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不同构型下ZnO基稀磁半导体的第一性原理研究 被引量:3
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作者 刘乔亚 杨平 《电子科技》 2018年第2期44-47,共4页
针对5种不同构型下的ZnO基稀磁半导体特性展开研究,利用第一性原理对Co掺杂ZnO,Mn掺杂ZnO,以及(Co,Mn)共掺杂ZnO进行模拟计算,分析其电子结构及磁性。结果表明,Co掺杂ZnO的铁磁性随掺杂位置不同而变化,Mn掺杂ZnO表现出反铁磁性。而(Co,... 针对5种不同构型下的ZnO基稀磁半导体特性展开研究,利用第一性原理对Co掺杂ZnO,Mn掺杂ZnO,以及(Co,Mn)共掺杂ZnO进行模拟计算,分析其电子结构及磁性。结果表明,Co掺杂ZnO的铁磁性随掺杂位置不同而变化,Mn掺杂ZnO表现出反铁磁性。而(Co,Mn)共掺杂ZnO由于掺杂原子间的相互作用,表现出铁磁性并且具有高于室温的局里温度,是一种理想的稀磁半导体材料。 展开更多
关键词 掺杂构型 第一性原理#电子结 自旋 磁矩 居里温度
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石墨烯氮掺杂调控及对电容特性影响机制研究进展 被引量:2
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作者 赖日鑫 姜传建 +6 位作者 刘琳 张文峰 向宇 明海 张浩 曹高萍 杜韫 《储能科学与技术》 CAS CSCD 2020年第6期1657-1667,共11页
石墨烯是一种有着多种优异性能的材料,但其表面活性位点少导致在储能等方面应用受限,对石墨烯进行氮原子掺杂是改善其性能的有效途径。石墨烯氮掺杂的方法大体上可以分成两类:一是利用小分子或气体作为氮源和碳源直接合成氮石墨烯的原... 石墨烯是一种有着多种优异性能的材料,但其表面活性位点少导致在储能等方面应用受限,对石墨烯进行氮原子掺杂是改善其性能的有效途径。石墨烯氮掺杂的方法大体上可以分成两类:一是利用小分子或气体作为氮源和碳源直接合成氮石墨烯的原位氮掺杂,常见方法有化学气相沉积法、溶剂热法、电弧放电法等;二是以石墨烯或氧化石墨烯为原料来进行氮原子引入的后处理氮掺杂,常见方法有热处理法、化学处理法、等离子体处理法等。氮原子以不同的构型进入石墨烯晶格,使得氮掺杂石墨烯具有不同的物理化学性能。作为超级电容器电极材料是氮掺杂石墨烯的一个重要应用,但掺杂氮原子对促进石墨烯电容性能提高的机制仍没有统一的科学结论。本文简要介绍了各种石墨烯氮掺杂方法的特点,重点综述了不同构型氮原子掺杂调控方法的研究进展,梳理了反应温度、前驱体结构、反应能量、氮掺杂量等因素对于生成吡咯型、吡啶型和石墨型等各种不同构型掺杂氮的影响,同时也综述了吡咯型、吡啶型和石墨型三类掺杂氮对石墨烯电容特性影响机制的一些主要观点,并对未来氮掺杂石墨烯的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 石墨烯氮掺杂 掺杂 调控方法 超级电容器 作用机制
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The preparation and properties of N-doped carbon materials and their use for sodium storage
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作者 YUAN Ren-lu HOU Ruo-yang +4 位作者 SHANG Lei LIU Xue-wei LI Ang CHEN Xiao-hong SONG Huai-he 《新型炭材料(中英文)》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期770-795,共26页
Defect engineering by heteroatom doping gives carbon materials some new characteristics such as a different electronic structure and a high electrochemical activity,making them suitable for high-performance applicatio... Defect engineering by heteroatom doping gives carbon materials some new characteristics such as a different electronic structure and a high electrochemical activity,making them suitable for high-performance applications.N-doping has been widely investigated because of its similar atom radius to carbon,high electronegativity as well as many different configurations.We summarize the preparation methods and properties of N-doped carbon materials,and discuss their possible use in sodium ion storage.The relationships between N content/configuration and crystallinity,electronic conductivity,wettability,chemical reactivity as well as sodium ion storage performance are discussed. 展开更多
关键词 N-doped carbon material N configuration Preparation method Performance Sodium storage
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纤锌矿Zn1-xMgxO合金相结构稳定性的第一性原理研究
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作者 濮春英 周大伟 +2 位作者 王卓 张庆瑜 李春萍 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2013年第8期941-947,共7页
采用基于密度泛函理论中局域密度近似下的VASP程序包,在考虑所有掺杂构型前提下,对Zn1xMgxO合金的晶格参数、禁带宽度以及形成焓随Mg含量的变化进行了系统地计算.计算结果表明:随着Mg含量的不断增加,纤锌矿Zn1xMgxO合金的平均晶格常数... 采用基于密度泛函理论中局域密度近似下的VASP程序包,在考虑所有掺杂构型前提下,对Zn1xMgxO合金的晶格参数、禁带宽度以及形成焓随Mg含量的变化进行了系统地计算.计算结果表明:随着Mg含量的不断增加,纤锌矿Zn1xMgxO合金的平均晶格常数变化不遵循Vergard定律;合金的禁带宽度随着Mg含量增加满足二次函数关系Eg=3.43+2.24x+0.68x2,与实验结果一致,不同掺杂原子构型禁带宽度的差异是纤锌矿Zn1xMgxO合金中发光光谱宽化的重要原因;对比分析纤锌矿、闪锌矿和熔岩矿三种相结构的Zn1xMgxO合金形成焓的计算结果发现,当Mg掺杂比例为37.5%时,Zn1xMgxO合金由纤锌矿向熔岩矿结构转变;闪锌矿Zn1xMgxO合金形成焓始终低于纤锌矿,在特殊的条件下,可以形成闪锌矿Zn1xMgxO合金相. 展开更多
关键词 Zn1-xMgxO合金 掺杂构型 稳定性
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First-principles study on electronic structure and optical properties of N-doped P-type β-Ga_2O_3 被引量:7
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作者 ZHANG LiYing YAN JinLiang ZHANG YiJun LI Ting DING XingWei 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第1期19-24,共6页
The band structure, density of states, electron density difference and optical properties of intrinsic β-Ga2O3 and N-doped β-Ga2O3 were calculated using first-principles based on density functional theory. After N d... The band structure, density of states, electron density difference and optical properties of intrinsic β-Ga2O3 and N-doped β-Ga2O3 were calculated using first-principles based on density functional theory. After N doping, the band gap decreases, shallow acceptor impurity levels are introduced over the top of the valence band and the absorption band edge is slightly red-shifted compared to that of the intrinsic one. The anisotropic optical properties are investigated by means of the complex dielectric function, which are explained by the selection rule of the band-to-band transitions. All calculation results indicate that N-doping is a very promising method to get P-type β-Ga2O3. 展开更多
关键词 P-type β-Ga2O3 N-doped β-Ga2O3 FIRST-PRINCIPLES electronic structure optical properties
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