以SnCl_4·5H_2O，SbCl_3为原料，用醇盐水解法制备了掺锑氧化锡(antimony doped tin oxide，ATO)纳米粉体。为了消除粉体团聚，采用有机酸酐作脱水剂，对前驱体胶态沉淀进行脱水处理，并与其它处理方法进行了比较。用XRD，TEM，BE...以SnCl_4·5H_2O，SbCl_3为原料，用醇盐水解法制备了掺锑氧化锡(antimony doped tin oxide，ATO)纳米粉体。为了消除粉体团聚，采用有机酸酐作脱水剂，对前驱体胶态沉淀进行脱水处理，并与其它处理方法进行了比较。用XRD，TEM，BET等方法对粉体进行表征，研究了处理方法对ATO纳米导电粉体的粒度、团聚度、晶粒生长以及电阻率的影响。结果表明：有机酸酐处理可以有效地脱除ATO前驱体胶态沉淀中的H_2O和粒子表面的—OH，具有很好的抗团聚效果，可以用来制备比表面积大(≈85.32 m^2／g)、团聚小、电性能好的纳米粉体。展开更多
文摘以SnCl_4·5H_2O，SbCl_3为原料，用醇盐水解法制备了掺锑氧化锡(antimony doped tin oxide，ATO)纳米粉体。为了消除粉体团聚，采用有机酸酐作脱水剂，对前驱体胶态沉淀进行脱水处理，并与其它处理方法进行了比较。用XRD，TEM，BET等方法对粉体进行表征，研究了处理方法对ATO纳米导电粉体的粒度、团聚度、晶粒生长以及电阻率的影响。结果表明：有机酸酐处理可以有效地脱除ATO前驱体胶态沉淀中的H_2O和粒子表面的—OH，具有很好的抗团聚效果，可以用来制备比表面积大(≈85.32 m^2／g)、团聚小、电性能好的纳米粉体。
