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退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响 被引量:5
1
作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第8期631-636,共6页
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中 ,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近 10at% ,即可达 10 2 1cm- 3量级。XRD分析薄膜物相结构发现 ,退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AF... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中 ,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近 10at% ,即可达 10 2 1cm- 3量级。XRD分析薄膜物相结构发现 ,退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AFM显微分析可得 ,退火温度影响辐照损伤的恢复程度、Si固相外延再结晶和显微形貌。这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.5 4μm光致发光。 展开更多
关键词 退火温度 离子注入 掺铒硅 快速退火 光致发光 半导体材料 结构 发光薄膜 发光材料
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铒偏析与沉淀对掺铒硅154μm光发射的影响 被引量:2
2
作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期68-71,共4页
用金属蒸气真空弧离子源 (MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜 ,研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对 1 5 4μm光发射的影响。RBS分析表明 ,Er的掺杂浓度可达~ 10 % (原子分数 ) ,即Er原子体浓度为 1× 10 2 1 cm- 3 。XR... 用金属蒸气真空弧离子源 (MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜 ,研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对 1 5 4μm光发射的影响。RBS分析表明 ,Er的掺杂浓度可达~ 10 % (原子分数 ) ,即Er原子体浓度为 1× 10 2 1 cm- 3 。XRD分析掺铒硅薄膜的物相结构发现 ,Er在薄膜中的存在形式与离子注入参数有关。Er的偏析、沉淀以及辐照损伤等因素会影响掺铒硅薄膜的 1 5 4μm光发射。 展开更多
关键词 稀土 离子注入 掺铒硅 偏析 光致发光 发光薄膜 金属蒸气真空弧离子源 沉淀 光发射
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掺铒硅基玻璃的制备及光谱性质
3
作者 王喜贵 吴红英 +2 位作者 谢大弢 翁诗甫 吴瑾光 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2001年第1期47-51,共5页
通过溶胶-凝胶技术制备了掺铒(Er)的硅基玻璃,测定了硅基玻璃中Er3+的电子吸收光谱、红外光谱和光致发光光谱(PL谱).结果显示,在室温下,Er在硅基玻璃中产生波长1.54μm的红外荧光,其强度随掺杂浓度的不同而改变,0.5w%掺杂浓度... 通过溶胶-凝胶技术制备了掺铒(Er)的硅基玻璃,测定了硅基玻璃中Er3+的电子吸收光谱、红外光谱和光致发光光谱(PL谱).结果显示,在室温下,Er在硅基玻璃中产生波长1.54μm的红外荧光,其强度随掺杂浓度的不同而改变,0.5w%掺杂浓度下出现最大值.电子吸收显示Er3+的特征吸收谱线,根据电子吸收光谱确定了Er3+在硅基玻璃中的部分能级. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶方法 光谱性质 掺铒硅基玻璃 基发光材料 发光性能 能级
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高浓度掺铒硅的结构分析
4
作者 徐鹏 王应民 +1 位作者 徐飞 张萌 《南昌大学学报(理科版)》 CAS 北大核心 2007年第6期560-563,共4页
采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子注入机,合成获得高浓度掺铒硅发光薄膜,并对其进行成分和结构分析。在小束流2.5μA.cm-2、小注量5×1016cm-2的注入条件下,Er注入单晶硅,随着退火温度升高,存在Er析出,且析出量增多。相同束流条件下,... 采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子注入机,合成获得高浓度掺铒硅发光薄膜,并对其进行成分和结构分析。在小束流2.5μA.cm-2、小注量5×1016cm-2的注入条件下,Er注入单晶硅,随着退火温度升高,存在Er析出,且析出量增多。相同束流条件下,增大Er的注量也会导致Er析出,甚至出现ErS i2相。 展开更多
关键词 掺铒硅 离子注入 MEVVA XRD
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掺铒硅发光二极管
5
作者 邱巨峰 《稀土信息》 1997年第10期9-10,共2页
最近10年来,硅中掺铒被认为是制作高效光源的一种最有前景的方法。铒离子具有4f内壳层电子跃迁,发射光的波长为1.54μm,这是一个标准电讯波长,当铒离子掺杂在硅中时,用电就能够激发这种跃迁。
关键词 发光二极管 发光 离子 掺铒硅 意大利国家研究委员会 发光效率 发光过程 阻挡层 高效光源 电子跃迁
