铜掺杂钴氧化物Cu_xCo_(3-x)O_4的制备及其电化学电容性能

采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)对铜掺杂钴氧化物(CuxCo3-xO4)纳米粒子样品的结构和形貌进行了表征;用循环伏安,恒流充放电,交流阻抗等电化学方法对其电化学性能进行了测试。结果表明:钴和铜的摩尔比对目标产物的电化学性能有显著的影响,当钴和铜的摩尔比为2.67∶0.33时,样品的电化学性能最佳。在电流密度为1A/g时,比电容达到492F/g,且在3A/g的电流密度下,经过2000次充放电循环后,其比电容值没有衰减,表明Cu0.33Co2.67O4是一种良好的超级电容器电极材料。

掺杂钴氧化物Nd_(1-x)Sr_xCoO_3(x=0.10,0.15,0.20)的时效研究

研究了掺杂钴氧化物Nd1-xSrxCoO3(0.10≤x≤0.20)的弛豫现象和时间效应。通过传统的固相反应法合成了Nd1-xSrxCoO3系列多晶样品,对样品进行了直流磁化强度、交流磁化率、弛豫现象和时间效应的测试,系统研究了Nd1-xSrxCoO3的时效现象。弛豫现象实验曲线的完美对称性表明体系中存在受挫现象;弛豫曲线的拟合结果表明铁磁团簇的相互作用有助于体系的自旋玻璃态。研究结果表明:弛豫和时效是自旋玻璃体系的内在特征。

ICP-AES法测定掺杂型镍钴锰三元素复合氢氧化物中七种掺杂元素

掺杂型镍钴锰三元素复合氢氧化物试样用盐酸溶解,于电感耦合等离子体原子发射光谱仪上(ICP-AES),选择合适的分析谱线,采用标准工作曲线法,在5%的盐酸介质中同时测定Al、Mg、Ti、Sr、Zr、La、Y等七种掺杂元素的含量。大量的镍、钴、锰基体不会对测定造成干扰,掺杂离子相互之间不干扰测定,此方法各元素的检出限在0.0005~0.008μg/mL之间,在对实际样品的测定结果其相对标准偏差不大于2.92%,加标回收率为95.4%~103.8%,具有很高的准确度和精密度,适用于实际产品掺杂型镍钴锰三元素复合氢氧化物中掺杂元素的测定。