红外弱光诱导掺铟铁铌酸锂晶体的光折变效应

掺铟铁铌酸锂(In∶Fe∶LiNbO3)晶体在红外弱光辐照下正常折射率变化量Δn可以达到10-4数量级.探讨了光生载流子在漂移、扩散和光生伏打效应三种机制下输运迁移以及空间电荷场的形成过程.研究结果表明,光致折射率变化的机制主要是由光生伏打效应引起,并观察到在正常偏振光辐照下,红外弱光与可见光引起晶体的正常折射率变化分布明显不同.

退火对掺铟氧化锌薄膜结构及光学性能的影响

采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备掺铟氧化锌薄膜,研究不同退火温度对薄膜结构及发光性能的影响.结果表明,掺铟氧化锌薄膜仍为六角纤锌矿结构的ZnO相,在大于450 nm的波段薄膜样品的透射率都较高;随着退火温度的升高,透射率先增后减,600℃时达到最大;薄膜样品的光学带隙都小于纯ZnO的理论值(3.37 eV),且随退火温度的升高呈先减后增趋势;样品的结晶度与发光强度随着退火温度的升高而增强.

4×4掺铟硅CID阵列的研制

本文介绍了非本征硅红外探测器工作机理,叙述了4×4面阵探测器的设计和研制中的要点,给出了4×4掺铟硅CID阵列的部分性能参数。在79K温度下,探测元的D值为(1～4)×108cm^(1/2)W^(-1)。

磁控溅射沉积掺锡氧化铟透明导电薄膜的光电性能研究

采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试方法,研究了沉积速率对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响。实验结果表明:ITO样品为具有(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其晶体结构和光电性能明显受到沉积速率的影响。当沉积速率为4 nm/min时,所制备的ITO薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最低的电阻率(1.1×10-3Ω.cm)、最高的可见光区平均透过率(86.4%)和最大的优良指数(7.9×102S.cm-1),其光电综合性能最佳。同时采用Tauc法则计算了ITO薄膜的光学能隙,结果显示沉积速率增大时,ITO薄膜的光学能隙单调减小。

纳米掺锡氧化铟涂料的制备及其红外特性分析

采用超声波分散和物理分散相结合,制备了掺锡氧化铟纳米涂层并用电子扫描显微镜对涂层中填料的分散状态进行了表征,结果表明该涂料已达到纳米级分散,填料颗粒平均粒度小于100 nm;运用傅立叶红外吸收光谱、紫外-可见光-近红外分光光度计及红外发射率测试仪等对涂层的光谱性能进行了测试,结果显示该涂层具有屏蔽紫外线、反射可见光和近红外、中远红外强吸收等特点,可作为一种多功能红外隐身及隔热材料。

掺锡氧化铟导电玻璃的表面改性及其性能研究

采用溶剂超声、H2SO4溶液浸泡和NaOH溶液处理等方法对掺锡氧化铟(In2O3:Sn)导电玻璃进行了表面改性,基于原子力显微镜(AFM)和接触角表征以及表面能计算,研究了改性方法对其表面形貎和润湿性能的影响.研究结果表明:In2O3:Sn导电玻璃的表面性能与改性方法密切相关,H2SO4溶液浸泡和NaOH溶液处理能够更为有效地降低表面粗糙度、改善表面形貎、提高表面能和表面极性度,并且In2O3:Sn导电玻璃表面能的变化主要来源于表面能极性分量的变化.

直流磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟透明导电薄膜性能影响的研究

采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟（IWO）透明导电薄膜。研究了薄膜结构、表面形貌、光学和电学性能与各种制备参数之间的依赖关系。X射线衍射（XRD）谱分析结果表明随着基底温度的升高,薄膜的结晶性得到改善。原子力显微镜（AFM）测试结果表明薄膜颗粒均匀,表面平整。研究发现薄膜的电学性能对制备参数非常敏感。在基板温度为380℃的条件下所制备的样品在可见光区域（400-700 nm）的平均透射率（未扣除基底）均大于80%。获得的IWO薄膜最低电阻率为2.8×10^-4 ohm.cm,对应载流子迁移率49 cm^2V^-1s^-1,载流子浓度4.4×10^20 cm^-3,平均透射率83%。

