, the empirical ortho... Ionospheric peak value of F2 layer (NmF2) is an important parameter in the ionosphere, which has important applications in short-wave communication, ionospheric modeling and so on. In this paper, the empirical orthogonal function (EOF) decompo- sition method is used to analyze the NmFz obtained from the occultation data. Daily spatial distribution of NmF2 at the same time is relatively even. Variance of first modal is much larger than the other modals. A local wavelet power spectrum (LWPS) method is applied to analysis the cycle of Flo.7 index and time coefficient of first modal. The result shows that they have simi- lar cycle distribution, indicating that Flo.7 index is the main factor affecting variation of NmF〉 A function is established be- tween the tine coefficient of first modal and F10.7 index, average F10.7 index value of early 81 days fp by least squares method. The results show that contribution coefficient offp is negative which indicates that fp has an inert effect existing in the iono- sphere. Contribution coefficient of F10.7 is positive, which is consistent with the fact that it has an anomaly in winter/spring seasons. In summary, it is feasible to establish a mid-latitude empirical NmF2 model in northern hemisphere based on occulta- tion data and EOF decomposition method. 展开更多
关键词 empirical NmF2 model empirical orthogonal function decomposition local wavelet power spectrum method least squ-ares method
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