1
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基于可变长纠错码和掺杂调制的联合信源信道编码调制方法 |
包涵
凃国防
张灿
高绍帅
陈德元
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《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
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2023 |
1
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2
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中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应 |
花磊
宋国峰
郭宝山
汪卫敏
张宇
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
4
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3
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Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的生长研究 |
张允强
彭正夫
高翔
孙娟
黄文裕
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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1992 |
2
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4
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应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型 |
胡辉勇
张鹤鸣
戴显英
王顺祥
朱永刚
区健锋
俞智刚
马何平
王喜媛
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
1
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5
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调制掺杂压缩应变多量子阱激光器的增益特性和线宽增强因子的理论研究 |
彭宇恒
陈松岩
陈维友
赵铁民
刘式墉
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1996 |
1
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6
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固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究(英文) |
张冠杰
舒永春
皮彪
邢小东
林耀望
姚江宏
王占国
许京军
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《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
1
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7
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调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变 |
谭伟石
沙昊
沈波
蔡宏灵
吴小山
蒋树声
郑文莉
贾全杰
姜晓明
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《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
1
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8
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调制掺杂Al_(0.27)Ga_(0.73)As/GaAs多量子阱结构的光致发光 |
程兴奎
CHINV.W.L.
OSOTCHANT.
TANSYEYT.L.
VAUGHANM.R.
GRIFFITHSG.J.
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《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1998 |
2
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9
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调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中Al_xGa_(1-x)N势垒层表面态及其他局域态性质研究 |
刘杰
沈波
周玉刚
周慧梅
郑泽伟
张荣
施毅
郑有炓
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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10
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内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性 |
曾宇昕
刘伟
杨富华
徐萍
章昊
边历峰
谭平恒
郑厚植
曾一平
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2005 |
0 |
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11
|
调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响 |
许敏
袁凤坡
陈国鹰
李冬梅
尹甲运
冯志宏
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
0 |
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12
|
调制掺杂ZnMgO/ZnO异质结构中的二维电子气 |
周远明
钟才
梅菲
刘凌云
徐进霞
王远
张冉
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《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2014 |
0 |
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13
|
调制掺杂AlGaN/GaN异质结上的Pt肖特基接触 |
刘杰
沈波
周玉刚
周慧梅
郑泽伟
张荣
施毅
郑有炓
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
|
2002 |
0 |
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14
|
GaInAs/AlInAs调制掺杂结构材料的光学性质研究 |
江德生
刘伟
张耀辉
张永航
K.Ploog
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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1996 |
0 |
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15
|
光泵调制掺杂阶梯量子阱THz激光器瞬态动力学的Monte Carlo模拟 |
刘东峰
林奕新
马彩虹
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《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2010 |
0 |
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16
|
调制掺杂同型结对HB-LED工作电压的影响 |
文尚胜
范广涵
廖常俊
刘颂豪
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《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
0 |
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17
|
Al_xGa_(1-x)N/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性 |
郑泽伟
沈波
陈敦军
郑有炓
郭少令
褚君浩
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《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
0 |
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18
|
Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长 |
谢自力
邱凯
尹志军
方晓华
陈建炉
蒋朝辉
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《微纳电子技术》
CAS
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2002 |
0 |
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19
|
调制掺杂层在SiGe PMOSFET中的应用 |
史进
黎晨
陈培毅
罗广礼
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
5
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20
|
InAlAs/InGaAs调制掺杂场效应晶体管研究 |
敖金平
曾庆明
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《半导体情报》
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1992 |
0 |
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