硼铟共掺高效多晶铸锭的制备

通过在铸锭中引入铟元素替代部分硼元素进行掺杂,成功的制备了掺铟多晶铸锭,且与常规铸锭在硅块电阻率分布、硅块少子少子寿命及硅片位错比例、硅片电池性能进行了对比。结果表明:通过控制合适的掺铟比例,铸锭的电阻率分布能得到有效控制,且相比常规铸锭电阻率分布更加集中;通过少子寿命仪的测试,发现掺铟铸锭整体少子寿命略高于常规铸锭;通过PL测试,发现掺铟铸锭硅片从底部至头部位错均较少;通过硅片电池数据对比,发现掺铟硅片短路电流及开路电压都相应的得到提高,硅片转换效率相比提高0.14%,推断一方面为铟元素引入应力场可阻挡位错滑移,另一方面可能为铟元素杂质光伏效应所致。

掺锡氧化铟基底上锆钛酸铅铁电薄膜的制备与表征

用溶胶-凝胶工艺在掺锡氧化铟导电氧化物基底上制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜.采用快速热处理工艺改进铁电薄膜的晶格取向,用X射线衍射仪分析了薄膜的结晶取向,分别基于Al/PZT/ITO,ITO/PZT/ITO电容结构利用Sawyer-Tower电路原理测试了薄膜的铁电性能.结果表明,在磁控溅射法生长的ITO表面能够制备出具有钙钛矿结构的(110)取向的PZT铁电薄膜,所得薄膜的相对介电常数达到1000,剩余极化强度Pr达到和Pt基底上接近的15.2 uc/cm2,矫顽场强Ec达到70.8 kV/cm.并且利用TF Analyzer 2000铁电分析仪测试了PZT铁电薄膜的疲劳特性,发现ITO底电极上PZT薄膜经过108次反转后,剩余极化强度仅下降15%.研究表明:磁控溅射法制备的掺锡氧化铟透明导电薄膜ITO可以作为铁电薄膜的上下电极.

掺碳氧化铟薄膜的铁磁性研究

采用磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺碳氧化铟(In2O3:C)薄膜,溅射过程分别在衬底温度为室温和550℃的条件下进行。通过测试所制In2O3:C薄膜的XRD谱和磁化曲线,研究了In2O3:C薄膜的结构和铁磁性能,并探讨了其铁磁性的起源。结果显示,随着含碳量的增加,In2O3:C薄膜的饱和磁化强度先增大后减小;此外,氧空位缺陷浓度高的样品其铁磁性也更强,这表明氧空位缺陷与In2O3:C薄膜的铁磁性起源有直接的关系。

镁铟共掺杂铌酸锂晶体的生长及光学性能(英文)

在同成分铌酸锂(LiNbO3,LN)熔体中掺入3%(摩尔分数,下同)MgO,并分别掺入0.5%,1%,1.5%In2O3,用提拉法生长了一系列Mg:In:LN晶体。通过紫外-可见吸收光谱测试确定了晶体样品的组成和缺陷结构。通过透射光斑畸变法检测Mg:In:LN晶体抗光损伤能力。结果表明:Mg:In:LN晶体抗光损伤能力比纯LN晶体提高2个数量级。以波长为1 064 nm的Nd:YAG激光为基频光源,对Mg:In:LN晶体的倍频性能进行了测试。结果表明:Mg:In:LN晶体的相位匹配温度在室温附近,Mg:In:LN晶体的倍频效率要高于In:LN晶体和Mg:LN晶体。

测量条件对掺锡氧化铟薄膜电学测量结果的影响

用van der Pauw方法测量磁控溅射制备的掺锡氧化铟(ITO)薄膜的电学性能,研究了在室温和冰水混合条件下测量电流大小对电阻率测量结果的影响;在室温条件下测量电流和磁场的大小对载流子浓度和迁移率测量结果的影响.实验结果显示,测量电流为5 mA和测量磁场为0.5 T时,测量结果最佳.

