基于AlN掩蔽膜的半导体激光器温度场分布研究

运用ANSYS软件建立了808nm高功率半导体激光器内部热源分析模型,并对其进行瞬态温度及稳态温度模拟,讨论了SiO2及AlN材料掩蔽膜对器件内部温度场分布的影响。结果表明,有源区的平衡温度由器件的散热特性决定,用AlN材料代替SiO2材料制备掩蔽膜,能降低器件内部温度,更好的满足半导体激光器高效率工作的需要。

HgCdTe器件芯片成型离子束刻蚀掩蔽膜的改进

随着半导体技术的发展,尤其是红外薄膜台面型器件图形日愈微细化的情况下,传统的化学腐蚀技术远不能满足器件成型研制的要求,所以,干法刻蚀越来越成为器件制备的主要手段之一。而在该工艺中。

IC制造中氮化硅薄膜的制备方法

氮化硅薄膜是芯片制造中广泛运用的一种绝缘薄膜,其可用作芯片表面的掩蔽膜及钝化膜。简要介绍IC制造中几种主要的氮化硅薄膜的制备技术,并探讨新型的制备技术。

ST-石英的湿法腐蚀工艺研究

对影响ST-切向石英表面湿法腐蚀质量的因素进行了试验研究,并对结果进行了详细分析。试验基片材料为双面抛光的ST-切向石英晶体,掩蔽膜材料为Cr/Au双层金属膜,腐蚀液为HF和NH4F的混合溶液;主要研究了基片清洗、腐蚀液成分配比及腐蚀温度等工艺参数对基片表面腐蚀质量的影响,并通过选择最佳的试验参数,以约0.7μm/min的适中腐蚀速率加工出了满足要求的晶体表面。

超低电容TVS二极管的沟槽工艺开发

超低电容TVS二极管结构中,硅沟槽不仅仅用于填充多晶硅进行介质隔离,还要利用沟槽将雪崩二极管从平面改到纵向完成,降低有源区面积。本文通过引入新型掩膜材料,优化工艺,提升了沟槽的垂直度;多晶硅生长过程中引入小比例的HCL气体,控制了槽口多晶硅生长速度过快的问题;优化了多晶硅退火工艺,消除了多晶硅生长过程中晶核未完全晶化的影响,提升了磷在多晶硅中分布的均匀性。