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考虑变掺氧富氧燃烧与利用LNG冷能的LAES的综合能源系统低碳经济调度
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作者 王义军 秦烨嵘 +2 位作者 高敏 孙健淳 张希栋 《东北电力大学学报》 2024年第2期99-109,共11页
为促进风电消纳,减少火电机组的碳排放,解决综合能源系统(Integrated Energy System,IES)低碳经济运行问题,文中引入变掺氧富氧燃烧技术对燃气机组进行改造,并结合利用液化天然气(Liquefied Natural Gas,LNG)冷能的液化空气储能(Liquid ... 为促进风电消纳,减少火电机组的碳排放,解决综合能源系统(Integrated Energy System,IES)低碳经济运行问题,文中引入变掺氧富氧燃烧技术对燃气机组进行改造,并结合利用液化天然气(Liquefied Natural Gas,LNG)冷能的液化空气储能(Liquid Air Energy Storage,LAES),提出了一种电热气冷IES低碳经济优化策略。首先,构建含变掺氧富氧燃烧燃气机组、利用LNG冷能的LAES、电转气(Power To Gas,P2G)设备、中央空调和溴化锂制冷机的IES架构,并建立各设备的数学模型;其次,引入阶梯式碳交易机制,建立了以系统运行成本最小为目标的电热气冷IES低碳经济调度模型;最后,采用MATLAB调用GUROBI求解器对多个场景进行求解,验证了文中提出的低碳经济优化调度策略可以提高系统的风电消纳、有效降低系统运行成本,实现碳减排。 展开更多
关键词 液化空气储能 LNG冷能 燃烧 掺氧 电热气冷综合能源系统
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掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法测定地质样品中痕量镱 被引量:4
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作者 吴少尉 陈文武 +3 位作者 吴吉炎 金萍 汤志勇 金泽祥 《理化检验(化学分册)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期23-25,共3页
提出掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法测定地质样品中痕量镱的新方法。使用磺基水杨酸作保护剂消除铝对镱的挥发原子化干扰,KC1作消电离剂消除镱的电离干扰。方法的检出限为0.0042mg·L-1。应用于测定地质标准样品中痕量镱,结果与... 提出掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法测定地质样品中痕量镱的新方法。使用磺基水杨酸作保护剂消除铝对镱的挥发原子化干扰,KC1作消电离剂消除镱的电离干扰。方法的检出限为0.0042mg·L-1。应用于测定地质标准样品中痕量镱,结果与标准值相符,对GBW07302试样测定8次,RSD为5.41%。 展开更多
关键词 原子吸收光谱法 掺氧空气-乙炔火焰 地质样品
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掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法测定钢样中的硅 被引量:3
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作者 吴少尉 张升晖 +2 位作者 杨明 汤志勇 金泽祥 《分析科学学报》 CAS CSCD 2006年第1期121-122,共2页
报道了一种新型掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法测定钢中硅的简便方法。当空气流量为6.0 L/min,氧气流量为4.2 L/min,乙炔流量为7.4 L/min时对硅有较高的灵敏度。常见金属离子对硅的测定干扰少。方法的检出限(3σ)为0.85 mg/L,应用于... 报道了一种新型掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法测定钢中硅的简便方法。当空气流量为6.0 L/min,氧气流量为4.2 L/min,乙炔流量为7.4 L/min时对硅有较高的灵敏度。常见金属离子对硅的测定干扰少。方法的检出限(3σ)为0.85 mg/L,应用于冶金标准管理钢样中的微量硅的测定,结果与标准值相符。对225#碳素钢测定6次,其RSD为3.80%。 展开更多
关键词 掺氧空气-乙炔火焰 原子吸收光谱法 钢样
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掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法测定地质样品中微量钡 被引量:2
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作者 刘汉东 吴旺喜 +4 位作者 陈恒初 吴少尉 梅俊 汤志勇 金泽祥 《岩矿测试》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期187-189,共3页
