闪烁晶体碘化铯在紫外光和X射线激发下的发光特性

室温下掺铊碘化铯（CsI∶Tl）晶体的吸收谱在230320 nm范围内有3个特征峰：310 nm（4 eV）、270nm（4.6 eV）和245 nm（5.1 eV）。采用这3种不同激发能量（对应不同激发机制）的近紫外（UV）光激发得到的荧光（PL）光谱相同。这些PL谱与钨（W）靶X射线激发的辐照致荧光（RL）谱也类似。经分峰计算,PL和RL均含有4种熟知的3.1 eV（400 nm）、2.55 eV（486 nm）、2.25 eV（550 nm）和2.1 eV（590 nm）发光组分,但RL中2.1 eV组分高于PL,同时2.55 eV组分又低于PL。分析认为,这一差异来自于X射线对晶体的辐照损伤Tl＋Va＋、Tl0Va＋,相关的2.1 eV吸收峰与2.55 eV发光带重叠。结果表明：X射线比紫外光更易产生损伤从而影响晶体CsI∶Tl的发光特性。