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掺钨VO_2薄膜的电致相变特性
被引量:
7
1
作者
张娇
李毅
+6 位作者
刘志敏
李政鹏
黄雅琴
裴江恒
方宝英
王晓华
肖寒
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第23期277-285,共9页
采用直流磁控溅射与后退火工艺相结合的方法,在掺氟SnO_2(FTO)导电玻璃基底上制备了高质量的掺钨VO_2薄膜,对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行测试,分析了钨掺杂对其相变性能的影响.结果表明,室温下掺钨VO_2薄膜的阈值电压为4.2 V,...
采用直流磁控溅射与后退火工艺相结合的方法,在掺氟SnO_2(FTO)导电玻璃基底上制备了高质量的掺钨VO_2薄膜,对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行测试,分析了钨掺杂对其相变性能的影响.结果表明,室温下掺钨VO_2薄膜的阈值电压为4.2 V,观察到阈值电压下约有两个数量级的电流突变.随着温度升高,相变的阈值电压降低,且电流突变幅度减小.当施加8 V电压时,分别在不同温度下测试了掺钨VO_2薄膜的透过率.温度为20和50℃时,掺钨VO_2薄膜相变前后的红外透过率差量分别为23%和27%.与未掺杂的VO_2薄膜相比,掺钨VO_2薄膜具有相变温度低、阈值电压低和电阻率小的特点,在高速光电器件中有广阔的应用前景.
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关键词
掺钨vo2薄膜
电致相变
阈值电压
光透过率
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职称材料
题名
掺钨VO_2薄膜的电致相变特性
被引量:
7
1
作者
张娇
李毅
刘志敏
李政鹏
黄雅琴
裴江恒
方宝英
王晓华
肖寒
机构
上海理工大学光电信息与计算机工程学院
上海市现代光学系统重点实验室
上海电力学院电子与信息工程学院
上海健康医学院影像学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第23期277-285,共9页
基金
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z348)
教育部科学技术研究重点项目(批准号:207033)
+2 种基金
上海市科学技术委员会科技攻关计划(批准号:06DZ11415)
上海市教育委员会科技创新重点项目(批准号:10ZZ94)
上海领军人才培养计划(批准号:2011-026)资助的课题~~
文摘
采用直流磁控溅射与后退火工艺相结合的方法,在掺氟SnO_2(FTO)导电玻璃基底上制备了高质量的掺钨VO_2薄膜,对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行测试,分析了钨掺杂对其相变性能的影响.结果表明,室温下掺钨VO_2薄膜的阈值电压为4.2 V,观察到阈值电压下约有两个数量级的电流突变.随着温度升高,相变的阈值电压降低,且电流突变幅度减小.当施加8 V电压时,分别在不同温度下测试了掺钨VO_2薄膜的透过率.温度为20和50℃时,掺钨VO_2薄膜相变前后的红外透过率差量分别为23%和27%.与未掺杂的VO_2薄膜相比,掺钨VO_2薄膜具有相变温度低、阈值电压低和电阻率小的特点,在高速光电器件中有广阔的应用前景.
关键词
掺钨vo2薄膜
电致相变
阈值电压
光透过率
Keywords
tungsten-doped
vo
2
film
electrically-induced phase transition
threshold
vo
ltage
optical transmittance
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺钨VO_2薄膜的电致相变特性
张娇
李毅
刘志敏
李政鹏
黄雅琴
裴江恒
方宝英
王晓华
肖寒
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
7
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