提出掺氧空气 -乙炔火焰原子吸收光谱法测定地质样品中微量钡的新方法。使用磺基水杨酸作保护剂消除铝对钡的挥发原子化干扰 ,KCl作消电离剂消除钡的电离干扰。方法的检出限 (K =3 )为 0 .0 4mg/L。方法已应用于测定地质标准样品中的微... 提出掺氧空气 -乙炔火焰原子吸收光谱法测定地质样品中微量钡的新方法。使用磺基水杨酸作保护剂消除铝对钡的挥发原子化干扰 ,KCl作消电离剂消除钡的电离干扰。方法的检出限 (K =3 )为 0 .0 4mg/L。方法已应用于测定地质标准样品中的微量钡 ,结果与标准值相符 ,对GBW 0 71 0 3试样测定 6次 ,RSD为 5 .4%。 展开更多
关键词 掺氧空气-乙炔焰 原子吸收光谱法 地质样品 氯化钾 磺基水杨酸
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浊点萃取掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法测定痕量铝 被引量:8
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作者 吴少尉 谢义梅 万春艳 《分析科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期931-934,共4页
本文提出铬天青S作为掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法(FAAS)测定痕量Al^3+的化学改进剂,又作为萃取Al^3+的络合剂。优化了浊点萃取痕量Al^3+的分离富集条件,及掺氧空气-乙炔FAAS测定Al^3+的参数。据此,建立了选择性好﹑简便快速... 本文提出铬天青S作为掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法(FAAS)测定痕量Al^3+的化学改进剂,又作为萃取Al^3+的络合剂。优化了浊点萃取痕量Al^3+的分离富集条件,及掺氧空气-乙炔FAAS测定Al^3+的参数。据此,建立了选择性好﹑简便快速测定水样中痕量Al^3+的新方法。方法的检出限(3σ)为4.5μg/L,测定Al^3+的线性范围为15-1 600μg/L,相对标准偏差(RSD)是3.8%(cAl=100μg/L,n=7),加标回收率在96.1%-105.9%之间,理论富集倍数为50。 展开更多
关键词 浊点萃取 掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法 AL^3+
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用Raman光谱研究掺氧多晶硅的微结构 被引量:2
6
作者 王云珍 潘尧令 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期534-537,共4页
本文用Raman谱特征和Raman峰强度的变化,揭示掺氧多晶硅(SIPOS)的微结构:对于各种氧含量(从8%到38%)的SIPOS生长膜是一种无序结构,其中元素Si呈无定形相.高温(T>900℃)热退火后,薄膜经历了一个再结晶过程,并出现了微晶区,Si微晶尺... 本文用Raman谱特征和Raman峰强度的变化,揭示掺氧多晶硅(SIPOS)的微结构:对于各种氧含量(从8%到38%)的SIPOS生长膜是一种无序结构,其中元素Si呈无定形相.高温(T>900℃)热退火后,薄膜经历了一个再结晶过程,并出现了微晶区,Si微晶尺寸随退火温度的提高而增大.膜中氧浓度增加对微晶生长有抑制作用,故膜中氧含量增加将使Si晶粒度减小,或者相应的使薄膜再结晶的温度提高. 展开更多
关键词 喇曼光谱 掺氧多晶硅 结构 粒度
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掺氧空气—乙炔火焰原子吸收光谱法测定地质样品中的镓 被引量:1
7
作者 董纪珍 吴少尉 《国外分析仪器技术与应用》 2002年第4期52-54,共3页
研究了掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法测定镓的方法,优化了实验条件,选择了最佳的观察高度、氧气流量和乙炔流量,提高了测定的灵敏度,并可较好的抑止空气-乙炔火焰中共存离子的干扰,方法的特征浓度达到0.40μg/mL/1%吸收,相... 研究了掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法测定镓的方法,优化了实验条件,选择了最佳的观察高度、氧气流量和乙炔流量,提高了测定的灵敏度,并可较好的抑止空气-乙炔火焰中共存离子的干扰,方法的特征浓度达到0.40μg/mL/1%吸收,相对标准偏差为3.65%,该法快速、简便、准确,适合一般地质样品中镓的测定。 展开更多
关键词 测定 掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法 地质样品
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掺氧非晶硅的正电子寿命研究
8
作者 史志强 刘克源 +2 位作者 王学恩 刘兴胜 杨子强 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期811-813,共3页
在室温下测量了掺氧非晶硅薄膜的正电子寿命谱.实验发现,随着掺氧量的增加,正电子寿命减小,对应的相对强度增加.据此,本文从电子密度、悬挂键和微空洞等方面讨论了氧掺杂对非晶硅薄膜微观结构的影响.
