高迁移率透明导电In_2O_3:Mo薄膜

用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%。X ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性。分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制。

二苯并噻吩和4-甲基二苯并噻吩在Mo和CoMo/γ-Al_2O_3催化剂上加氢脱硫的反应机理

研究了二苯并噻吩(DBT)和4-甲基二苯并噻吩(4-MDBT)在Mo/γ-Al_2O3和CoMo/γ-Al_2O_3上加氢脱硫反应的产物分布及其可能的反应网络,并通过反应压力和温度对产物分布的影响,揭示了加氢脱硫反应的可能机理。DBT在Mo/γ-Al_2O_3上的加氢脱硫反应主要通过直接氢解路径和加氢路径进行,两种途径的作用相近;在CoMo/γ-Al_2O_3催化剂上的加氢脱硫主要通过直接氢解路径进行。4-MDBT在Mo/γ-Al_2O_3和CoMo/γ-Al_2O_3上的加氢脱硫反应主要通过加氢路径进行。Co的加入有助于提高Mo/γ-Al_2O_3催化剂的加氢脱硫活性,尤其是直接氢解脱硫活性。4-MDBT加氢脱硫反应中加氢路径的相对作用显著大于DBT加氢脱硫反应的加氢路径,间接证明4-MDBT的加氢脱硫过程存在对“端连吸附”的空间位阻。4-MDBT分子中甲基的供电子作用有利于促进苯环的加氢反应,从而有助于缩小与DBT分子间加氢脱硫活性的差别。在DBT和4-MDBT加氢脱硫反应中,反应压力和温度对加氢路径的影响大于对氢解路径的影响。

Ce_2Mo_3O_(12)超微粒子的制备及催化性能

以硝酸铈和钼酸铵为原料 ,采用溶胶 -凝胶法和微波加热技术制备了Ce2 Mo3 O12 超微粒子催化剂 ,使用DTA -TG ,IR ,XRD以及BET比表面测试等表征手段 ,考察了制备条件对复合氧化物超微粒子形成 ,晶相和比表面积的影响 .同时 ,测试了该样品对甲苯选择性氧化制苯甲醛反应的催化性能 .结果表明 :制备Ce2 Mo3 O12 超微粒子的适宜条件为 :初始溶液pH =1.0 ,柠檬酸 / (铈 +钼 )摩尔比等于 0 .4 ,在此条件下制得的干凝胶 ,经微波加热处理后 ,粒子的比表面积为 35 .8m2 /g ,粒径约为 4 0nm .

氮化钼与五氧化二钽复合电极性能的研究

在添加Ta2O5下,通过MoO3混合物与NH3反应制得氮化钼与五氧化二钽复合活性电极材料,运用XRD对复合活性电极材料进行了表征,采用循环伏安法对γ氮化钼及其复合电极进行电化学测量,研究成膜物质的结晶形态、表面形貌和对电容的影响。结果表明氮化钼与五氧化二钽复合电极成膜均匀,与基体附着性强,电容特征显著,具有良好的稳定性与重现性,而且明显改善电容器的大功率放电特性,添加Ta2O5可以使Mo2N的工作电位窗口拓宽0.40倍,相同条件下电容值增加0.50倍。

Mo_2C/Al_2O_3催化剂用于甲烷部分氧化(POM)制合成气的研究

制备了一系列不同Mo2C担载量的Mo2C/Al2O3催化剂,利用微型固定床反应器对其POM反应进行了活性评价,并采用XRD、SEM和BET等方法进行了结构表征.实验结果表明,纯Mo2C催化剂在反应初期有较高的CH4转化率,但CO和H2的选择性很低,随着反应时间的增加,CH4转化率急剧下降.Mo2C担载量小于24.8%的催化剂,随担载量增加,CH4转化率明显升高.同时,随着反应时间的增加,CH4转化率有所下降,CO和H2的选择性则明显升高.Mo2C担载量在35.4%～42.5%的催化剂,具有好的CH4转化率和CO、H2选择性,但担载量过高时,CH4转化率会随反应时间的增加而下降.结构表征表明,未担载的和担载的碳化物催化剂均为β-Mo2C,担载量小于10.6%时,Mo2C高度分散于Al2O3表面,担载量较高时,Mo2C颗粒变大,比表面减小.

氮化钼上肉桂醛的选择加氢

本文研究了Mo2N和Mo2N/Al2O3上肉桂醛选择加氢反应特性,并与Co/Al2O3进行了比较.结果表明,影响肉桂醛加氢的主要因素是肉桂醛在催化剂上的吸附和反应物的使用时间.使用新鲜原料时,Mo2N/Al2O3与Co/Al2O3上肉桂醛选择加氢反应性能相当,具有很高的C=O键加氢选择性.423K时,在反应原料使用较长时间后,由于吸收空气中的氧,反应过程中使Mo2N催化剂表面氧化而使其丧失C=O键选择加氢能力.

电子束反应蒸发制备高迁移率IMO薄膜及其性能研究

研究了掺杂剂含量对电子束反应蒸发技术生长掺钼氧化铟（In2O3：Mo,IMO）薄膜的微观结构以及光学和电学性能的影响。采用高纯度In2O3：MoO3陶瓷靶和O2作为源材料。随着MoO3掺杂剂含量的增加,IMO薄膜电阻率先降低而后增加,光学性能呈现薄膜透过率下降的趋势。在1.0 wt.%MoO3掺杂剂含量时,获得最佳薄膜性能,薄膜电阻率ρ约为1.97×10^-4Ω.cm,方块电阻Rs约为18Ω/□,载流子浓度n约为6.85×1020cm^-3,电子迁移率μ约为46.3 cm2.V^-1.s^-1,可见光和近红外区域透过率T约为75%-85%（含玻璃衬底）。这种高迁移率的IMO薄膜有望应用于μc-Si：H薄膜太阳电池以及a-Si：H/μc-Si：H硅叠层薄膜太阳电池。