-
题名激光烧蚀制备掺铒纳米硅晶薄膜形貌研究
被引量：1
- 1
-
-
作者
周阳
刘云山
褚立志
王英龙
彭英才
傅广生
-
机构
河北大学物理科学与技术学院
河北大学电子信息工程学院
-
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期619-622,共4页
-
基金
河北省自然科学基金资助项目(503125E2005000129)
河北大学自然科学基金资助项目(2005Q08)
-
文摘
采用XeCl准分子激光器交替烧蚀单晶硅靶和铒靶, 通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺铒浓度, 在2×10^-4 Pa真空下沉积制备了掺铒非晶硅薄膜, 经900～1200 ℃热退火实现纳米晶化. 扫描电子显微镜图像显示, 铒掺杂影响着薄膜的表面形貌, 与不掺铒情况相比, 可以得到晶粒尺寸分布更均匀的薄膜, 并且晶化温度更低. 对于一个固定掺铒浓度的样品, 随着退火温度的增加, 薄膜由晶粒结构转化为迷津结构.
-
关键词
掺铒纳米硅晶薄膜
退火温度
表面形貌
-
Keywords
Er-doped nonocrystalline Si film
annealing temperature
morphology
-
分类号
O484
[理学—固体物理]
-
