掺杂17(Cu-Ni)对18NiO-NiFe_2O_4复合陶瓷烧结气氛及性能的影响

采用粉末冶金法制备了掺杂17(Cu-Ni)的18NiO-NiFe2O4复合陶瓷,研究了掺杂17(Cu-Ni)对18NiO-NiFe2O4复合陶瓷烧结气氛、物相组成、微观形貌、相对密度和抗弯强度的影响。结果表明,在复合陶瓷的烧结过程中,烧结气氛起着显著的影响,氧分压过低时,陶瓷相中Fe2O3首先发生分解生成Fe3O4和O2;氧分压过高时,金属相中的Ni首先发生氧化生成NiO。在可控气氛下烧结,掺杂17(Cu-Ni)后复合陶瓷试样由NiO和NiFe2O4两相组成转变为NiFe2O4(NixFe3-xO4)、NiO和Cu3-xNix三相组成;在1473K烧结时,试样相对密度由83.28%增加到99.04%,抗弯强度由31.93MPa增加到53.41MPa,晶粒尺寸由2～3μm长大到20～30μm,断裂方式由沿晶断裂转变为穿晶断裂。

CoO和Cr2O3复合掺杂对17Ni/(10NiO-NiFe2O4)金属陶瓷力学性能的影响

采用粉末冶金技术制备CoO和Cr2O3复合掺杂17Ni/(10NiO-NiFe2O4)金属陶瓷材料,通过XRD、SEM分析了材料的物相和形貌,并检测了材料的相对密度、显微硬度、断裂韧性及抗弯强度,探究不同含量、不同比例的CoO和Cr2O3复合掺杂剂对金属陶瓷材料力学性能的影响。结果表明:CoO和Cr2O3复合掺杂剂固溶到陶瓷基体相NiFe2O4晶格中,促进了烧结致密化,金属陶瓷的力学性能也随之提升。当添加CoO和Cr2O3复合掺杂剂总量为1%(CoO/Cr2O3质量比1∶2)时,金属陶瓷的硬度和断裂韧性分别高达740.65N/mm^2和9.61MPa·m^1/2,较未掺杂的金属陶瓷试样分别提高了7.35%和169.19%;当添加CoO和Cr2O3复合掺杂剂总量为2%(CoO/Cr2O3质量比2∶1)时,金属陶瓷的抗弯强度高达175.66MPa,较未掺杂的金属陶瓷试样提高了31.97%。

纳米晶BaMgAl_(10)O_(17):Eu复合氧化物的合成及发光特性

采用溶胶-凝胶法制备了纳米晶BaMgAl_(10)O_(17):Eu蓝色荧光粉,并对其进行了表征。结果表明:与微米晶相比,纳米晶的XRD图谱展宽,随着Eu^(2+)浓度的增加,表现为荧光猝灭;荧光猝灭源于晶格迁移。

Cu、Ni掺杂FeS_2电子结构与光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势法,研究Cu、Ni单掺杂与共掺杂体系中FeS_2的晶体结构、电子结构和光学性质。结果表明:掺杂后黄铁矿发生晶格畸变,晶格常数变大,掺杂在FeS_2禁带中引入杂质能级,使禁带变窄,费米能级上移进入导带,掺杂黄铁矿的态密度穿过费米能级,形成简并半导体,体系的导电率增强。光学性质计算表明:掺杂后介电函数虚部主峰、吸收系数和光电导率均出现红移、峰值减小。共掺杂后的光跃迁强度明显增强,可见光区范围内的光吸收系数和光电导率均增大,说明Cu-Ni共掺杂显著增强FeS_2对光的吸收以及光电转换效率。

Si对Sm_2Fe_(17)化合物的结构及其磁性能的影响

系统研究了Ｓｉ置换部分Ｆｅ的Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＳｉｘ（ｘ＝０，１，２，３）化合物及其氢化物的磁性能。首次发现Ｓｍ２（Ｆｅ，Ｓｉ）１７化合物对应的氢化物升温时测得的居里温度比降温时测得的居里温度高，其差值为ΔＴ＊ｃ。详细讨论了ΔＴ＊ｃ与Ｓｍ２（Ｆｅ。

稀土材料掺杂对硼酸盐发光粉性能的影响

用高温固相法合成了Ba_(2-X)b_(10)O_(17):x Eu^(3+)(x=0.04,0.08,0.12,0.16,0.20,0.24,0.28)红色荧光粉,并对此荧光粉的结构及发光特性进行了研究。结果表明,样品用λ_(ex)=406 nm激发时,在λ=702 nm处得到发光光谱,随着Eu^(3+)掺杂浓度的增大,样品的发光性能先增强后减弱。样品在x=0.20处发光性能最好,x<0.20时,随着Eu^(3+)掺杂浓度的增大,样品发光性能增强;x>0.20时,样品发生浓度淬灭,发光性能减弱。说明Eu^(3+)的掺杂浓度在Ba_(2-X)b_(10)O_(17):x Eu^(3+)红色荧光粉的发光性能中发挥重要的作用。

P掺杂对绿色荧光粉BaMgAl_(10)O_(17):Mn^(2+)性能的影响

采用高温固相法合成P掺杂的BaMgAl10O17:Mn2+荧光粉,其中P通过(NH4)2HPO4引入.利用X射线衍射谱、傅里叶变换红外光谱、扫描电子显微镜、能量色散谱、真空紫外光谱等研究了P掺杂对BaMgAl10O17:Mn2+晶体结构、微观形貌、发光性能等的影响.研究结果表明:(NH4)2HPO4具有助熔剂的作用,它的加入有助于荧光粉的晶化,改善荧光粉的形貌.P掺杂进入晶格,使得晶胞参数变小,从而改变了Mn2+的晶体场环境,引起发射光谱蓝移,色坐标x值降低.P掺杂能有效提高基质对真空紫外线的吸收,从而提高真空紫外激发下的发光强度.