不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层对双波长LED作用的研究

采用软件理论分析的方法对不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对发光光强、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等作用进行模拟分析.分析结果表明,p型掺杂的GaN间隔层与量子阱垒层的引入同不掺杂和n型掺杂两种类型比较,可以大大减少溢出电子流,极大地提高各量子阱内空穴浓度,提高双波长发光二极管的发光强度,极大的改善内量子效率随电流增大而下降问题.

金刚石n型掺杂的研究进展

对金刚石n型掺杂工艺中的施主元素的类型、机理、及所使用的基底材料和方法进行了综合评述 ,并对Ⅰ族元素 (Li,Na) ,Ⅴ族元素 (N ,P) ,Ⅵ族元素 (O ,S)等施主元素掺杂后的性能进行了比较 .分析表明 :采用CVD法 。

低阻单晶硅的太赫兹时域光谱分析

本文应用太赫兹时域光谱技术（THz-TDS）研究了N型和P型具有〈100〉和〈111〉不同晶向的单面抛光和双面抛光的低阻（电阻率为1~5Ω·cm）单晶硅在太赫兹波段的光学性质。结果表明,在具有相同晶向和电阻率的不同掺杂类型的单晶硅中P型硅的折射率大于N型硅,并且单面抛光的大于双面抛光。为太赫兹时域光谱技术在单晶硅的掺杂类型和晶向的鉴别方面提供了有效快速的实验方法。