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掺铒硅基材料发光的新途径 被引量:10
6
作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 张通和 程国安 顾岚岚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期164-168,共5页
采用MEVVA源离子注入机将Si,Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中 ,利用卢瑟福背散射 (RBS)能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布 ,Er的掺杂浓度为 10 2 1cm-3 量级 ;原子力显微镜 (AFM)形貌观测中发现有纳米晶Si镶嵌在注入层中 ;X射... 采用MEVVA源离子注入机将Si,Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中 ,利用卢瑟福背散射 (RBS)能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布 ,Er的掺杂浓度为 10 2 1cm-3 量级 ;原子力显微镜 (AFM)形貌观测中发现有纳米晶Si镶嵌在注入层中 ;X射线光电子能谱 (XPS)的结果显示了不同厚度掺杂层中Er,Si,O含量的变化 .77K温度下 ,在退火态样品的近红外光致发光 (PL)谱中观察到了Er3+的 1 5 4μm特征发射 .Er3+作为孤立离子发光中心 ,其激活能主要来源于nc Si/SiO2 (c Si/SiO2 )界面处的载流子复合 ,再将能量转移给Er3+而产生发光 . 展开更多
关键词 离子注入 光致发光 纳米 掺铒硅基材料
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掺铒硅多孔化后的光致发光特性 被引量:4
7
作者 顾岚岚 熊祖洪 +1 位作者 陈刚 徐少辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期383-387,共5页
采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺Er离子的纳米硅柱结构.由于实现了Er离子在多孔硅中沿深度方向的均匀分布,得到峰宽仅6nm的Er3+本征发光.... 采用一种新的方法制备掺Er多孔硅.首先通过分子束外延法生长Er,O共掺的硅外延层,然后通过常规的电化学阳极腐蚀法将外延层制备成掺Er离子的纳米硅柱结构.由于实现了Er离子在多孔硅中沿深度方向的均匀分布,得到峰宽仅6nm的Er3+本征发光.同时,由于铒与氧共掺于硅柱内部,多孔硅不再需要通过高温后处理引入氧来实现铒的光学激活.实验还对多孔化前后,Er3+的发光强度作出直观的比较,讨论多孔硅可见光及红外光区域的发光对Er3+红外发射的影响. 展开更多
关键词 掺铒硅 多孔 光致发光特性
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增强硅中掺铒发光强度的途径研究
8
作者 黄政 胡浩 《现代电子技术》 2011年第14期128-130,134,共4页
硅在微电子学领域有着极其广泛的应用,但它是一种间接能隙半导体,发光器件领域是它的缺项。利用在硅中掺入铒发光中心,研制出一种新的发光二极管(Si:Er LED),它的发光波长为1.54μm,恰好满足石英光纤通信的要求。对掺铒硅的电学特性、... 硅在微电子学领域有着极其广泛的应用,但它是一种间接能隙半导体,发光器件领域是它的缺项。利用在硅中掺入铒发光中心,研制出一种新的发光二极管(Si:Er LED),它的发光波长为1.54μm,恰好满足石英光纤通信的要求。对掺铒硅的电学特性、材料性能、发光机理等进行了总结,发现制约掺铒硅实用化的一些问题,在此基础上得出提高其发光效率的途径,并介绍了掺铒硅器件的行为和未来展望。 展开更多
关键词 掺铒硅 发光二极管 发光效率 石英光纤通信
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基于发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几条途径 被引量:1
9
作者 李延辉 刘技文 +2 位作者 赵燕平 李昌龄 李娟 《物理》 CAS 北大核心 2005年第4期293-299,共7页
掺铒硅基发光材料可以用于制备光通信用光源、光纤放大器,更重要的是可能成为实现硅基光电子集成技术的重要途径,已成为研究的热点之一.文章讨论了掺铒硅及掺铒硅基材料的发光机理,指出了制约实用化方面存在的问题.从不同方面着重探讨... 掺铒硅基发光材料可以用于制备光通信用光源、光纤放大器,更重要的是可能成为实现硅基光电子集成技术的重要途径,已成为研究的热点之一.文章讨论了掺铒硅及掺铒硅基材料的发光机理,指出了制约实用化方面存在的问题.从不同方面着重探讨了共掺氧对提高掺铒硅发光效率的作用.最后介绍了基于掺铒硅发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几种途径、目前存在的主要问题及研究进展. 展开更多
关键词 发光效率 基材料 发光机理 基发光材料 光纤放大器 掺铒硅 集成技术 研究进展 光电子 实用化
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激光烧蚀制备掺铒纳米硅晶薄膜形貌研究 被引量:1
10
作者 周阳 刘云山 +3 位作者 褚立志 王英龙 彭英才 傅广生 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期619-622,共4页
采用XeCl准分子激光器交替烧蚀单晶硅靶和铒靶, 通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺铒浓度, 在2×10^-4 Pa真空下沉积制备了掺铒非晶硅薄膜, 经900~1200 ℃热退火实现纳米晶化. 扫描电子显微镜图像显示, 铒掺杂影响着薄膜... 采用XeCl准分子激光器交替烧蚀单晶硅靶和铒靶, 通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺铒浓度, 在2×10^-4 Pa真空下沉积制备了掺铒非晶硅薄膜, 经900~1200 ℃热退火实现纳米晶化. 扫描电子显微镜图像显示, 铒掺杂影响着薄膜的表面形貌, 与不掺铒情况相比, 可以得到晶粒尺寸分布更均匀的薄膜, 并且晶化温度更低. 对于一个固定掺铒浓度的样品, 随着退火温度的增加, 薄膜由晶粒结构转化为迷津结构. 展开更多