关键词 非晶硅 掺氧 正电子寿命
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掺氧GaAs单晶的红外吸收研究 被引量:1
9
作者 王富咸 朱悟新 +1 位作者 尹庆民 江德生 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期119-122,共4页
报道了掺 As_2O_3 和掺 Ca_2O_3+Cr 水平法生长的 CaAs 单晶中氧有关缺陷的红外吸收谱,揭示了氧缺陷吸收蜂的出现和样品电阻率的依赖关系,并对氧缺陷中心(O_i-V_(As))的负 U 特性进行了讨论。淬火实验表明,氧还可能以其它形态存在于 Ga... 报道了掺 As_2O_3 和掺 Ca_2O_3+Cr 水平法生长的 CaAs 单晶中氧有关缺陷的红外吸收谱,揭示了氧缺陷吸收蜂的出现和样品电阻率的依赖关系,并对氧缺陷中心(O_i-V_(As))的负 U 特性进行了讨论。淬火实验表明,氧还可能以其它形态存在于 GaAs 晶体中。 展开更多
关键词 掺氧砷化镓 单晶 红外辐射
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LPCVD掺氧多晶硅电学特性研究 被引量:1
10
作者 潘尧令 王云珍 王济身 《电子科学学刊》 CSCD 1991年第4期372-377,共6页
本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SIPOS的含氧量增加,其电导率下降;在退火过程中,随退火温度的不同,SIPOS的电导率的变化存在两个不同过程:... 本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SIPOS的含氧量增加,其电导率下降;在退火过程中,随退火温度的不同,SIPOS的电导率的变化存在两个不同过程:低温退火过程中,电导率的变化与SIPOS中的Si-O键的分布和作用有关;而在高温退火过程中,电导率的变化则是SIPOS薄膜再结晶的结果。本文对SIPOS的掺杂效应也进行了研究。结果表明,SIPOS掺杂后电导率明显提高;而含氧量对掺杂后的SIPOS的电导率的提高具有明显的抑制作用。 展开更多
关键词 掺氧 多晶硅 汽相淀积 电学特性
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固相萃取掺氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法测定水和植物样品中的痕量镓 被引量:4
11
作者 叶陆芳 宋小华 +3 位作者 余代顺 杨小慢 谢文根 吴少尉 《岩矿测试》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期243-250,共8页
目前研究萃取分离富集镓大多偏向在强酸性体系中,一定程度上给操作带来安全风险,另需耐酸器皿设备,易污染,空白背景值高。本文开发了一种在弱酸性条件下萃取分离富集痕量镓的方法。以大孔吸附树脂为载体,十六烷基三甲基溴化铵调节其表... 目前研究萃取分离富集镓大多偏向在强酸性体系中,一定程度上给操作带来安全风险,另需耐酸器皿设备,易污染,空白背景值高。本文开发了一种在弱酸性条件下萃取分离富集痕量镓的方法。以大孔吸附树脂为载体,十六烷基三甲基溴化铵调节其表面极性,热固化负载2-乙基己基磷酸(2-乙基己基)酯,制备了镓的萃取树脂。动态考察了固相萃取镓的吸附容量,优化选择固相萃取分离富集条件,实验表明萃取条件温和,分离富集痕量镓效果理想。当溶液酸度为pH 2.5时,Ga(Ⅲ)达到最大的回收率99%,并确定了掺氧空气乙炔火焰原子吸收光谱法(FAAS)测定镓的最佳参数,提升了常规空气乙炔FAAS测定镓的灵敏度。方法检出限(3σ)为2.6ng/mL,相对标准偏差(RSD,n=7)为2.87%,加标回收率在95.7%~102.0%之间,理论富集倍数为40。本方法已应用于自来水、中药材和水培蔬菜样品中痕量镓的测定,简便、快速、可靠。 展开更多
关键词 植物 固相萃取 掺氧空气乙炔火焰 原子吸收光谱法
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掺氧多晶硅(SIPOS)薄膜结晶学性质研究
12
作者 潘尧令 王云珍 王济身 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期364-368,共5页
