EUV掩模白板缺陷的反射近场模拟研究

极紫外光刻掩模白板是制造光刻图形的基础,随着极紫外光刻技术的不断发展,工艺要求逐渐向“零缺陷”掩模标准推进。在7 nm及以下节点,缺陷对于极紫外掩模白板良率的影响不可忽视。本文采用时域有限差分(Finite-Difference Time-Domain, FDTD)方法仿真研究了反射近场强度分布的特征,并仿真得到了不同尺寸的缺陷在多层膜的内部纵向深度对相位的影响。