高浓度掺Er^(3+)铌酸锂晶体的光谱参数计算

用提拉法成功地生长了6mol%的高浓度掺铒铌酸锂晶体。测量了晶体的两个非偏振方向(X和Z)以及两个偏振方向(π和δ)的吸收光谱。高浓度掺铒铌酸锂晶体的吸收系数高,有利于提高泵浦效率。根据所测的吸收光谱用Judd-Ofelt理论拟合出了Er3+离子的强度参数Ωλ。所得的均方差结果显示偏振拟合的误差要小于非偏振拟合。利用偏振吸收数据计算了各能级跃迁的自发辐射跃迁几率(AJJ′)、辐射寿命(τ)、荧光分支比(β)和积分发射截面(σp)等参数,对计算结果进行了讨论并与其他文献的报道结果进行了比较。

高掺锌富锂铌酸锂晶体抗光损伤能力的研究

以Czochralski法生长Zn( 6mol% ) :LiNbO3,Li/Nb =0 .94 ,0 .97,1,1.0 2。测试晶体的光损伤阈值。采用质子交换法制作高掺锌富锂铌酸锂晶体光波导 。

氧化还原对掺铁LiNbO_3晶体的吸收边和透过率的影响

着重研究了经过不同氧化还原处理的不同掺杂及浓度的掺铁铌酸锂晶体的吸收边和透射谱 ,认为晶体的能带结构随掺杂离子及离子的价态变化而变化 ,并解释了吸收边的有关实验结果 .

LiNbO_3∶Fe晶体中光写入阵列平面光波导的实验实现

采用两束相干平行光形成的干涉光场辐照LiNbO3 ∶Fe晶体 ,通过光折变效应在晶体中写入了阵列平面光波导 分别采用马赫 -曾德干涉仪光路和光栅衍射法测量了阵列平面光波导的横向折射率分布和周期 ,并对所写入的阵列平面光波导进行了初步的导光测试 实验结果表明 。

Mg^(2+)对Fe∶LiNbO_3晶体光折变响应时间的影响

在 Fe∶Li Nb O3 中掺进 3 mol%和 6mol% Mg O,生长了 Mg∶Fe∶L i Nb O3 晶体 .测试了 Mg∶Fe∶Li Nb O3 晶体抗光致散射能力、衍射效率、响应时间和光电导 .推导响应时间与光电导之间的关系 .在 Fe∶Li Nb O3 晶体中掺进 6mol%的 Mg2 + ,它的抗光致散射能力比Fe∶L i Nb O3 晶体提高一个数量级 ,响应速度比 Fe∶Li Nb O3

Mg:Ce:Fe:LiNbO_3晶体生长及其全息存储性能

在同成分LiNbO3(LN)中,掺入MgO的摩尔分数分别为0,2%,4%,6%,掺入(质量分数)0.1%CeO2和0.08%Fe2O3,采用提拉法生长了优质的Mg:Ce:Fe:LN晶体。检测了Mg:Ce:Fe:LN晶体的红外透射光谱和光损伤阈值。结果表明:6%Mg:0.1%Ce:0.08%Fe:LN晶体的OH-振动吸收峰紫移到3532cm-1,其光损伤阈值比Ce:Fe:LN晶体提高2个数量级以上。用二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间。计算了光折变灵敏度和动态范围。结果表明:Mg:Ce:Fe:LN晶体全息存储性能优于Fe:LN晶体和Ce:Fe:LN晶体。以4%Mg:0.1%Ce:0.08%Fe:LN晶体作为全息记录材料,实现了总存储页面为3200幅图像的存储,再现图像清晰完整。

掺锌LiNbO_3晶体的生长及其光学性能

在 Li Nb O3 中掺进 3 mol%、5mol%、7mol% Zn O生长 Zn∶ L i Nb O3 晶体 .测试Zn∶ L i Nb O3 晶体的吸收光谱 ,研究 Zn∶ Li Nb O3 晶体吸收边紫移的机制 .测试 Zn∶ Li Nb O3晶体的红外光谱 ,研究 Zn( 7mol% )∶L i Nb O3 晶体 OH-吸收峰由 3 484cm- 1移到 3 53 0 cm- 1的机制 .测试 Zn∶ L i Nb O3 晶体倍频转换效率和相位匹配温度 ,研究 Zn∶ Li Nb O3

激光波长对镁钌铁铌酸锂的全息存储性能影响

在生长Fe∶LiNbO3熔体中掺进摩尔分数x(Ru2O3)=0.1%和x(MgO)=1%、3%、7%,用提拉法生长镁钌铁铌酸锂(Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3)晶体。通过二波耦合光路,分别以红光(632.8nm)、绿光(532nm)和蓝光(476nm)为光源测量晶体的全息存储性能。实验结果表明,在476nm下,Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体全息存储性能随着Mg离子掺杂浓度的增加而呈现逐渐增强的趋势,与其在红光和绿光下不同。研究了Mg离子掺杂浓度的增加使Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体的蓝光全息存储性能增强的机理。

氧化还原处理对Fe:LiNbO_3晶体光折变性能及热固定效果的影响

在LiNbO3中掺进Fe2 O3生长了Fe :LiNbO3晶体 ,并对晶体进行氧化、还原处理。利用二波耦合的方法 ,测试了不同氧化还原处理的Fe :LiNbO3,晶体的指数增益系数、衍射效率及响应时间。测试了三种不同处理晶体热固定后的显影效率 ,记录了全息先栅的记录、热补偿及离子衰减过程。

