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快速热处理对高能粒子辐照硅中氧沉淀的影响 被引量：1
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作者 陈贵锋 马晓薇 +3 位作者 吴建海 马巧云 薛晶晶 郝秋艳 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期928-933,953,共7页
研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si)和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ)的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐... 研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si)和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ)的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐照NCZ-Si,RTP有助于后期退火中DZ的生成,且RTP温度越高,形成的DZ越宽;而高的降温速率会使得DZ宽度变窄;对于电子辐照CZ-Si,在N2气氛下高温RTP更能促进氧沉淀形成,体缺陷(bulk micro defects,BMDS)密度较大. 展开更多
关键词 中子辐照 电子辐照 掺氮直拉硅 直拉硅 氧沉淀 清洁区
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