伽马射线辐照对掺铅石英光纤的磁光特性影响

研究了伽马射线辐照对掺铅石英光纤磁光特性的影响。实验结果表明:掺铅石英光纤样品辐照前,在660、808、980、1310和1550 nm波长处的费尔德常数分别为3.093、1.676、1.240、0.705和0.538 rad/(T?m),均高于单模光纤的费尔德常数,且费尔德常数随着波长的增加而减小,尤其在660 nm,相比较单模光纤,掺铅石英光纤样品费尔德常数提高了20.82%。经伽马射线辐照后,掺铅石英光纤样品的费尔德常数随着辐照剂量的增加而增大,尤其在5 k Gy剂量,其费尔德常数增加了41.94%,而单模光纤仅增加了33.04%。掺铅石英光纤通过掺杂及辐照的手段提高了费尔德常数,在大电流传感领域具有重要意义。

釉面砖表面掺铅TiO_2涂层的溶胶──凝胶法制备及其光催化性能

用溶胶一凝胶法在釉面砖上制备了均匀的TiO2及掺铅TiO2涂层，讨论了影响涂层质量的某些因素，用X射线光电子能谱仪（XPS）研究了釉面涂层的化学组成。在紫外线及日光照射下，TiO2涂层釉面砖可以对有机磷农药光催化降解。掺铅TiO2涂层釉面砖的光催化降解率明显高于未掺铅的TiO2涂层釉面砖的光催化降解率。该类材料可望在环境保护、污水处理等方面有广阔的应用前景。

物理掺铅法改善电解二氧化锰可充性的研究

将日本电解二氧化锰粉末与含铅（Ⅱ）离子的溶液混合搅拌制备了掺铅电解二氧化锰．化学分析表明，当溶液中铅离子浓度高时，制得的掺铅二氧化锰样品中铅离子的含量高，视比重略有增大，而二氧化锰的百分含量和结合水含量略有减小．充放电循环实验表明，充放电的前６０循环，含铅离子重量为０．７％的掺杂样比空白样的累积容量和容量维持系数分别增加了７８％和３４％．循环伏安充放电结果表明，掺入铅可显著改善放电深度达－０．５７Ｖ（ｖｓ．Ｈｇ／ＨｇＯ电极）时充放电反应的可逆性．

掺铅CsI晶体中Pb^(2+)聚集体的发光(英文)

退火处理后的 CsI:Pb晶体在 10～ 30K温度范围内观察到两类发光 :当激发波长为 410nm, 主要发光带在 464nm附近 ;而当激发波长为 360nm或 300nm,主发射带为 422nm。这两种发光带 的相对强度与退火时间的长短密切相关。讨论了 CsI:Pb晶体中不同的 Pb2＋基聚集相的形成机制 和发光机理。

掺铌钨酸铅晶体缺陷的理论研究

采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4∶Nb晶体中Nb缺陷态的态密度分布和能量 ,并运用过渡态方法计算了其激发能。通过计算掺Nb缺陷态电子态密度分布 ,发现与VO 相关的F+ 心是晶体掺Nb的主要补偿机制。 (NbO3 +F+ ) 2 -缺陷在掺铌钨酸铅晶体各相关缺陷形式中存在所需能量最低。计算结果表明VO 有关的F+ 的存在是有效消除晶体中 35 0nm吸收的主要原因。而F+ →W5d轨道的跃迁能量为 2 .8eV ,对应晶体中 4 2 0nm吸收。

掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论计算

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法,计算了掺钇PbWO_4晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。V_(Pb)是掺Y钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。Y_(Pb^(3+)+V_(Pb)相关缺陷可能是晶体中存在的主要缺陷,其中[2(Y_(Pb)^(3+))-V_(Pb)'']在晶体中更稳定。缺陷态[2(Y_(Pb)^(3+))-V_(Pb)'']和[(Y_(Pb)^(3+))-V_(Pb)'']的态密度分布及其激发能的计算结果表明:掺Y晶体利O_(2p)→W_(5d)的跃迁能量均为4.3eV,使周围WO_4^(2-)禁带宽度增大,可改善420nm与350nm的吸收,并通过减少V_(Pb)-V_O联合空位可有效抑制PbWO_4晶体的本征吸收。晶体中掺Y与掺La对发光影响不同,掺Y可敏化PWO晶体的蓝发光。

