氧压对PLD制备掺铜ZnO薄膜光学性质的影响

为了研究生长氧压对ZnO薄膜的结构和光学性质的影响,采用脉冲激光沉积技术,在P-Si〈11〉衬底上制备了不同生长氧压下的掺铜ZnO薄膜。利用X射线衍射仪对样品的结构进行了分析,并用荧光分光光度计对样品的光致发光谱进行了测量。结果表明,所有样品均在2θ=34.3°附近出现ZnO(002)衍射峰,没有发现Cu的衍射峰,在衬底温度为400℃、生长氧压为0.2Pa的条件下,样品有较好的c轴择优取向;室温下测得样品的光致发光谱中均观察到460nm(2.71eV)左右的蓝光发光带,该发光带来源于薄膜中的锌空位和锌填隙缺陷,属于深能级发射机制,并且随着氧压的升高,其发光强度增强。