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定掺锡氧化铟粉中的铁、铝、铅、镍、铜、镉、铬和铊量

掺锡氧化铟粉样品经氢氧化钠熔融,热水浸出盐酸酸化后,用电感耦合等离子体原子发射光谱仪直接测定试料溶液中待测元素特征谱线的强度,通过标准曲线法计算出试料中铁、铝、铅、镍、铜、镉、铬和铊量。方法检出限为0.0023~0.0075μg/mL,精密度(RSD值)为1.56%~11.15%,加标回收率在95.0%~112.1%之间。方法准确可靠,已被推荐为有色金属行业标准。

反应溅射掺锡氧化铟薄膜成份与结构的研究

本文介绍了采用直流磁控反应溅射技术，在氩氧混合气体条件下制备掺锡氧化铟薄 膜（简称 ＩＴＯ膜）的工艺。给出的 ＤＰＳ、ＡＥＳ、ＸＰＣ的分析结果表明： ＩＴＯ薄膜 的成份为 Ｉｎ＿２Ｏ＿３和 ＳｎＯ＿２组成；其 ＩＴＯ薄膜为立方结构。

掺钨氧化铟薄膜厚度对异质结电池性能的影响

研究工业化反应等离子体沉积(RPD)设备制备的掺钨氧化铟(IWO)薄膜的厚度变化对薄膜光电性能和非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)电池性能的影响。X200℃退火后具有良好的结晶性。通过控制IWO薄膜的沉积时间,制备IWO薄膜厚度递增的一系列8英寸SHJ电池样品。研究发现随着IWO膜平均厚度为82 nm时,SHJ电池转换效率最高达到21.87%,对异质结电池工业化生产具有指导意义。

X射线衍射法分析掺锡氧化铟粉中的物相成分

掺锡氧化铟粉由铟和锡的氧化物构成。采用X射线衍射技术(XRD)分析了不同的掺锡氧化铟粉中的物相成分,试验结果表明,掺锡氧化铟粉中存在三种物相:In2O3、SnO2和InxSnyOz。

硅钼蓝分光光度法测定掺锡氧化铟粉中硅

本文研究了以氢氧化钠熔融分解试样,经盐酸酸化,在稀盐酸介质中,钼酸铵与硅生成硅钼黄,以硫酸-草酸-抗坏血酸混合溶液为还原剂消除磷砷的干扰,并还原成硅钼蓝,从而建立了硅钼蓝分光光度法测定掺锡氧化铟粉中硅的方法.试验表明,大量铟、锡存在下,硅质量浓度在0.01~0.12μg/mL范围内与其吸光度符合比尔定律,方法的相对标准偏差(RSD值,n=11)为1.56%~15.1%,加标回收率在94.0%~101.8%之间.实验方法用于测定4个掺锡氧化铟粉样品和2个合成样品中硅,结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定结果相一致,合成样品分析结果与理论值相符,三家实验室比对结果相吻合.

X射线荧光光谱法测定掺锡氧化铟粉中铟量和锡量

用X射线荧光分析专用试剂熔片,溴化锂为脱模剂,制备玻璃片样片,进行实验条件优化选择,应用X射线荧光光谱法测定掺锡氧化铟粉中铟量、锡量,具有较高的准确度和精密度。

铟铈铜铌酸锂晶体光谱特性及抗光损伤能力

在铌酸锂LiNbO3(LN)中掺入0.1 mol%CeO2,0.1 mol%CuO和0.5 mol%、1 mol%和1.5 mol%In2O3,用Czochralski技术生长In:Ce:Cu:LN晶体。利用Avatar-360型FT-IR红外光谱仪测试了晶体的红外光谱,发现In(3 mol%):Ce:Cu:LN晶体的OH-吸收峰由LN的3 484 cm-1移到3 508 cm-1。利用WFZ-26A型紫外-可见光分光分度计测试了晶体的紫外可见光谱,发现当In掺量小于3 mol%时,随In掺量的增加,基础吸收边向短波方向移动,即发生紫移,在掺入量达到3 mol%时,基础吸收边红移。采用透射光斑畸变法测试了晶体的抗光损伤能力,结果表明:In(3 mol%):Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力比其他样品明显增强,较Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力高出两个数量级。探讨了In:Ce:Cu:LN晶体OH-吸收峰及基础吸收边移动和抗光致散射能力增强的机理。

掺InGaAs晶体中的EL2缺陷及其热处理

比较了掺Ｉｎ和非掺杂ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中的ＥＬ２缺陷，分析了掺Ｉｎ量的不同与热处理过程的不同对ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中ＥＬ２缺陷的影响。