一种基于FLATCELL结构的MASKROM芯片设计

文章介绍了一种高密度的掩模式只读存储器CMOS集成电路及其工作原理,它所采用的是平坦式离子植入绝缘工艺的存储单元结构,能使电路在有限的面积内获得较高的集成密度。重点讨论存储单元的物理原理和逻辑结构,相应的外围电路模块的电路设计与功能实现。