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双栅掺杂隔离肖特基MOSFET的解析模型
被引量:
1
1
作者
王睿
赵青云
+1 位作者
朱兆旻
顾晓峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期303-308,共6页
通过考虑肖特基势垒降低效应求解三段连续的二维泊松方程,建立了双栅掺杂隔离肖特基MOSFET亚阈值区全沟道连续的电势模型。在该电势模型的基础上,推导了阈值电压模型和漏致势垒降低效应的表达式;研究了掺杂隔离区域不同掺杂浓度下的沟...
通过考虑肖特基势垒降低效应求解三段连续的二维泊松方程,建立了双栅掺杂隔离肖特基MOSFET亚阈值区全沟道连续的电势模型。在该电势模型的基础上,推导了阈值电压模型和漏致势垒降低效应的表达式;研究了掺杂隔离区域不同掺杂浓度下的沟道电势分布,分析了沟道长度和厚度对短沟道效应的影响。结果表明,掺杂隔离区域能改善肖特基MOSFET的电学特性;对于短沟道双栅掺杂隔离肖特基MOSFET,适当减小沟道宽度能有效抑制短沟道效应。
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关键词
肖特基源漏
掺杂隔离
双栅金属氧化物半导体场效应管
阈值电压
短沟道效应
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职称材料
题名
双栅掺杂隔离肖特基MOSFET的解析模型
被引量:
1
1
作者
王睿
赵青云
朱兆旻
顾晓峰
机构
轻工过程先进控制教育部重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期303-308,共6页
基金
专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金(11KF003)
中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B
+2 种基金
JUSRP211A37)
江苏高校优势学科建设工程(PAPD)
江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
文摘
通过考虑肖特基势垒降低效应求解三段连续的二维泊松方程,建立了双栅掺杂隔离肖特基MOSFET亚阈值区全沟道连续的电势模型。在该电势模型的基础上,推导了阈值电压模型和漏致势垒降低效应的表达式;研究了掺杂隔离区域不同掺杂浓度下的沟道电势分布,分析了沟道长度和厚度对短沟道效应的影响。结果表明,掺杂隔离区域能改善肖特基MOSFET的电学特性;对于短沟道双栅掺杂隔离肖特基MOSFET,适当减小沟道宽度能有效抑制短沟道效应。
关键词
肖特基源漏
掺杂隔离
双栅金属氧化物半导体场效应管
阈值电压
短沟道效应
Keywords
Sehottky source/drain
dopant-segregation
double-gate (DG) MOSFET
threshold voltage
short channel effect
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双栅掺杂隔离肖特基MOSFET的解析模型
王睿
赵青云
朱兆旻
顾晓峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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职称材料
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