关键词 纳米晶薄膜 退火温度 表面形貌
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掺铒富硅氧化硅发光器件电致发光衰减机制 被引量:1
11
作者 张慧玉 赵静 +2 位作者 郭强 刘海旭 丁文革 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2017年第4期360-363,共4页
首先采用多靶射频磁控共溅射结合后退火工艺制备了掺Er富硅氧化硅MIS(金属-绝缘体-半导体结构)电致发光器件,然后通过电致发光(EL)以及电流-电压(I-U)特性测量对发光器件的光电性能进行表征.最后,通过对比不同富硅含量的发光器件的载流... 首先采用多靶射频磁控共溅射结合后退火工艺制备了掺Er富硅氧化硅MIS(金属-绝缘体-半导体结构)电致发光器件,然后通过电致发光(EL)以及电流-电压(I-U)特性测量对发光器件的光电性能进行表征.最后,通过对比不同富硅含量的发光器件的载流子输运机制,并通过分析器件中的电荷俘获过程,对富硅氧化硅器件中铒离子电致发光的激发和猝灭机制进行了解释.结果表明:富硅的存在改变了MIS发光器件中的载流子输运过程,造成外加电场下注入的电子能量降低,进而降低Er离子发光中心的激发效率;而富硅引入的缺陷态会引起电荷俘获及俄歇效应,也会使得发光中心发生非辐射复合过程. 展开更多
关键词 氧化 电致发光 载流子输运 电荷俘获
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掺铒薄膜光电子材料
12
作者 邱巨峰 《稀土信息》 1998年第4期9-9,共1页
Er<sup>3+</sup>离子内部能发射4f辐射,其波长为1.54μm,这是一个标准电讯波长,因而在薄膜集成光电子技术中采用含Er<sup>3+</sup>离子的材料是非常适合的。使用光通讯技术能够得到较宽的频带宽度,而且该种材... Er<sup>3+</sup>离子内部能发射4f辐射,其波长为1.54μm,这是一个标准电讯波长,因而在薄膜集成光电子技术中采用含Er<sup>3+</sup>离子的材料是非常适合的。使用光通讯技术能够得到较宽的频带宽度,而且该种材料的数据信息转换速率比目前使用电子材料的通讯技术的转换速率大几个数量级。在不久的将来,掺铒硅发光二极管将用于硅基光电子电路中。 荷兰阿姆斯特丹原子和分子物理研究所A. 展开更多
关键词 光电子技术 转换速率 掺铒硅 发光二极管 光电子电路 光通讯技术 光电子材料 频带宽度 技术主导 数量级
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硅基材料的发光特性及机理
13
作者 李宏建 彭景翠 +3 位作者 瞿述 许雪梅 黄生祥 夏辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第9期36-37,共2页
硅基发光材料及器件是实现光电子集成的关键,文章介绍了目前取得较大进展的包括多孔硅、掺铒硅、钠米硅等几种主要硅基材料的发光特性及发光机理。
关键词 基光电集成 基发光材料 多孔 掺铒硅 纳米 发光特性 发光机理
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Er离子注入的富硅SiO_2 MOS-LED的可见和红外电致发光特性 被引量:1
14
作者 刘海旭 孙甲明 +1 位作者 孟凡杰 侯琼琼 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期749-754,共6页
通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不... 通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不同能级的电致发光会产生不同作用。在富Si量小于5%的条件下,主要由Si离子注入产生氧空位缺陷发光中心(Si-ODC),它们和Er3+离子的高能级之间存在着共振能量传递,增强了Er3+离子的522 nm绿色发光峰强度。在富Si含量大于5%时,过量的Si在退火时形成了纳米硅微晶,电子在纳米硅微晶之间的隧穿改变了载流子输运机制,降低了过热电子的平均能量,导致Er3+离子的所有发光峰的猝灭。 展开更多
关键词 纳米 电致发光 离子注入 MOS-LED
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铒发光
15
作者 邱巨峰 《稀土信息》 1997年第7期9-10,共2页
自1983年H.Ennen等报道掺铒硅(Er∶Si)的低温发光以来,人们对掺铒硅和硅化物的光致发光和电致发光性质产生了极大的兴趣,并进行了广泛的研究。人们希望能够研制成实用的光电子集成电路,并能使其得到重要的应用,例如基片与基片的内连接... 自1983年H.Ennen等报道掺铒硅(Er∶Si)的低温发光以来,人们对掺铒硅和硅化物的光致发光和电致发光性质产生了极大的兴趣,并进行了广泛的研究。人们希望能够研制成实用的光电子集成电路,并能使其得到重要的应用,例如基片与基片的内连接、并联计算机处理及硅基片上的光电子集成。 展开更多
关键词 光致发光和电致发光 光致发光光谱 光电子集成电路 掺铒硅 氧化 并联计算机 内连接 文献综述 活性层 电化学侵蚀
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掺铒高硅氧玻璃光谱性质的研究 被引量:6
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作者 达宁 杨旅云 +5 位作者 彭明营 孟宪庚 周秦岭 陈丹平 赤井智子 角野广平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期2771-2776,共6页