本文用XRD,RHEED和SEM对LPCVD掺氧多晶硅的结晶学性质进行了研究.结果表明,对于含氧量为8~37at%预淀积SIPOS薄膜其结构呈无定形.当进行高温热退火(T_a≥900℃)时,薄膜经历了一个再结晶过程.晶粒度的大小与退火条件有关;而修氧多晶硅中... 本文用XRD,RHEED和SEM对LPCVD掺氧多晶硅的结晶学性质进行了研究.结果表明,对于含氧量为8~37at%预淀积SIPOS薄膜其结构呈无定形.当进行高温热退火(T_a≥900℃)时,薄膜经历了一个再结晶过程.晶粒度的大小与退火条件有关;而修氧多晶硅中的含氧量对再结晶过程具有抑制作用. 展开更多
关键词 掺氧多晶硅 薄膜 结晶学
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溅射羽辉与基底夹角对掺氧二硫化钼薄膜光学性质的影响
13
作者 赵子楠 武金涛 +3 位作者 梁智健 朱亚彬 刘歌 陈云琳 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第11期1871-1877,共7页
二硫化钼(MoS_(2))在环境中的热稳定性和化学稳定性好,迁移率相对较高,已应用于气体传感器、光电探测器和场效应管等器件的研制。采用氧气辅助技术生长的氧掺杂MoS_(2)(MoS_(2-x)O_(x))不仅可以调控MoS_(2)单晶尺寸,还能提高MoS_(2)单... 二硫化钼(MoS_(2))在环境中的热稳定性和化学稳定性好,迁移率相对较高,已应用于气体传感器、光电探测器和场效应管等器件的研制。采用氧气辅助技术生长的氧掺杂MoS_(2)(MoS_(2-x)O_(x))不仅可以调控MoS_(2)单晶尺寸,还能提高MoS_(2)单晶光致发光强度。本文采用射频反应磁控溅射技术、自然环境中氧化和热退火工艺,改变溅射羽辉与玻璃基底夹角来制备MoS_(2-x)O_(x)薄膜并研究其光学性质。采用X射线光电子能谱分析了样品的元素和价态;扫描电子显微镜观测的结果表明,溅射羽辉与基底成45°(θ=45°)时表面形貌为最优;紫外-可见分光光度计的测试结果表明,随着厚度和氧含量的增加,MoS_(2-x)O_(x)薄膜的光学带隙减小;采用COMSOL Multiphysics软件模拟了MoS_(2-x)O_(x)薄膜光学透过率,理论和实验结果相吻合。本文的研究结果将为MoS_(2-x)O_(x)薄膜在光学领域的应用提供科学参考。 展开更多
关键词 掺氧二硫化钼 气辅助技术 磁控溅射 羽辉 透过率 光学带隙 COMSOL
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LPCVD掺氧多晶硅薄膜淀积及其特性
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作者 潘尧令 王云珍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期51-55,46,共6页
本文对LPCVD掺氧多晶硅的工艺特性进行了研究,尤其是分析和讨论了在LPCVD系统中淀积温度、反应气体流量比(N_2O/SiH_4)及硅烷(SiH_4)流量对SIPOS薄膜的工艺参数及薄膜性质的影响,并对LPCVD-SIPOS的有关性质进行了讨论。
关键词 多晶硅薄膜 掺氧 淀积 LPCVD
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瓦斯发电机组利用超低浓度瓦斯掺氧发电可行性分析 被引量:2
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作者 徐乐宇 《煤炭与化工》 CAS 2020年第11期117-120,共4页
针对瓦斯发电机组气源中甲烷体积含量低于13%,机组无法启机发电的实际,通过调研分析,提出了利用工业制氧机补充纯氧,来实现利用超低浓度瓦斯进行发电的目的,通过建立最小化实验模型和测算,证明该项目可带来显著的经济、环保和节能效益,... 针对瓦斯发电机组气源中甲烷体积含量低于13%,机组无法启机发电的实际,通过调研分析,提出了利用工业制氧机补充纯氧,来实现利用超低浓度瓦斯进行发电的目的,通过建立最小化实验模型和测算,证明该项目可带来显著的经济、环保和节能效益,具有良好的推广价值。 展开更多
关键词 超低浓度瓦斯 掺氧发电 可行性分析
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用掺氧多晶硅钝化技术制造高可靠高压晶体管 被引量:2
16
作者 王军 杨晓智 《半导体情报》 2001年第2期40-42,共3页
