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题名p^+-n^--n结的势垒分布
被引量:1
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作者
赵普琴
杨锡震
李桂英
王亚非
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机构
北京师范大学分析测试中心
中国科学院半导体材料科学开放实验室
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2001年第1期48-51,共4页
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基金
国家科委预研项目
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文摘
GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。 根据载流子分布的连续性, 由泊松方程自洽求解, 得出了半导体n^--n结势垒分布的计算方法。 在此基础上,计入n^-区内的电位降, 计算了商用发光二极管p^+-n^--n结构的势垒分布, 为整体结构的参数优化准备了必要的条件。
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关键词
发光二级管
势垒
掺氮磷化镓
P-N结
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Keywords
GaP
LED
barrier
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分类号
O475
[理学—半导体物理]
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题名GaP:N液相外延材料发光区域的荧光测量
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作者
陈显锋
丁祖昌
董绵豫
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机构
浙江大学物理系
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出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期707-710,共4页
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文摘
通过磨斜角 ,用光致发光法测量了 Ga P:N液相外延 (L PE)材料中 n区和 p区的发光强度。从被测点的荧光谱中可以看出 ,n区和 p区均为发光区域 ,但是在 p- n结两侧氮 (N)浓度大致相同的情况下 ,p区的发光强度明显高于 n区的发光强度 ,约为 n区发光强度的 3~ 5倍。此实验结果表明 ,在 p、n结附近杂质浓度较低情况下 ,Ga P:N绿色发光外延材料中的发光区域主要是在 p区。
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关键词
液相外延材料
掺氮磷化镓
荧光测量
发光区域
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Keywords
Ga P:N liquid phase epitaxy material, photoluminescence, light- emitting re- gion
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
TN383
[电子电信—物理电子学]
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