KCdF_3晶体中Cr^(3+)-Li^+中心局域结构研究

利用零场分裂参量与晶体结构之间的定量关系 ,研究了双掺杂晶体KCdF3 ∶Cr3 + ,Li+ 的局域结构。指出 ,对于KCdF3 ∶Cr3 + ,Li+ 晶体 ,四角晶场的形成包含两个方面 :( 1 )由于电荷补偿而产生的等效电荷形成的四角对称晶场 ;( 2 )Cr3 + 的局域结构发生晶格畸变而产生的四角对称晶场。事实上 ,当Cr3 + 和Li+ 掺入KCdF3晶体时 ,Cr3 + 代替了Cd2 + 离子 ;由于Cr3 + 离子与Cd2 + 离子的半径不同、电荷不同、质量不同 ,导致Cr3 + 的局域结构发生晶格畸变 ,由此而产生四角对称晶场 ;由于电荷补偿 ,Li+ 离子取代了 [0 0 1 ]方向与Cr3 + 离子邻近的Cd2 + 离子 ,由此产生的等效电荷而形成的四角晶场。这样 ,Cr3 + 的局域结构由Oh 对称变为C4v点对称。文中建立了ZFS参量和晶体结构之间的定量关系。在考虑晶格畸变和等效电荷的基础上 ,研究了KCdF3 ∶Cr3 + ,Li+ 晶体的ZFS参量 ,理论结果和实验符合很好。得到了F-离子向中心离子分别移动为ΔR1=0 0 0 2 68nm ,ΔR2 =0 0 0 1nm ,ΔR3 =0 0 0 1 65nm。

Defects in Tm^(3+)/Yb^(3+)-doped YVO_4 Crystals

The microscopic defects have been investigated for crystal Tm3+/Yb3+:YVO4. These defects mainly include the inclusions (solid inclusions, bubbles and inclusions of the liquid phase), dendrites and growth stripes. They are caused by in-pure raw materials, unstable growth conditions, super-cooling component and so on. Tm3+/Yb3+:YVO4 crystals of large size and excellent optical quality are grown by improving the growth conditions to eliminate these defects.