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重掺多晶氧化法LDD-CMOS高性能电路的优化设计与研制
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作者 徐大林 李荫波 +1 位作者 王方 黄敞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期145-153,共9页
对重掺多晶氧化法(HDPO)应用于LDD IC中的工艺条件进行了优化,并实现了HDPO-LDD电路.研究了HDPO-LDD器件的性能和热载流子效应,同时对器件进行计算机模拟,对HDPO-LDD进行优化设计,获得了优化参数.综合优化设计的工艺条件和参数,成功地... 对重掺多晶氧化法(HDPO)应用于LDD IC中的工艺条件进行了优化,并实现了HDPO-LDD电路.研究了HDPO-LDD器件的性能和热载流子效应,同时对器件进行计算机模拟,对HDPO-LDD进行优化设计,获得了优化参数.综合优化设计的工艺条件和参数,成功地应用于亚微米NMOSFET,1μm沟道长的CMOS CD4007电路,2μm沟道长的CMOS 21级环振和2.5μm沟道长的LSI CMOS IC,性能优良,高速,稳定,可靠. 展开更多
关键词 LDD-CMOS 电路设计 掺多晶氧化法
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