应用Judd-Oflet理论计算了新型掺铒高硅氧玻璃中铒离子的强度参量Ωt(t=2,4,6),Ω2=8·15×10-20,Ω4=1·43×10-20,Ω6=1·22×10-20,相比于其他氧化物玻璃,表现出较大的Ω2,6值,反映了铒离子周围的近邻结构... 应用Judd-Oflet理论计算了新型掺铒高硅氧玻璃中铒离子的强度参量Ωt(t=2,4,6),Ω2=8·15×10-20,Ω4=1·43×10-20,Ω6=1·22×10-20,相比于其他氧化物玻璃,表现出较大的Ω2,6值,反映了铒离子周围的近邻结构不对称性和Er-O键的离子键成分较高.利用McCumber理论计算得到了能级4I13/2→4I15/2跃迁的受激发射截面为σc=0·51pm2.这种高硅氧玻璃掺铒离子浓度尽管高于石英光纤的掺杂浓度10倍左右,其荧光寿命和量子效率仍达到6·0ms和66·0%,有可能成为新的光学放大和微片激光材料. 展开更多
关键词 氧玻璃 JUDD-OFELT理论 量子效率
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硅中掺铒发光的研究现状和前景 被引量:2
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作者 盛篪 王迅 《物理》 CAS 北大核心 1995年第7期402-408,共7页
硅在微电子学领域有着极其广泛的应用,但它是一种间接能隙半导体,发光器件领域是它的缺项,利用在硅中掺入发光中心─—铒,已经研制出一种新的发光二极管(Si:ErLED),它的发光波长是1.53μm,恰好满足石英光纤通信的... 硅在微电子学领域有着极其广泛的应用,但它是一种间接能隙半导体,发光器件领域是它的缺项,利用在硅中掺入发光中心─—铒,已经研制出一种新的发光二极管(Si:ErLED),它的发光波长是1.53μm,恰好满足石英光纤通信的要求。进一步提高输出功率后,Si:ErLRD将可用作光纤通信用的单片光电子集成电路的光源部件。介绍了Si:Er发光研究的现状,讨论它的发光机制及制约输出动率的因素,探讨提高LED性能的途径。 展开更多
关键词 间接能隙半导体 发光二极管
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(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射
18
作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1258-1263,共6页
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到~ 10 % ,即体浓度~ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到~ 10 % ,即体浓度~ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅射后 Si O2 保留量越多 ;再结晶硅颗粒结晶程度提高 ,逐渐纳米化 ;未见有大量的 Er偏析或铒硅化物形成 ,Er大部分以固溶形式存在 .在 77K下获得了较强 1.5 4μm光致发光信号 。 展开更多
关键词 双注入 掺铒硅 光致发光 表面结构 二氧化 薄膜
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Room-temperature light emission from an airbridge double-heterostructure microcavity of Er-doped Si photonic crystal
19
作者 王玥 安俊明 +1 位作者 吴远大 胡雄伟 《Optoelectronics Letters》 EI 2016年第1期47-51,共5页
We experimentally demonstrate an efficient enhancement of luminescence from two-dimensional(2D) hexagonal photonic crystal(PC) airbridge double-heterostructure microcavity with Er-doped silicon(Si) as light emitters o... We experimentally demonstrate an efficient enhancement of luminescence from two-dimensional(2D) hexagonal photonic crystal(PC) airbridge double-heterostructure microcavity with Er-doped silicon(Si) as light emitters on siliconon-insulator(SOI) wafer at room temperature.A single sharp resonant peak at 1 529.6 nm dominates the photoluminescence(PL) spectrum with the pumping power of 12.5 m W.The obvious red shift and the degraded quality factor(Q-factor) of resonant peak appear with the pumping power increasing,and the maximum measured Q-factor of 4 905 is achieved at the pumping power of 1.5 m W.The resonant peak is observed to shift depending on the structural parameters of PC,which indicates a possible method to control the wavelength of enhanced luminescence for Si-based light emitters based on PC microcavity. 展开更多
关键词 双异质结构 室温发光 光子晶体 掺铒硅 微腔 登机桥 光发射器 泵浦功率
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