Mn∶Fe∶LiNbO_3晶体光折变效应的研究

在 L i Nb O3中掺入 Fe2 O3和 Mn CO3生长 Mn∶ Fe∶ L i Nb O3晶体 ,对晶体进行极化处理及氧化还原处理。测试晶体的吸收光谱、指数增益系数、衍射效率和有效载流子浓度。结果表明 ,经还原处理的 Mn∶ Fe∶ L i Nb

Fe∶LiNbO_3晶体中全息图的选择性擦除研究

研究选择性擦除的原理和方法 .针对铌酸锂晶体中定影全息图和未定影全息图的特点 ,介绍相应的选择性擦除的原理和在物光和参考光中引入π相位差的几种方法 .通过引入π相位差记录互补全息图 ,利用全息图及其互补全息图的非相干叠加 ,消除原全息图对晶体折射率的调制 ,从而实现对未定影全息图的选择性擦除 .实验中实现了在晶体中某一数据页面内部分数据的擦除 ,并从理论上对实验结果进行了分析 .

双掺杂LiNbO_3晶体的桥式互泵浦相位共轭及竞争效应的研究

本文选择双掺杂Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体实现了桥式互泵浦相位共轭，观察到自泵浦相位共轭 与桥式互泵浦相位共轭之间的竞争效应，并进行了分析讨论．

Fe∶LiNbO3晶体角度复用全息实验研究

研究了以掺铁铌酸锂(Fe∶LiNbO3)晶体为记录介质的光折变体的全息记录和读出特性.搭建了角度复用光折变体全息记录的实验光路,记录了光折变全息图.实验研究了Fe∶LiNbO3晶体的响应灵敏度,测量了光折变体全息记录和读出的衍射效率,测量了最小角度复用间隔,实验结果有助于评估和优化角度复用全息图的容量.

掺杂LN晶体光折变效应及图象光存储特性

利用514.5nm和632.8nm波长的激光,研究了单掺杂Fe和双掺杂Ce:Fe离子铌酸锂晶体的光折变二波耦合及光折变全息存储特性。实验结果表明生长态双掺杂Ce:Fe与单掺杂Fe的LiNbO_3晶体的光折变波耦合增益差异不明显,但双掺杂Ce:Fe的LiNbO_3晶体的图象存储和擦除特性明显得到改善。氧化态样品具有较大的透过率光谱范围和较好的图象存储质量;还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性。

LiNbO_3和LiTaO_3拉曼光谱中的反复转馈现象

ＬｉＮｂＯ＿３和ＬｉＴａＯ＿３拉曼光谱中的反复转馈现象张昊（中国科学院物理所北京１０００８０）郝伟，廖理几（北京工业大学应用物理系北京１０００２２）Ｒｏｕｎｄ－ｔｒｉｐＦｅｅｄｔｈｒｏｕｇｈＥｆｆｅｃｔｓｉｎＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＬｉｎｂＯ＿３...

近化学计量组分掺铒铌酸锂晶体光学特性研究

用气相输运平衡技术成功地制备出了近化学计量组分的Er∶LiNbO3晶体 ,系统地研究了该晶体的吸收边移动、可见—红外透射谱、荧光光谱的物理特性 .与同成分Er∶LiNbO3晶体相比 ,近化学计量组分Er∶LiNbO3晶体的吸收边出现了“蓝移” ;OH- 吸收带明显减弱 ;在可见—近红外波段呈现出更高的透过率 ;同时Er3+ 离子的发光强度也明显提高 .

LiNbO_3:Fe晶体中光写入波导时折射率的变化规律

研究了利用光辐照法制作光折变波导时LiNbO3:Fe晶体中折射率变化的规律 .分别采用波长为 63 2 8nm和5 3 2nm的寻常偏振和非常偏振的细激光束和片状激光束 ,在LiNbO3:Fe晶体中进行了写入波导实验 .研究表明 ,制作波导的写入光宜采用寻常偏振光 .在利用由光束辐照LiNbO3:Fe晶体形成的正折射率变化区域作为波导结构时 ,必须严格控制辐照时间 .否则 ,由于长时间光辐照会带来较强的噪音栅以及折射率变化区域会发生扩展 ,而难以形成优质波导 .利用片光在“三明治”方式辐照下 ,以小曝光量制作波导时 ,可以避免噪音栅的影响 ,形成高质量的对称型光波导 .通过选择不同的光束宽度和片光间距 。

Fe∶LiNbO_3和(Fe,Tb)∶LiNbO_3晶体中入射光强对光折变性质的影响

用一种新的测量方法在不同入射光强下同时观测了Fe∶LiNbO3 和 (Fe,Tb)∶LiNbO3 晶体中光致折射率变化Δns、吸收系数α和光电导σph与入射光强I的依赖关系 。

光生伏打LiNbO_3:Fe晶体从自散焦到等效“自聚焦”的动态转换

实验研究了在一定条件下LiNbO3:Fe晶体中从自散焦到等效“自聚焦”转换的动态行为 ,提出了出现自聚焦的物理机理为双相位共轭的法布里 珀罗干涉腔中的多光束干涉与光折变效应的共同结果 .

c向切割掺杂LiNbO_3晶体中的光耦合

实验研究了三种c向切割的不同掺杂的LiNbO3:Fe晶体中入射光与反射光的耦合情况 .发现沿 -c轴方向入射时透射光与反射光强的准周期振荡行为是光生伏打机制占优势的瞬态能量转移和扩散机制引起的相反方向的能量转移所致 ,不是光生伏打场的表面击穿引起的 .当入射光沿 +c方向入射时 ,由于两种机制引起的能量转移方向相同 。