论述了 SIPOS钝化的原理、生产 SIPOS晶体管的工艺步骤 。
关键词 SIPOS 掺氧多晶硅 平面高压技术 高压晶体管
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2009048控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿一氰化法提金工艺
17
《中国有色冶金》 北大核心 2009年第5期79-79,共1页
本发明涉及黄金的提取工艺,特别是一种控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿一氰化法提金工艺。将燃煤炉产生的高温燃气补充空气并预冷却至450~850℃后作为热解气导人热解炉,对原生金矿进行热力分解和氧化分解,使它变成金矿熟料。将热... 本发明涉及黄金的提取工艺,特别是一种控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿一氰化法提金工艺。将燃煤炉产生的高温燃气补充空气并预冷却至450~850℃后作为热解气导人热解炉,对原生金矿进行热力分解和氧化分解,使它变成金矿熟料。将热解后的金矿熟料粉碎至-5mm,放入氰化池,用氰化钠溶液浸泡提金。 展开更多
关键词 原生金矿 提金工艺 高温燃气 化分解 热解炉 氰化法 掺氧 控温
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控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿—氰化法提金工艺
18
《黄金》 CAS 2003年第4期30-30,共1页
本发明涉及黄金的提取工艺,特别是一种控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿-氰化法提金工艺,将燃煤炉产生的高温燃气补充空气并预冷却至450-850℃后作为热解气导入热解炉,对原生金矿进行热力分解和氧化分解,使它变成金矿熟料,将热... 本发明涉及黄金的提取工艺,特别是一种控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿-氰化法提金工艺,将燃煤炉产生的高温燃气补充空气并预冷却至450-850℃后作为热解气导入热解炉,对原生金矿进行热力分解和氧化分解,使它变成金矿熟料,将热解后的金矿熟料粉碎至-5mm,放入氰化池,用氰化钠溶液浸泡提金,热解金矿后的废气送至废气净化段,加入石灰粉,将废气中的SO2和As2O3转变为不溶性的无公害固体物-亚硫酸钙和亚砷酸钙,经布袋除尘滤除(或淋洗塔脱尘)后排入大气。 展开更多
关键词 控温掺氧式燃气热解炉 原生金矿 氰化法提金工艺
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控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿——氰化法提金工艺
19
作者 张至德 《黄金科学技术》 2005年第4期31-31,共1页
本发明涉及黄金的提取工艺,特别是一种控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿——氰化法提金工艺。将燃煤炉产生的高温燃气补充空气并预冷却至450~850℃后作为热解气导人热解炉,对原生金矿进行热力分解和氧化分解,使它变成金矿熟料。将... 本发明涉及黄金的提取工艺,特别是一种控温掺氧式燃气热解炉分解原生金矿——氰化法提金工艺。将燃煤炉产生的高温燃气补充空气并预冷却至450~850℃后作为热解气导人热解炉,对原生金矿进行热力分解和氧化分解,使它变成金矿熟料。将热解后的金矿熟料粉碎至-5mm,放人氰化池,用氰化钠溶液浸泡提金。热解金矿后的废气送至废气净化段,加入石灰粉,将废气中的SO2和As2O3转变为不溶性的无公害固体物——亚硫酸钙和亚砷酸钙,经布袋除尘滤除(或淋洗塔脱尘)后排入大气。 展开更多
关键词 原生金矿 化分解 提金工艺 高温燃气 热解炉 氰化法 掺氧 控温 废气净化
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掺氧多晶硅薄膜中氢的行为初探
20
作者 王云珍 黄碧琳 《薄膜科学与技术》 1993年第1期23-27,共5页
关键词 薄膜 多晶 掺氧多日硅
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