掺镧钨酸铅晶体缺陷的理论研究

采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了掺镧PbWO4 晶体中相对缺陷的电子态密度分布 ,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。发现VPb是掺镧钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。缺陷态LaPb+VPb的态密度分布以及其激发能的计算结果表明 :掺镧晶体不会引起 42 0nm和 35 0nm的吸收 ,改善了PbWO4 晶体中的两个本征吸收带。掺杂后晶体中O2p→W5d的跃迁能量为 3.98eV。

掺La的锆锡钛酸铅陶瓷制备及介电性能

锆锡钛酸铅(Pb(Zr,Sn,Ti)O3)系列陶瓷具有优异的铁电、压电等性能,为制备高质量的陶瓷材料,采用传统的氧化物固相烧结工艺,制备了一组镧(La)元素微量掺杂的锆锡钛酸铅陶瓷,并对样品的铁电和介电性能进行测试表征.结果表明,所采用的制备工艺良好,成瓷好,4组陶瓷样品的组分位于铁电/反铁电相界附近,铁电相和反铁电相共存.

不同电极形式对掺镧钛酸铅铁电薄膜的介电性能的影响

采用射频磁控溅射技术在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0.9,La0.1)TiO3,PLT10]铁电薄膜。用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT10薄膜结晶性能。使用光刻工艺在Si(100)基底的PLT10薄膜上制备了叉指电极,测试了PLT10薄膜的介电性能。在室温下,测试频率为1kHz时,PLT10薄膜的介电常数为386。而采用相同工艺条件制备的具有平行电极结构的PLT10薄膜,其介电常数为365。但利用叉指电极测试的PLT10薄膜的介电常数和介电损耗随频率的下降比利用平行电极测试的PLT10薄膜的快些。这是因为叉指电极结构引入了更多的界面态影响的缘故。

不同基底对掺镧钛酸铅铁电薄膜结晶性能的影响

采用射频磁控溅射技术,使用相同的工艺条件在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0.9,La0.1)TiO3,PLT10]铁电薄膜。采用常规热处理工艺对两种基底上生长的PLT铁电薄膜在相同条件下进行了退火。用原子力显微镜(AFM)观察PLT薄膜的表面形貌。用X射线衍射技术(XRD)研究PLT薄膜结晶性能。XRD图谱表明硅基底上的PLT在晶化后,各主要晶面的衍射峰均出现,取向呈现多样化;而在铂上的PLT在晶化后,只出现了(111)晶面衍射峰和(222)晶面衍射峰,取向是单一的〈111〉方向。通过对XRD的数据计算可知,在相同条件下退火的PLT薄膜,在铂上的PLT的晶粒尺寸大于在硅基底上的PLT的晶粒尺寸。晶粒尺寸的差异反应出了由于基底的影响而造成薄膜晶化过程中成核方式的差异。

掺镧钛酸铅铁电薄膜的电畴与热释电性能研究

采用射频磁控溅射技术在Pt／Ti／SiO2／Si（100）基底上生长了掺镧钛酸铅[（Pb0.9Ld0.1）TiO3，PLT10]铁电薄膜。用X射线衍射研究了PLT10薄膜的结晶相结构。分别使用原子力显微镜和压电响应力显微镜观察了PLT10铁电薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构。测试了PLT10铁电薄膜的电学参数，研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与其性能之间的关系。发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365，介电损耗tgδ为0．02，热释电系数γ为2．20×10^-8C·（cm2·K）^-1，可以满足制备非制冷红外探测器的需要。

Ce^(3+)掺杂PbTiO_3钛酸铅陶瓷的制备及导电性能研究

采用溶胶凝胶(Sol-Gel)法制备了Ce3+掺杂钛酸铅超细粉体,并烧结成陶瓷.讨论了pH、温度等条件对制备Ce3+掺杂钛酸铅凝胶的影响因素,确定了最佳工艺条件.同时利用XRD对钛酸铅粉体进行了物相分析,用SEM进行了形貌表征,还测试了其介电性能.结果表明Ce的掺杂,可使钛酸铅电阻率下降6个数量级.

