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题名掺锡In2O3薄膜的晶粒生长及其微观结构性质研究
被引量:1
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作者
钟志有
朱雅
陆轴
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机构
中南民族大学电子信息工程学院
中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室
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出处
《中南民族大学学报(自然科学版)》
CAS
2019年第2期238-244,共7页
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基金
湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB418)
中南民族大学研究生学术创新基金后期资助项目(2018hqzz023)
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文摘
以氧化锡(SnO2)掺杂的氧化铟(In2O3)陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射工艺在普通玻璃基底上沉积了掺锡In2O3(In2O3:Sn)薄膜样品,通过XPS、XRD和SEM等表征手段,研究了基底温度对薄膜晶粒生长和微观结构的影响.结果表明,所有In2O3:Sn样品均为多晶薄膜并具有体心立方铁锰矿晶体结构,基底温度对晶粒生长特性和微观结构性能具有明显的影响.基底温度升高时,薄膜沿(222)晶面的织构系数和平均晶粒尺寸先增大后减小,而位错密度和晶格应变则呈现相反的变化趋势.当基底温度为250℃时,In2O3:Sn样品沿(222)晶面的织构系数最高、平均晶粒尺寸最大、位错密度最小、晶格应变最低,薄膜具有最佳的(222)晶面择优取向生长特性和微观结构性能.
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关键词
掺锡in2o3
薄膜
微观结构性质
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Keywords
tin doped in2o3
thin film
microstructural properties
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分类号
O484
[理学—固体物理]
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