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掩模制作中的邻近效应
被引量:
2
1
作者
杜惊雷
石瑞英
+1 位作者
崔铮
郭永康
《微纳电子技术》
CAS
2002年第11期36-40,共5页
计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻...
计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果。
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关键词
掩模
制作
邻近效应
光学邻近效应
掩模畸变
光刻模拟
光学邻近校正
微光刻
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职称材料
题名
掩模制作中的邻近效应
被引量:
2
1
作者
杜惊雷
石瑞英
崔铮
郭永康
机构
四川大学物理系
中科院微电子中心
RutherfordAppletonLaboratory Chilton
出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第11期36-40,共5页
基金
国家自然科学基金项目(69907003)
博士点基金资助项目
文摘
计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果。
关键词
掩模
制作
邻近效应
光学邻近效应
掩模畸变
光刻模拟
光学邻近校正
微光刻
Keywords
optical proximity effects
photomask distortion
photolithography simulation
optical proximity correction
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掩模制作中的邻近效应
杜惊雷
石瑞英
崔铮
郭永康
《微纳电子技术》
CAS
2002
2
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