光纤陀螺用超宽谱光源的铋/铅共掺光纤的制备与光谱特性

由于具有质量轻与成本低等优点,光纤陀螺正在被广泛应用,而光源光谱的特性在很多方面又影响着光纤陀螺的性能。利用新型光纤制备技术,制备铋/铅共掺石英光纤,测试分析其吸收光谱与发光特性。用980nm与830nm双泵浦光激发,超宽带荧光光谱范围可覆盖1000～1700nm,相比单泵情况,光谱大大拓宽。10dB带宽的光谱达到了650nm,光谱比较平坦,可以满足超宽带平坦光源的需要,并可作为超宽谱光源的理想增益介质。对应用于惯性导航系统、光纤陀螺传感器(Fiber Optic Gyroscopic Sensor,FOG)、光学相干断层扫描系统(Optical Coherence Tomography,OCT)与医学成像的超宽谱光源进行研究,具有非常重要的实际应用与战略意义。

高价离子掺入Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O体系对成相和结构的影响

Sunshine等在Bi-Sr-Ca-Cu-O体系中掺入少量Pb^(2+)后,可获得T_(c(0))=110K以“2223”相为主的样品.其后,Shun-ichi、卢伟京等也得到同样的结果,但都需要长达300～500小时烧结,所得到的样品仍含有少量“2212”相、我们拟对Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O体系掺入高价离子,M^(n+)(n≥4),如Sn^(4+),Sb^(5+),Mo^(6+),W^(6+),研究它们对“2223”成相和结构的影响。

有机衬底上掺Sb的SnO_2透明导电膜的性质与制备参数关系的研究

采用射频磁控溅射法在透明聚酯胶片上制备出了 Sn O2 ∶ Sb透明导电膜 ,主要讨论了制备条件对薄膜光电特性的影响。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构 ,具有明显的 [1 1 0 ]的趋向。通过调节制备参数 ,制备出了电阻率为 3 .7× 1 0 -3 Ω· cm,平均透过率高于 80

改性钙钛酸铅陶瓷的电导性能研究

当掺钙钛酸铅（PCT）用作为压电、热释电材料时,除介电性能外,电导性能也是重要的性能参数。采用传统固相法制备掺钙钛酸铅系陶瓷,研究了不同掺杂量的Sb2/3Mn1/3及烧结助剂NiO、Bi2O3对陶瓷相结构、介电损耗和电导性能的影响。结果表明,在1 180℃下烧结2h,得到纯钙钛矿结构的改性陶瓷,陶瓷介电损耗降低;Sb2/3Mn1/3掺杂量对PCT系陶瓷在20~40℃的电阻温度稳定性有明显影响,随Sb2/3Mn1/3含量增加电阻温度系数（TCR）增大;在Pb0.80Ca0.20（Sb2/3Mn1/3）0.05Ti0.95O3中加入NiO、Bi2O3后有效降低了陶瓷在20~40℃的电阻温度系数;掺杂元素种类和掺杂量对陶瓷在20~80℃的TCR值基本没有影响,TCR值约为-0.15μ℃-1。

0.87Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-0.13PbTiO_3薄膜的MOSD+Dipping制备

采用MOSD+Dipping方法在P型Si(111)衬底上制备了0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜。用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性。用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌。同时还研究了薄膜的存储性能。

碘化铯晶体中Ph^(2+)基聚集相的发光性质

掺铅的碘化铯（Pb：CsI）晶体在400℃空气中进行热处理可以在晶体中诱导产生发光中心，这些发光中心的激发谱与CS－Pb-I体系中一系列化合物的激子吸收谱相吻合．它们被认为是由该晶体在退火过程中所形成的CsPbI3、Cs4PbI6等聚集相产生的．测量了10～30K温度范围内分别在410nm和360nm波长激发下Ph：CsI的发射谱，观察到各发射谱的相对强度随退火时间而变化，这表明在400℃退火温度下晶体中各类Cs－Ph－I聚集相的形成和转化已十分活跃．