掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响(英文)

利用霍尔效应、电流 电压 (I V)、光致发光谱 (PL)和光电流谱 (PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质 .半绝缘InP的I V特性明显地依赖于掺铁的浓度 .掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料中缺陷的形成有影响 .用PL和PC分别研究了掺铁半绝缘InP的禁带收缩现象和材料中的缺陷 .

光诱导光子晶格折射率对比度影响因素的探究

由实验测量得到的不同写入角度下的衍射效率,通过衍射效率与折射率对比度的关系,间接得到了折射率对比度与光子晶格周期的关系。关系表明折射率对比度随晶格周期的变化确实有一极值存在。说明写入不同周期的光子晶格会有不同的折射率对比度。用不同掺铁浓度的晶体实验时发现随着掺铁浓度的增大折射率对比度的最大值也增大,并且最大值的位置向晶格周期小的方向移动,这与理论计算结果相吻合。因此,在实验与理论上证实了折射率对比度确实与写入的光子晶格的周期和掺铁浓度有关。